Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Biblioteka  Akademii Nauk Stosowanych w Gnieźnie Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaBiblioteka  Akademii Nauk Stosowanych w Gnieźnie

Wyszukujesz frazę "pomiary C-V" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    Wpływ procesu wygrzewania wysokotemperaturowego na parametry elektryczne struktury MOS Al/SiO₂/n-4H-SiC (0001)
    Autorzy:
    Kalisz, M.
    Król, K.
    Sochacki, M.
    Szmidt, J.
    Data publikacji:
    2011
    Słowa kluczowe:
    utlenianie termiczne
    węglik krzemu
    pomiary pojemnościowo-napięciowe (C-V)
    pomiary prądowo-napięciowe (I-V)
    wygrzewanie wysokotemperaturowe
    thermal oxidation
    silicon carbide
    capacitance-voltage measurements
    current-voltage measurements
    SiC annealing
    Pokaż więcej
    Dostawca treści:
    BazTech
    Artykuł
    Szczegóły
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies