Temat: Epitaxy - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Heteroepitaxial Growth of High Optical Quality, Wafer-Scale van der Waals Heterostrucutres
Autorzy:: Ludwiczak, Katarzyna
Da̧browska, Aleksandra
Binder, Johannes
Tokarczyk, Mateusz
Iwański, Jakub
Kurowska, Bogusława
Turczyński, Jakub
Kowalski, Grzegorz
Bożek, Rafał
Stępniewski, Roman
Pacuski, Wojciech
Wysmołek, Andrzej
Współwytwórcy:: Binder, Johannes
Wydawca:: RepOD
Tematy:: Physics
layered materials
transition metal dichalcogenides
epitaxy
metalorganic vapor phase epitaxy
molecular beam epitaxy
Raman spectroscopy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Repozytorium Otwartych Danych

Inne

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Zastosowanie metody DLTS do badania głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych wieloskładnikowych związków AIIIBV
Autorzy:: Kozłowski, R.
Kamiński, P.
Data publikacji:: 1998
Słowa kluczowe:: epitaksja
MOCVD
epitaxy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Wytwarzanie heterostruktur InP/InGaAs metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (MOVPE)
Autorzy:: Jasik, A.
Strupiński, W.
Kosiel, K.
Data publikacji:: 1998
Słowa kluczowe:: MOCVD
epitaksja
epitaxy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: CVD growth of high speed SiGe HBTs using SiH4
Autorzy:: Radamson, H.H.
Grahn, J.
Landgren, G.
Data publikacji:: 2000
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: SiGe
epitaxy
HBT
silane; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: SiGe field effect transistors - performance and applications
Autorzy:: Whall, T.E.
Parker, E.H.C.
Data publikacji:: 2001
Słowa kluczowe:: SiGe
FETs
epitaxy
circuits; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: CVD growth of high speed SiGe HBTs using SiH4
Autorzy:: Radamson, H.H.
Grahn, J.
Landgren, G.
Data publikacji:: 2000
Słowa kluczowe:: SiGe
epitaxy
HBT
silane; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: SiGe field effect transistors - performance and applications
Autorzy:: Whall, T.E.
Parker, E.H.C.
Data publikacji:: 2001
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: SiGe
FETs
epitaxy
circuits; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Using both faces of polar semiconductor wafers for functional devices-data set
Autorzy:: Turski, Henryk
Współwytwórcy:: Turski, Henryk
Data publikacji:: 2024-10-11
Wydawca:: RepOD
Tematy:: Engineering
Physics
epitaxy
GaN; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Repozytorium Otwartych Danych

Inne

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: MOVPE InP based material for millimeter and submillimeter wave generation and amplification
Autorzy:: Strupiński, W.
Kosiel, K.
Jasik, A.
Jakieła, R.
Jeleński, A.
Kollberg, E.
Dillner, L.
Nawaz, M.
Data publikacji:: 2002
Słowa kluczowe:: epitaxy InP
MOVPE
microwave generation; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Harnessing III-Nitride Built-In Field in Multi-Quantum Well LEDs - dataset
Autorzy:: Chlipała, Mikołaj
Turski, Henryk
Współwytwórcy:: Chlipała, Mikołaj
Data publikacji:: 2024-06-14
Wydawca:: RepOD
Tematy:: Physics
Gallium nitride
Molecular beam epitaxy
multiple QW
nitride semiconductors
InGaN quantum wells
epitaxy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Repozytorium Otwartych Danych

