Wszystkie pola: GaSb/GaAs - Prolib Integro

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "GaSb/GaAs" wg kryterium: Wszystkie pola

Wyświetlanie 1-10 z 15

Zaznacz

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Metodyka określania parametrów elektrycznych warstw GaSb osadzonych na przewodzącym podłożu
Autorzy:: Kotowski, Mateusz
Czuba, Krzysztof
Smoczyński, Dariusz
Jasik, Agata
Data publikacji:: 2019
Słowa kluczowe:: heterostruktury
GaSb/GaAs
metoda van der Pauwa
efekt Halla
model wielowarstwowy
parametry elektryczne
Van der Pauw method
Hall effect
multilayer model; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Comparative study of the molecular beam epitaxial growth of InAs/GaSb superlattices on GaAs and GaSb substrates
Współwytwórcy:: Benyahia, Djalal. Autor
Martyniuk, Paloma. Autor
Michalczewski, Krystian. Autor
Rogalski, Antoni (1946- ). Autor
Kubiszyn, Łukasz. Autor
Piotrowski, Józef (1943- ). Autor
Kębłowski, Artur. Autor
Data publikacji:: 2017
Tematy:: Półprzewodniki
Krystalografia rentgenowska
Epitaksja; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Comparative study of the molecular beam epitaxial growth of InAs/GaSb superlattices on GaAs and GaSb substrates
Autorzy:: Benyahia, D.
Kubiszyn, Ł.
Michalczewski, K.
Kębłowski, A.
Martyniuk, P.
Piotrowski, J.
Rogalski, A.
Data publikacji:: 2017-08
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 81.15.Hi
68.65.Cd
81.05.Ea
61.05.cp; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Optimization of MBE-grown GaSb buffer on GaAs substrates for infrared detectors
Autorzy:: Jarosz, Dawid
Bobko, Ewa
Trzyna-Sowa, Małgorzata
Przeździecka, Ewa
Stachowicz, Marcin
Ruszała, Marta
Krzemiński, Piotr
Juś, Anna
Maś, Kinga
Wojnarowska-Nowak, Renata
Nowak, Oskar
Gudyka, Daria
Tabor, Brajan
Marchewka, Michał
Data publikacji:: 2024
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:: gallium arsenide
gallium antimonide
molecular beam epitaxy
heteroepitaxy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Low-temperature growth of GaSb epilayers on GaAs (001) by molecular beam epitaxy
Autorzy:: Benyahia, D.
Kubiszyn, Ł.
Michalczewski, K.
Kębłowski, A.
Martyniuk, P.
Piotrowski, J.
Rogalski, A.
Data publikacji:: 2016
Słowa kluczowe:: MBE
GaSb
GaAs
IR detectors; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Optimization of MBE-grown GaSb buffer on GaAs substrates for infrared detectors
Autorzy:: Jarosz, Dawid
Bobko, Ewa
Trzyna-Sowa, Małgorzata
Przeździecka, Ewa
Stachowicz, Marcin
Ruszała, Marta
Krzemiński, Piotr
Juś, Anna
Maś, Kinga
Wojnarowska-Nowak, Renata
Nowak, Oskar
Gudyka, Daria
Tabor, Brajan
Marchewka, Michał
Data publikacji:: 2024
Słowa kluczowe:: gallium arsenide
gallium antimonide
molecular beam epitaxy
heteroepitaxy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: GaSb Dots Grown on GaAs Surface by Metalorganic Chemical Vapour Deposition
Autorzy:: Bożek, R.
Babiński, A.
Baranowski, J. M.
Stępniewski, R.
Klusek, Z.
Olejniczak, W.
Starowieyski, K.
Wróbel, J.
Data publikacji:: 1995-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 81.15.Gh
68.55.-a; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Rocking curve imaging studies of laterally overgrown GaAs and GaSb epitaxial layers
Autorzy:: Wierzbicka, A.
Współwytwórcy:: Lübbert, D.
Domagała, J. Z.
Zytkiewicz, Z. R.
Data publikacji:: 2009
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Rocking Curve Imaging Studies of Laterally Overgrown GaAs and GaSb Epitaxial Layers
Autorzy:: Wierzbicka, A.
Lübbert, D.
Domagała, J.
Zytkiewicz, Z.
Data publikacji:: 2009-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 61.05.cp
68.55.ag
81.15.Lm; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Low-temperature growth of InAs/GaSb superlattices on miscut GaAs substrates for mid-wave infrared detectors
Autorzy:: Martyniuk, Piotr
Benyahia, Djalal
Data publikacji:: 2023
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:: molecular beam epitaxy
superlattice
X-ray diffraction
III-V semiconductor; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Wyświetlanie 1-10 z 15

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Wyszukujesz frazę "GaSb/GaAs" wg kryterium: Wszystkie pola