Wszystkie pola: (In,Ga)(As,N)

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Technology and characterization of p-i-n photodetectors with DQW (In,Ga)(As,N)/GaAs active region
Współwytwórcy:: Politechnika Wrocławska. Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki
Boratyński, Bogusław
Zborowska-Lindert, Iwona
Pucicki, Damian
Radziewicz, Damian
Ściana, Beata
Data publikacji:: 2007
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Technology and characterization of p-i-n photodetectors with DQW (In,Ga)(As,N)/GaAs active region
Autorzy:: Pucicki, D.
Zborowska-Lindert, I.
Ściana, B.
Radziewicz, D.
Boratyński, B.
Data publikacji:: 2007
Słowa kluczowe:: p-i-n photodetector
diluted nitrides
(In,Ga)(As,N)
GaAs-based photodetectors
double quantum well (DQW)
heterostructures; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Analiza temperaturowych charakterystyk I-V testowych ogniw słonecznych na bazie związków złożonych (In,Ga)(As,N)
Autorzy:: Dawidowski, W.
Ściana, B.
Mikolášek, M.
Kováč, J.
Tłaczała, M.
Data publikacji:: 2016
Słowa kluczowe:: InGaAsN
solar cell
I-V-T measurements
ogniwo słoneczne
pomiary I-V-T; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: DLTS investigations of (Ga,In)(N, As)/GaAs quantum wells before and after rapid thermal annealing
Autorzy:: Gelczuk, Łukasz
Współwytwórcy:: Dąbrowska-Szata, Maria (1946- )
Pucicki, Damian
Data publikacji:: 2014
Tematy:: Fizyka; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: DLTS Investigations of (Ga,In)(N,As)/GaAs Quantum Wells before and after Rapid Thermal Annealing
Autorzy:: Gelczuk, Ł.
Dąbrowska-Szata, M.
Pucicki, D.
Data publikacji:: 2014-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.55.Eq
71.55.-i
73.61.Ey; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Evaluation of optical quality and properties of Ga₀.₆₄In₀.₃₆N₀.₀₀₆As₀.₉₉₄ lattice matched to GaAs by using photoluminescence spectroscopy
Autorzy:: Gholami, M.
Esmaeili, M.
Haratizadeh, H.
Holtz, P. O.
Hammar, M.
Data publikacji:: 2009
Słowa kluczowe:: optical efficiency
photoluminescence
InGaNAs/GaAs single quantum well nanostructures
SQW nanostructures
localized excitons
full width at half maximum
FWHM
photoluminescence integrated intensity
thermal annealing; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Interval identification of FMR parameters for spin reorientation transition in (Ga,Mn)As
Autorzy:: Gutowski, N. W.
Współwytwórcy:: Proselkov, O.
Sadowski, J.
Sawicki, M.
Stefanowicz, W.
Żuberek, Ż.
Data publikacji:: 2012
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Enhancement of Electron Mobility and Photoconductivity in Quantum Well $In_{0.52}Al_{0.48}As//In_{0.53}Ga_{0.47}As//In_{0.52}Al_{0.48}As$ οn InP Substrate
Autorzy:: Kulbachinskii, V.
Lunin, R.
Yuzeeva, N.
Galiev, G.
Vasilievskii, I.
Klimov, E.
Data publikacji:: 2013-02
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 72.10.-d
73.21.Fg
73.63.Hs; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Light-Induced Precession of Magnetization in Ferromagnetic Semiconductor (Ga,Mn)As
Autorzy:: Tesařová, N.
Němec, P.
Rozkotová, E.
Trojánek, F.
Malý, P.
Data publikacji:: 2010-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 75.50.Pp
75.78.-n
78.47.J-
78.47.D-; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Estimating total phenolics in Taraxacum officinale (L.) extracts
Autorzy:: Khan A.S.
Arif K.
Munir B.
Kiran S.
Jalal F.
Qureshi N.
Hassan S.M.
Soomro G.A.
Nazir A.
Ghaffar A.
Tahir M.A.
Iqbal M.
Dostawca treści:: AGRO

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: High Power Microwave Detection in Asymmetrically Shaped n-Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As Structures
Autorzy:: Ašmontas, S.
Čerškus, A.
Gradauskas, J.
Kundrotas, J.
Lučun, A.
Petkun, V.
Sužiedėlis, A.
Šilėnas, A.
Data publikacji:: 2005-02
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 07.57.Kp
84.40.-x
72.20.Ht; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: Optimization of optical characteristics of In0.29Ga0.71As0.99N0.01/GaAs straddled nano-heterostructure
Autorzy:: Sandhya, K.
Bhardwaj, G.
Dolia, R.
Lal, P.
Kumar, S.
Dalela, S.
Rahman, F.
Alvi, P. A.
Data publikacji:: 2018
Słowa kluczowe:: InGaAsN
optical gain
gain compression
heterostructure; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: In-plane uniaxial anisotropy rotations in (Ga,Mn)As thin films
Autorzy:: Sawicki, M.
Wang, K.-Y.
Edmonds, K.W.
Campion, R.P.
Staddon, C.R.
Farley, N.R.S.
Foxon, C.T.
Dietl, T.
Gallagher, B.L.
Data publikacji:: 2006
Słowa kluczowe:: GaMnAs
anizotropia magnetyczna
półprzewodniki ferromagnetyczne
struktura cienkowarstwowa
magnetic anisotropy
ferromagnetic semiconductor
SQUID; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę "(In,Ga)(As,N)" wg kryterium: Wszystkie pola