Wszystkie pola: struktura defektowa półprzewodników

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Badanie głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych GaN:Si metodą niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej (DLTS)
Autorzy:: Kozubal, N.
Data publikacji:: 2006
Słowa kluczowe:: struktura defektowa półprzewodników
niestacjonarna spektroskopia pojemnościowa
badanie centrów defektowych
warstwa epitaksjalna GaN:Si
wpływ wysokoenergetycznego promieniowania protonowego
promieniowanie protonowe; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Badanie głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych GaN:Si metodą niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej (DLTS)
Investigation of deep centres in epitaxial GaN:Si by deep level transient spectroscopy (DLTS)
Autorzy:: Kozubal, N.
Data publikacji:: 2006
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:: struktura defektowa półprzewodników
niestacjonarna spektroskopia pojemnościowa
badanie centrów defektowych
warstwa epitaksjalna GaN:Si
wpływ wysokoenergetycznego promieniowania protonowego
promieniowanie protonowe; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Prace ITME 1991 z. 36
Zastosowanie niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów do badania struktury defektowej półprzewodników typu AIIIBV = Application of deep level transient spectroscopy to investigation of III-V semiconductors defect structure
Zastosowanie niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów do badania struktury defektowej półprzewodników typu AIIIBV
Autorzy:: Kamiński Paweł
Kamiński, Paweł
Data publikacji:: 1991
Wydawca:: Wydaw. Przem. "WEMA"
Słowa kluczowe:: Elektronika - czasopismo - materiały
Materiały elektroniczne
Electronic materials
DLTS
AIIIBV
struktura defektowa
defect structure
Electronic - journal - material; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Informacja