- Tytuł:
- GaN : materiał do konstrukcji przyrządów pracujących przy wysokich częstotliwościach (HEMT) i w ekstremalnych warunkach
- Autorzy:
-
Szczęsny, A.
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Szmidt, J. - Data publikacji:
- 2005
- Słowa kluczowe:
-
kontakty Schottky'ego do GaN
RuO2
HEMT
GaN Schottky contacts - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- BazTech
Artykuł