Wszystkie pola: SiC/SiC - Prolib Integro

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "SiC/SiC" wg kryterium: Wszystkie pola

Wyświetlanie 1-10 z 145

Zaznacz

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Functionally gradient materials in the SiC-Ti3SiC2 system.
Autorzy:: Lis, J.
Łopaciński, M.
Rudnik, T.
Stobierski, L.
Data publikacji:: 1998
Słowa kluczowe:: kompozyty ceramiczne wielowarstwowe
węglik krzemu
laminat
twardość
odporność na kruche pękanie
metalurgia proszków
prasowanie na gorąco
ceramic multilayered composites
functionally gradient materials
silicon carbide
laminate
hardness
fracture toughness
powder metallurgy
hot pressing; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Modelowanie charakterystyk I-V tranzystora MOS na węgliku krzemu (4H-SiC oraz 6H-SiC)
Autorzy:: Stęszewski, J.
Jakubowski, A.
Data publikacji:: 2005
Słowa kluczowe:: SiC MOS
symulacja charakterystyk I-V
węglik krzemu
SiC MOSFET
I-V characteristics simulation
silicon carbide; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Badania optyczne politypów 6H-SiC oraz 15R-SiC poddanych wielokrotnej implantacji jonami glinu w podwyższonej temperaturze
Autorzy:: Kulik, M.
Żuk, J.
Rzodkiewicz, W.
Pyszniak, K.
Droździel, A.
Turek, M.
Prucnal, S.
Sochacki, M.
Szmidt, J.
Data publikacji:: 2008
Słowa kluczowe:: węglik krzemu
implantacja jonowa
elipsometria spektroskopowa
spektrometria mikro-ramanowska
silicon carbide
ion omplantation
spectroscopic elipsometry
micro-Raman spectrometry; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Wpływ procesów przygotowania podłoża 4H-SiC na właściwości diod Schottky'ego
Autorzy:: Kwietniewski, N.
Sochacki, M.
Szmidt, J.
Guziewicz, M.
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Data publikacji:: 2008
Słowa kluczowe:: węglik krzemu
przygotowanie powierzchni
diody Schottky'ego
trawienie RIE
Ir
IrO2
Ni
silicon carbide
surface treatment
Schottky diodes; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Trójfazowy falownik napięcia z tranzystorami SiC JFET
Autorzy:: Giziewski, S.
Data publikacji:: 2012
Słowa kluczowe:: falownik napięcia
SiC
JFET
węglik krzemu
sprawność
voltage source inverter
silicon carbide
efficiency; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Wysokoczęstotliwościowy przekształtnik z tranzystorami SiC JFET
Autorzy:: Giziewski, S.
Data publikacji:: 2012
Słowa kluczowe:: falownik napięcia
SiC
JFET
węglik krzemu
silniki wysokoobrotowe
voltage source inverter
silicon carbide
high-speed motors; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Zachowanie korozyjne kompozytu A359-cząsteczki SiC
Autorzy:: Bieniaś, J.
Surowska, B.
Data publikacji:: 2003
Słowa kluczowe:: aluminium
materiał kompozytowy aluminiowy
odporność korozyjna
węglik krzemu
polaryzacja potencjodynamiczna
metal matrix composite
potentiodynamic polarization
silicon carbide
corrosion behaviour; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Wpływ dodatku miedzi oraz zawartości fazy umacniającej sic na mikrostrukturę i twardość kompozytów Al-SiC
Autorzy:: Wąsik, A.
Leszczyńska-Madej, B.
Madej, M.
Data publikacji:: 2016
Słowa kluczowe:: metalurgia proszków
kompozyty
węglik krzemu
mikrostruktura
powder metallurgy
metal matrix composites
silicon carbide
microstructure; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Węglik krzemu - nowy materiał mikroelektroniki
Autorzy:: Lisik, Z.
Stojek, H.
Data publikacji:: 1998
Słowa kluczowe:: węglik krzemu
SiC
przerwa energetyczna
mikroelektronika
silicon carbide
energy band gap
microelectronics; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Badania właściwości struktur MOS na SiC dla wybranych rozwiązań technologiczno-konstrukcyjnych
Autorzy:: Gutt, T.
Piskorski, K.
Przewłocki, H. M.
Borowicz, P.
Data publikacji:: 2012
Słowa kluczowe:: węglik krzemu
SiC
kontaktowa różnica potencjałów
bariery potencjału
napięcie wyprostowanych pasm
spektroskopia mikroramanowska
silicon carbide
contact potential difference
potential barriers
flat-band voltage
micro-Raman spectroscopy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Wyświetlanie 1-10 z 145

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Wyszukujesz frazę "SiC/SiC" wg kryterium: Wszystkie pola