Wszystkie pola: AlGaN/GaN heterostructures

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Polarization Induced Effects in AlGaN/GaN Heterostructures
Autorzy:: Ambacher, O.
Data publikacji:: 2000-09
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 77.84.-s
77.70.+a
77.65.Ly; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Measurements of AlGaN/GaN heterostructures for sensor applications
Autorzy:: Hojko, M R
Paszuk, D
Paszkiewicz, B
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:: sensor
AlGaN/GaN heterostructure
electrolyte
two-dimensional electron gas (2DEG)
pH; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Measurements of AlGaN/GaN heterostructures for sensor applications
Autorzy:: Hojko, Mikołaj Ryszard
Współwytwórcy:: Paszkiewicz, Bogdan
Politechnika Wrocławska. Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki
Paszuk, Dorota
Data publikacji:: 2013
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Measurements of AlGaN/GaN heterostructures for sensor applications
Autorzy:: Hojko, M R
Paszuk, D.
Paszkiewicz, B.
Data publikacji:: 2013
Słowa kluczowe:: sensor
AlGaN/GaN heterostructure
electrolyte
two-dimensional electron gas
2DEG
pH; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Photoreflectance study of AlGaN/GaN heterostructures grown by MOCVD process
Współwytwórcy:: Macht, Łukasz
Bugajski, Maciej
Larsen, Poul K.
Wójcik, Anna
Ochalski, Tomasz J.
Haffouz, Soufien
Kowalczyk, Emil.
Instytut Technologii Elektronowej
Piwoński, T.
Grzegorczyk, Andrzej
Data publikacji:: 2002
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Chemical analysis of Ti/Al/Ni/Au ohmic contacts to AlGaN/GaN heterostructures
Autorzy:: Macherzynski, W
Indykiewicz, K
Paszkiewicz, B
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:: ohmic contact
AlGaN/GaN heterostructures
surface morphology; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Photoreflectance study of AlGaN/GaN heterostructures grown by MOCVD process
Autorzy:: Wójcik, A.
Piwoński, T.
Ochalski, T.J.
Kowalczyk, E.
Bugajski, M.
Grzegorczyk, A.
Macht, Ł.
Haffouz, S.
Larsen, P.K.
Data publikacji:: 2002
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Chemical analysis of Ti/Al/Ni/Au ohmic contacts to AlGaN/GaN heterostructures
Autorzy:: Macherzyński, Wojciech
Współwytwórcy:: Paszkiewicz, Bogdan
Politechnika Wrocławska. Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki
Indykiewicz, Kornelia
Data publikacji:: 2013
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Influence of high Al fraction on reactive ion etching of AlGaN/GaN heterostructures
Współwytwórcy:: Wośko, Mateusz
Politechnika Wrocławska. Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki
Paszkiewicz, Bogdan
Prażmowska, Joanna
Gryglewicz, Jacek
Stafiniak, Andrzej
Data publikacji:: 2013
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Influence of high Al fraction on reactive ion etching of AlGaN/GaN heterostructures
Autorzy:: Gryglewicz, J
Stafiniak, A
Wosko, M
Prazmowska, J
Paszkiewicz, B
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:: reactive ione etching
HEMT
AlGaN/GaN heterostructure; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Evaluation of AlGaN/GaN heterostructures properties by QMSA and AFM techniques
Autorzy:: Szyszka, A.
Wośko, M.
