- Tytuł:
- Zastosowanie InGaAsN w konstrukcji ogniwa słonecznego p-i-n
- Autorzy:
-
Dawidowski, W.
Ściana, B.
Zborowska-Lindert, I.
Pucicki, D.
Radziewicz, D.
Bielak, K.
Latkowska, M.
Kovac, J.
Tłaczała, M. - Data publikacji:
- 2012
- Słowa kluczowe:
-
rozcieńczone azotki
technologia AP-MOVPE
struktury MQW
ogniwo słoneczne p-i-n
dilute nitrides
AP-MOVPE technology
MQW structures
p-i-n solar cell - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- BazTech
Artykuł