Wszystkie pola: metal-insulator-semiconductor structure

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Analysis of electrical equivalent circuit of metal-insulator-semiconductor structure based on admittance measurements
Współwytwórcy:: Kochowski, S.
Paszkiewicz, B.
Paszkiewicz, R.
Szydłowski, M.
Data publikacji:: 2008
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Analysis of electrical equivalent circuit of metal-insulator-semiconductor structure based on admittance measurements
Autorzy:: Kochowski, S.
Szydłowski, M.
Paszkiewicz, R.
Paszkiewicz, B.
Data publikacji:: 2008
Słowa kluczowe:: impedance spectroscopy
metal-insulator-semiconductor structure
constant phase element
electrical properties
silicon; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Two-dimensional modeling of surface photovoltage in metal/insulator/n-GaN structure with cylindrical symmetry
Autorzy:: Matys, M.
Powroznik, P.
Kupka, D.
Adamowicz, B.
Data publikacji:: 2013
Słowa kluczowe:: surface photovoltage
gallium nitride
metal-insulator-semiconductor (MIS) structure
interface states
photodetector; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Two-dimensional modeling of surface photovoltage in metal/insulator/n-GaN structure with cylindrical symmetry
Autorzy:: Matys, M
Powroznik, P
Kupka, D
Adamowicz, B
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:: surface photovoltage
gallium nitride
metal-insulator-semiconductor (MIS) structure
interface states
photodetector; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Influence of composition of the near-surface graded-gap layer on the admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap MBE n-Hg₁₋xCdxTe in wide temperature range
Autorzy:: Voitsekhovskii, A. V.
Nesmelov, S. N.
Dzyadukh, S. M.
Data publikacji:: 2014
Słowa kluczowe:: HgCdTe
MIS structure
admittance
graded-gap layer
differential resistance of space-charge region; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Informacja