Paszkiewicz, B.
Tłaczała, M.
Data publikacji:: 2013
Słowa kluczowe:: AlGaN/GaN
Hall mobility
AFM
Quantive Mobility Spectrum Analysis; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: Study of interface reactions between Ti/Al/Ni/Au metallization and AlGaN/GaN heterostructures
Autorzy:: Macherzyński, Wojciech
Współwytwórcy:: Paszkiewicz, Bogdan (elektronik)
Data publikacji:: 2013
Tematy:: Materiałoznawstwo; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Chemical analysis of Ti/Al/Ni/Au ohmic contacts to AlGaN/GaN heterostructures
Autorzy:: Macherzynski, W.
Indykiewicz, K.
Paszkiewicz, B.
Data publikacji:: 2013
Słowa kluczowe:: ohmic contact
AlGaN/GaN heterostructures
surface morphology; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Influence of high Al fraction on reactive ion etching of AlGaN/GaN heterostructures
Autorzy:: Gryglewicz, J.
Stafiniak, A.
Wosko, M.
Prazmowska, J.
Paszkiewicz, B.
Data publikacji:: 2013
Słowa kluczowe:: reactive ione etching
HEMT
AlGaN/GaN heterostructure; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: Influence of low-temperature annealing of AlGaN/GaN heterostructures on adhesion of evaporated Pt-based Schottky contacts
Współwytwórcy:: Politechnika Wrocławska. Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki
Paszkiewicz, Regina
Tłaczała, Marek
Głowacki, Patryk
Macherzyński, Wojciech
Data publikacji:: 2013
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: Effect of annealing temperature on the morphology of ohmic contact Ti/Al/Ni/Au to n-AlGaN/GaN heterostructures
Współwytwórcy:: Politechnika Wrocławska. Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki
Paszkiewicz, Regina
Paszkiewicz, Bogdan
Tłaczała, Marek
Macherzyński, Wojciech
Szyszka, Adam
Gryglewicz, Jacek
Stafiniak, Andrzej
Data publikacji:: 2009
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: Czujnik wodoru AlGaN/GaN FAT-HEMT
Autorzy:: Paszkiewicz, B.
Wośko, M.
Macherzyński, W.
Paszkiewicz, R.
Tłaczała, M.
Data publikacji:: 2012
Słowa kluczowe:: heterostruktury AlGaN/GaN
czujniki wodoru
FAT-HEMT
AlGaN/GaN heterostructures
hydrogen sensors; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: Influence of low-temperature annealing of AlGaN/GaN heterostructures on adhesion of evaporated Pt-based Schottky contacts
Autorzy:: Głowacki, P.
Macherzyński, W.
Paszkiewicz, R.
Tłaczała, M.
Data publikacji:: 2013
Słowa kluczowe:: adhesion
Schottky contact
annealing
AlGaN/GaN heterostructure
platinum
metalizacja
kontakt Schottky’ego
wygrzewanie
heterostruktura AlGaN/GaN
platyna; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: Effect of annealing temperature on the morphology of ohmic contact Ti/Al/Ni/Au to n-AlGaN/GaN heterostructures
Autorzy:: Macherzyński, W.
Stafiniak, A.
Szyszka, A.
Gryglewicz, J.
Paszkiewicz, B.
Paszkiewicz, R.
Tłaczała, M.
Data publikacji:: 2009
Słowa kluczowe:: ohmic contacts
heterostructure
AlGaN/GaN heterostructure
Ti/Al/Ni/Au; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: Influence of AlN spacer on the properties of AlGaN/AlN/GaN heterostructures
Autorzy:: Wosko, M
Paszkiewicz, B
Paszkiewicz, R
Tlaczala, M
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:: AlGaN/GaN
heterostructure
AlN spacer
MOVPE; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 21.

