Temat: nitrogen plasma source

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Krystalizacja i właściwości warstw GaN osadzanych na podłożach Si(111) techniką epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu
Autorzy:: Żytkiewicz, Z. R.
Sobańska, M.
Łusakowska, E.
Kłosek, K.
Borysiuk, J.
Wierzbicka, A.
Reszka, A.
Data publikacji:: 2011
Słowa kluczowe:: azotek galu
GaN
epitaksja z wiązek molekularnych
PAMBE
plazmowe źródło azotu
krzem
Si(111)
gallium nitride
molecular beam epitaxy
nitrogen plasma source; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Informacja