- Tytuł:
- Closed-form 2D modeling of sub-100 nm MOSFETs in the subthreshold regime
- Autorzy:
-
Osthaug, J.
Fjeldly, T.A.
Iniguez, B. - Data publikacji:
- 2004
- Słowa kluczowe:
-
sub-100 nm MOSFET
two-dimensional device modeling
conformal mapping
threshold voltage
subthreshold regime
leakage current - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- BazTech