Temat: thyristors - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Praktyczne aspekty wytrzymałości zwarciowej urządzeń z półprzewodnikami mocy
Autorzy:: Przybysz, J.
Owsiński, M.
Piątek, Z.
Data publikacji:: 2015
Słowa kluczowe:: półprzewodniki
tyrystory
diody
wytrzymałość zwarciowa
badania
semiconductors
thyristors
diodes
short circuit withstand
research; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Praktyczne aspekty wytrzymałości zwarciowej urządzeń z półprzewodnikami mocy
Practical aspects of short-circuit withstand of the power semiconductor devices
Autorzy:: Przybysz, J.
Owsiński, M.
Piątek, Z.
Data publikacji:: 2015
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:: półprzewodniki
tyrystory
diody
wytrzymałość zwarciowa
badania
semiconductors
thyristors
diodes
short circuit withstand
research; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Photonic systems for local image processing
Autorzy:: Buczyński, R.
Viet, K. B.
Szoplik, T.
Veretennicoff, I.
Thienpont, H.
Data publikacji:: 2001
Słowa kluczowe:: local image processing
smart pixels
mathematical morphology
cellular neural networks
optoelectronic processor
optical thyristors
reconfigurable
interconnects; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Stan obecny i perspektywy rozwojowe przyrządów energoelektronicznych
Autorzy:: Januszewski, S.
Data publikacji:: 2000
Słowa kluczowe:: energetyczne diody prostownicze
tyrystory
bramki MOS
układy scalone
półprzewodniki
gate GCT
thyristors
semiconductors
integrated ciruits; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Działanie i budowa tyrystorów GTO
Autorzy:: Lisik, Z.
Data publikacji:: 2000
Słowa kluczowe:: przyrządy półprzewodnikowe mocy
tyrystory GTO
projektowanie przyrządów półprzewodnikowych
power semiconductor devices
GTO thyristors
semiconductor devide design; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Uszkodzenia półprzewodnikowych przyrządów mocy w warunkach eksploatacyjnych
Autorzy:: Januszewski, S.
Kociszewska-Szczerbik, M.
Świątek, H.
Zymmer, K.
Data publikacji:: 2007
Słowa kluczowe:: PPM
sygnałowe przyrządy mocy
analiza uszkodzeń
diody prostownicze
tyrystory SCR
GTO
tranzystory IGBT
PSD
power signal devices
fallure analysis
rectifer diodes
thyristors SCR
transistors IGBT; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Informacja