Tytuł:: Influence of thermal treatment on the formation of ohmic contacts based on Ti/Al/Ni/Au metallization to n-type AlGaN/GaN heterostructures
Autorzy:: Macherzyński, W.
Paszkiewicz, B.
Vincze, A.
Data publikacji:: 2012
Słowa kluczowe:: ohmic contact
AlGaN/GaN heterostructure
2-dimensional electron gas (2DEG); Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 22.

Tytuł:: Vertical Electron Transport in GaN/AlGaN Heterostructures
Autorzy:: Reklaitis, A.
Data publikacji:: 2005-02
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.40.Kp
72.20.-i
72.30.+q; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 23.

Tytuł:: Influence of AlN spacer on the properties of AlGaN/AlN/GaN heterostructures
Współwytwórcy:: Wośko, Mateusz
Politechnika Wrocławska. Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki
Paszkiewicz, Regina
Paszkiewicz, Bogdan
Tłaczała, Marek
Data publikacji:: 2013
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 24.

Tytuł:: Influence of AlN spacer on the properties of AlGaN/AlN/GaN heterostructures
Autorzy:: Wosko, M.
Paszkiewicz, B.
Paszkiewicz, R.
Tlaczala, M.
Data publikacji:: 2013
Słowa kluczowe:: AlGaN/GaN
heterostructure
AlN spacer
MOVPE; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 25.

Tytuł:: Reaktywne trawienie jonowe heterostruktur AlGaN/GaN w plazmie Cl₂/BCl₃
Autorzy:: Gryglewicz, J.
Oleszkiewicz, W.
Wośko, M.
Szyszka, A.
Paszkiewicz, B.
Data publikacji:: 2011
Słowa kluczowe:: reaktywne trawienie jonowe
plazma
DC bias
heterostruktura AlGaN/GaN
reactive ion etching
plasma
AlGaN/GaN heterostructure; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 26.

Tytuł:: Electron-Electron Interaction Effects in Quantum Hall Regime of GaN/AlGaN Heterostructures
Autorzy:: Siekacz, M.
Dybko, K.
Maude, D.
Potemski, M.
Knap, W.
Skierbiszewski, C.
Data publikacji:: 2007-08
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.30.+h
73.40.-c
73.43.Qt; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 27.

Tytuł:: Badanie elektrycznych właściwości powierzchni heterostruktur AlGaN/GaN/Si technikami mikroskopii ze skanującą sondą i oświetleniem
Autorzy:: Szyszka, Adam
Wośko, Mateusz
Paszkiewicz, Regina
Data publikacji:: 2019
Słowa kluczowe:: azotek galu
AlGaN/GaN
skaningowa mikroskopia pojemnościowa
skaningowa mikroskopia potencjału powierzchniowego
SCM
SSPM
SPM
gallium nitride
AlGaN/GaN/Si
scanning potential microscopy
scanning capacitance microscopy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 28.

Tytuł:: Zero Field Spin Splitting in GaN/AlGaN Heterostructures Probed by the Weak Antilocalization
Autorzy:: Dybko, K.
Siekacz, M.
Skierbiszewski, C.
Data publikacji:: 2008-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.70.Ej
73.43.Qt
73.20.Fz; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 29.

Tytuł:: Badanie elektrycznych właściwości powierzchni heterostruktur AlGaN/GaN/Si techniką skaningowej mikroskopii pojemnościowej
Autorzy:: Szyszka, A.
Szymański, T.
Tłaczała, M.
Wośko, M.
Paszkiewicz, R.
Data publikacji:: 2017
Słowa kluczowe:: SCM
skaningowa mikroskopia pojemnościowa
AlGaN/GaN/Si
azotek galu
C-V
scanning capacitance microscopy
gallium nitride; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 30.

Tytuł:: From High Electron Mobility GaN/AlGaN Heterostructures to Blue-Violet InGaN Laser Diodes. Perspectives of MBE for Nitride Optoelectronics
Autorzy:: Skierbiszewski, C.
Data publikacji:: 2005-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 42.55.Px
85.35.Be
42.60.By
73.21.Cd; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 31.

Tytuł:: Heterostruktury AlGaN/AlN/GaN na podłożach 4H-SIC uzyskane metodą LP MOVPE do zastosowań w technologii tranzystorów HEMT
Autorzy:: Caban, P.
Strupiński, W.
Szmidt, J.
Data publikacji:: 2010
Słowa kluczowe:: HEMT
azotek galu
węglik krzemu
MOVPE
gallium nitride
silicon carbide; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę "AlGaN/GaN heterostructures" wg kryterium: Wszystkie pola