Temat: semiconductor device modeling

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "semiconductor device modeling" wg kryterium: Temat

Wyświetlanie 1-5 z 5

Zaznacz

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: SMIS : nowa struktura unipolarna
Autorzy:: Rosowski, A.
Lisik, Z.
Data publikacji:: 2006
Słowa kluczowe:: przyrządy unipolarne
struktura metal – półprzewodnik
modelowanie przyrządów półprzewodnikowych
unipolar devices
metal - semiconductor structure
semiconductor device modeling; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: A quasi-2D small-signal MOSFET model : main results
Autorzy:: Kordalski, W.
Data publikacji:: 2014
Słowa kluczowe:: CMOSFETs
semiconductor device modeling
microwave MOSFETs
CMOSFET
modelowanie przyrządów półprzewodnikowych
mikrofalowe tranzystory CMOS; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Detektory promieniowania sub-THz budowane z użyciem krzemowych tranzystorów typu MOSFET
Autorzy:: Kopyt, P.
Data publikacji:: 2015
Słowa kluczowe:: detektory fal milimetrowych
tranzystory MOSFET
modelowanie przyrządów półprzewodnikowych
antena łatowa
submillimeter wave detectors
MOSFETs
semiconductor device modeling
equivalent circuits
microstrip antennas; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Modeling of negative bias temperature instability
Autorzy:: Grasser, T.
Selberherr, S.
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: reliability
negative bias temperature instability
modeling
simulation
hydrogen
silicon dioxide
defects
interface states
semiconductor device equations; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Modeling of negative bias temperature instability
Autorzy:: Grasser, T.
Selberherr, S.
Data publikacji:: 2007
Słowa kluczowe:: reliability
negative bias temperature instability
modeling
simulation
hydrogen
silicon dioxide
defects
interface states
semiconductor device equations; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Wyświetlanie 1-5 z 5

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Wyszukujesz frazę "semiconductor device modeling" wg kryterium: Temat