- Tytuł:
- Epitaksja warstw atomowych ZnO dla zastosowań w technologii wzrostu warstw GaN i InGaN metodą epitaksji wiązek molekularnych
- Autorzy:
-
Godlewski, M.
Szczerbakow, A.
Ivanov, V. Y.
Barski, A.
Goldys, E. M. - Data publikacji:
- 2000
- Słowa kluczowe:
-
epitaksja
GaN
wiązki molekularne
diody laserowe
epitaxy
atomic layer
laser diode
GaN LEDs
molecular beams - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- BazTech