- Tytuł:
- Krystalizacja i właściwości warstw GaN osadzanych na podłożach Si(111) techniką epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu
- Autorzy:
-
Żytkiewicz, Z. R.
Sobańska, M.
Łusakowska, E.
Kłosek, K.
Borysiuk, J.
Wierzbicka, A.
Reszka, A. - Data publikacji:
- 2011
- Słowa kluczowe:
-
azotek galu
GaN
epitaksja z wiązek molekularnych
PAMBE
plazmowe źródło azotu
krzem
Si(111)
gallium nitride
molecular beam epitaxy
nitrogen plasma source - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- BazTech
Artykuł