Temat: high electron mobility transistor

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Modelowanie normalnie wyłączonych tranzystorów HEMT AlGaN/GaN z bramką p-GaN
Autorzy:: Taube, A.
Szmidt, J.
Piotrowska, A.
Sochacki, M.
Kamińska, E.
Data publikacji:: 2013
Słowa kluczowe:: azotek galu
HEMT
AlGaN
modelowanie
gallium nitride
high electron mobility transistor
modeling; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Symulacje i modelowanie zaawansowanych struktur tranzystorów HEMT AlGaN/GaN
Autorzy:: Taube, A.
Sochacki, M.
Szmidt, J.
Data publikacji:: 2012
Słowa kluczowe:: azotek galu
HEMT
AlGaN
modelowanie
gallium nitride
high electron mobility transistor
modeling; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Symulacje i modelowanie tranzystorów HEMT AlGaN/GaN : wpływ przewodności cieplnej podłoża
Autorzy:: Taube, A.
Sochacki, M.
Szmidt, J.
Data publikacji:: 2012
Słowa kluczowe:: azotek galu
HEMT
high electron mobility transistor
AlGaN
modelowanie
gallium nitride
modeling; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Technologia tranzystorów HEMT na bazie azotku galu do zastosowań w mikrofalowej elektronice mocy i energoelektronice
Autorzy:: Taube, A.
Kamińska, E.
Ekielski, M.
Piotrowska, A.
Wojtasiak, W.
Data publikacji:: 2016
Słowa kluczowe:: azotek galu
HEMT
tranzystor
elektronika mocy
mikrofale
energoelektronika
gallium nitride
high electron mobility transistor
power electronics
microwaves; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Badania ewaluacyjne tranzystora 650 V E-HEMT GaN do zastosowań w wysokosprawnych przekształtnikach DC/DC
Autorzy:: Czyż, P.
Cichowski, A.
Śleszyński, W.
Data publikacji:: 2015
Słowa kluczowe:: azotek galu
GaN
E-HEMT
przekształtnik obniżający
napięcie
straty mocy
gallium nitride
enhancement mode
high electron mobility transistor E-HEMT
DC/DC converters
power losses; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Badania ewaluacyjne tranzystora 650 V E-HEMT GaN do zastosowań w wysokosprawnych przekształtnikach DC/DC
Evaluation of a 650 V E-HEMT GaN transistor for high-efficiency DC/DC converters
Autorzy:: Czyż, P.
Cichowski, A.
Śleszyński, W.
Data publikacji:: 2015
Wydawca:: Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
Tematy:: azotek galu
GaN
E-HEMT
przekształtnik obniżający
napięcie
straty mocy
gallium nitride
enhancement mode
high electron mobility transistor E-HEMT
DC/DC converters
power losses; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Ultraszerokopasmowy rozłożony wzmacniacz kaskadowy
Ultra-broadband distributed cascaded amplifier
Autorzy:: Kral, J.
Data publikacji:: 2006
Wydawca:: Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Wydawnictwo AGH
Tematy:: ultraszerokopasmowy
linia transmisyjna
rozłożony wzmacniacz kaskadowy
tranzystor polowy
tranzystor polowy z nośnikami o dużej ruchliwości
HEMT
wzmocnienie mocy
ultrabroadband
transmission line
cascaded single stage distributed amplifier
high electron mobility transistor
power gain; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Ultraszerokopasmowy rozłożony wzmacniacz kaskadowy
Autorzy:: Kral, J.
Data publikacji:: 2006
Słowa kluczowe:: ultraszerokopasmowy
linia transmisyjna
rozłożony wzmacniacz kaskadowy
tranzystor polowy
tranzystor polowy z nośnikami o dużej ruchliwości
HEMT
wzmocnienie mocy
ultrabroadband
transmission line
cascaded single stage distributed amplifier
high electron mobility transistor
power gain; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Modelling and Simulation of Normally-Off AlGaN/GaN MOS-HEMTs
Autorzy:: Taube, A.
Sochacki, M.
Szmidt, J.
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Data publikacji:: 2014
Słowa kluczowe:: gallium nitride
MOS-HEMT
high electron mobility
transistor
AlGaN
GaN
simulation; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Modelling and Simulation of Normally-Off AlGaN/GaN MOS-HEMTs
Autorzy:: Taube, A.
Sochacki, M.
Szmidt, J.
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Data publikacji:: 2014
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:: gallium nitride
MOS-HEMT
high electron mobility
transistor
AlGaN
GaN
simulation; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę "high electron mobility transistor" wg kryterium: Temat