Wszystkie pola: bipolar transistors

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "bipolar transistors" wg kryterium: Wszystkie pola

Wyświetlanie 1-17 z 17

Zaznacz

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Finding all the DC solutions of circuits containing diodes and bipolar transistors
Autorzy:: Tadeusiewicz, Michał
Współwytwórcy:: Politechnika Łódzka
Hałgas, Stanisław
Data publikacji:: 2009
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Finding all the DC solutions of circuits containing diodes and bipolar transistors
Autorzy:: Tadeusiewicz, M.
Hałgas, S.
Data publikacji:: 2009
Słowa kluczowe:: analiza stałoprądowa
układy diodowo-tranzystorowe
wiele rozwiązań
zjawisko samonagrzewania
DC solutions
diode-transistor circuits
multiple solutions
thermal constraint; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Tracing temperature characteristics in diode-transistor circuits having multiple DC solutions
Autorzy:: Tadeusiewicz, M.
Hałgas, S.
Data publikacji:: 2007
Słowa kluczowe:: bipolar transistors
multiple DC solutions
temperature characteristics; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: The current-voltage characteristics of semiconductor diodes as they are made highly defected
Autorzy:: Dehimi, L.
Sengouga, N.
Jones, B. K.
Data publikacji:: 2001
Słowa kluczowe:: tranzystory bipolarne
diody półprzewodnikowe
przewodzenie
bipolar transistors
semiconductor diode
leading; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Bipolarne tranzystory mocy wykonane z węglika krzemu
Autorzy:: Zarębski, J.
Patrzyk, J.
Data publikacji:: 2016
Słowa kluczowe:: węglik krzemu
tranzystory bipolarne
modelowanie
SPICE
silicon carbide
bipolar transistors
modeling; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Własności wzmacniające tranzystorów bipolarnych w niskich temperaturach
Autorzy:: Michalak, S.
Data publikacji:: 2001
Słowa kluczowe:: tranzystory bipolarne
właściwości
wyniki badań
bipolar transistors
specificity
results of research; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Radiation Degradation of Bipolar Transistor Current Gain
Autorzy:: Miskiewicz, S.
Komarov, A.
Komarov, F.
Zayats, G.
Soroka, S.
Data publikacji:: 2017-08
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: radiation
numerical simulation
bipolar transistors
lifetime
minority charge carriers
recombination
current gain; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Szumy małej i wielkiej częstotliwości tranzystorów bipolarnych
Autorzy:: Zaklikiewicz, A. M.
Data publikacji:: 2001
Słowa kluczowe:: tranzystory bipolarne
szum 1/f
parametry
bipolar transistors
hum 1/f
parameter; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Hybrid IGBT-IGCT Switch
Autorzy:: Blinov, A.
Vinnikov, D.
Ivakhno, V.
Zamaruev, V.
Data publikacji:: 2012
Słowa kluczowe:: tranzystor bipolarny
tyrystor z izolowaną bramką
przemysłowe systemy energetyczne
insulated gate bipolar transistors
industrial power systems; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Simulation of neutron irradiation influence on p-n-p bipolar transistor characteristics
Autorzy:: Miskiewicz, S.
Komarov, F.
Komarov, A.
Żukowski, P.
Michailov, V.
Data publikacji:: 2016
Słowa kluczowe:: bipolar transistors
neutron flow
transmission
transmission coefficient
output characteristics
tranzystor bipolarny
przepływ neutronów
współczynnik transmisji
charakterystyki wyjściowe; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Sterowanie bipolarnych, wysokonapięciowych tranzystorów mocy
Autorzy:: Kania, J.
Data publikacji:: 2000
Słowa kluczowe:: tranzystor bipolarny
element kluczący
bipolar transistor
NPN transistors; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: Modelowanie tranzystorów mocy SiC BJT w programie PSPICE
Autorzy:: Patrzyk, J.
Data publikacji:: 2016
Słowa kluczowe:: modelowanie
SiC BJT
węglik krzemu
tranzystor bipolarny
modeling
silicon carbide
bipolar transistor; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Ustalanie punktów pracy tranzystorów bipolarnych z zastosowaniem strategii ewolucyjnej
Autorzy:: Gajer, M.
Data publikacji:: 2011
Słowa kluczowe:: strategie ewolucyjne
teoria obwodów elektrycznych
obwody nieliniowe
punkty pracy tranzystorów bipolarnych
elektrotechnika
elektroenergetyka
evolutionary algorithms
circuits theory
nonlinear circuits
working points of bipolar transistors
electrical technology
electrical power engineering; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Porównanie charakterystyk statycznych bipolarnych tranzystorów mocy wykonanych z krzemu i węglika krzemu
Autorzy:: Zarębski, J.
Bisewski, D.
Patrzyk, J.
Data publikacji:: 2014
Słowa kluczowe:: tranzystor bipolarny
węglik krzemu
samonagrzewanie
bipolar transistor
silicon carbide
selfheating; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: Optimization of selected parameters of SiGe HBT transistors
Autorzy:: Zaręba, A.
Jakubowski, A.
Data publikacji:: 2000
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: heterojunction bipolar transistor
base transit time
current gain; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: Optimization of selected parameters of SiGe HBT transistors
Autorzy:: Zaręba, A.
Jakubowski, A.
Data publikacji:: 2000
Słowa kluczowe:: heterojunction bipolar transistor
base transit time
current gain; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: Możliwości komutacyjne przełączników tranzystorowych i elektromechanicznych w referencyjnej metodzie pomiaru odkształceń czujnikiem indukcyjnym
Autorzy:: Nurkowski, J.
Data publikacji:: 2016
Słowa kluczowe:: indukcyjny czujnik odkształceń
referencyjny pomiar odkształceń
rezystancja w stanie włączenia przekaźnika
rezystancja w stanie włączenia tranzystora bipolarnego
induction deformation sensor
reference measurement of deformation
on-state resistance of the relay
on-state resistance of the bipolar transistor; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Wyświetlanie 1-17 z 17

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Wyszukujesz frazę "bipolar transistors" wg kryterium: Wszystkie pola