- Tytuł:
- TEM study of iridium silicide contact layers for low Schottky barrier MOSFETs
- Autorzy:
-
Łaszcz, A.
Czerwiński, A.
Ratajczak, J.
Kątcki, J.
Breil, N.
Larrieu, G.
Dubois, E. - Data publikacji:
- 2006
- Słowa kluczowe:
-
wygrzewanie
krzemek irydu
dyfrakcja
TEM
annealing
iridium silicide
selected-area diffraction
transmission electron microscope - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- BazTech