Inne

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: MOVPE InP based material for millimeter and submillimeter wave generation and amplification
Autorzy:: Strupiński, W.
Kosiel, K.
Jasik, A.
Jakieła, R.
Jeleński, A.
Kollberg, E.
Dillner, L.
Nawaz, M.
Data publikacji:: 2002
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: epitaxy InP
MOVPE
microwave generation; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: InP nanowires quality control using SEM and Raman spectroscopy
Autorzy:: Grodecki, K.
Dumiszewska, E.
Romaniec, M.
Strupinski, W.
Data publikacji:: 2016
Słowa kluczowe:: Raman spectroscopy
nanowires
epitaxy
InP; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Optimization of p-type contacts to InGaN-based laser diodes and light emitting diodes grown by plasma assisted molecular beam epitaxy
Autorzy:: Nowakowski-Szkudlarek, Krzesimir
Muziol, Grzegorz
Żak, Mikolaj
Hajdel, Mateusz
Siekacz, Marcin
Feduniewicz-Żmuda, Anna
Skierbiszewski, Czesław
Data publikacji:: 2020
Wydawca:: Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:: gallium nitride
molecular beam epitaxy
contacts; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Crystallographic properties of the HgCdTe layers grown by MBE on CdZnTe(211)B substrates
Autorzy:: Rogalska, Iwona
Ruszała, Marta
Grendysa, Jakub
Juś, Anna
Wojnarowska-Nowak, Renata
Marchewka, Michał
Wojtowicz, Tomasz
Data publikacji:: 2025
Słowa kluczowe:: HgCdTe
molecular beam epitaxy
infrared detectors; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: Optimization of p-type contacts to InGaN-based laser diodes and light emitting diodes grown by plasma assisted molecular beam epitaxy
Autorzy:: Nowakowski-Szkudlarek, Krzesimir
Muziol, Grzegorz
Żak, Mikolaj
Hajdel, Mateusz
Siekacz, Marcin
Feduniewicz-Żmuda, Anna
Skierbiszewski, Czesław
Data publikacji:: 2020
Słowa kluczowe:: gallium nitride
molecular beam epitaxy
contacts; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: Optymalizacja procesu epitaksji z fazy ciekłej do zastosowań fotowoltaicznych
Autorzy:: Cieślak, K.
Olchowik, J. M.
Gułkowski, S.
Data publikacji:: 2010
Słowa kluczowe:: ogniwo fotowoltaiczne
warstwa krzemowa
epitaksja z fazy ciekłej
photovoltaic cell
silicon layer
epitaxy
liquid phase epitaxy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: Signal processing for time resolved photoluminescence spectroscopy
Autorzy:: Grodecki, Kacper
Murawski, Krzysztof
Rutkowski, Jarosław
Kowalewski, Andrzej
Sobieski, Jan
Data publikacji:: 2021
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:: epitaxy
HgCdTe
photoluminescence
time-resolved photoluminescence; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: Signal processing for time resolved photoluminescence spectroscopy
Autorzy:: Grodecki, Kacper
Murawski, Kkrzysztor
Rutkowski, Jarosław
Kowalewski, Andrzej
Sobieski, Jan
Data publikacji:: 2021
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:: epitaxy
HgCdTe
photoluminescence
time-resolved photoluminescence; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: Crystallographic properties of the HgCdTe layers grown by MBE on CdZnTe(211)B substrates
Autorzy:: Rogalska, Iwona
Ruszała, Marta
Grendysa, Jakub
Juś, Anna
Wojnarowska-Nowak, Renata
Marchewka, Michał
Wojtowicz, Tomasz
Data publikacji:: 2025
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:: HgCdTe
molecular beam epitaxy
infrared detectors; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: Wpływ parametrów technologicznych na właściwości epitaksjalnych warstw węglowych osadzanych z fazy gazowej na podłożach krzemowych
Autorzy:: Żelazko, J.
Data publikacji:: 2004
Słowa kluczowe:: warstwa węglowa
epitaksja
carbon coating
epitaxy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 21.

Tytuł:: Krzemowe warstwy epitaksjalne do detektorów promieniowania jądrowego
Autorzy:: Nossarzewska-Orłowska, E.
Kozłowski, R.
Brzozowski, A.
Lipiński, D.
Sterczewski, P.
Dobrzański, L.
Cindro, V.
Data publikacji:: 1998
Słowa kluczowe:: krzem
epitaksja
promieniowanie
silicon
epitaxy
radiation; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 22.

Tytuł:: Photoluminescence of HgCdTe nanostructures grown by molecular beam epitaxy on GaAs
Autorzy:: Izhnin, I. I.
Izhnin, A. I.
Mynbaev, K. D.
Bazhenov, N. L.
Shilyaev, A. V.
Mikhailov, N. N.
Varavin, V. S.
Dvoretsky, S. A.
Fitsych, O. I.
Voitsekhovsky, A. V.
Data publikacji:: 2013
Słowa kluczowe:: nanostructures
molecular beam epitaxy
HgCdTe
photoluminescence; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 23.

Tytuł:: A(III)B(V) detectors with graded active region
Autorzy:: Wośko, M.
Paszkiewicz, B.
Szyszka, A.
Macherzyński, W.
Radziewicz, D.
Ściana, B.
Paszkiewicz, R.
Tłaczała, M.
Sęk, G.
Poloczek, P.
Motyka, M.
Misiewicz, J.
Data publikacji:: 2008
Słowa kluczowe:: FGM
photodetector
compositionally graded material
epitaxy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 24.

Tytuł:: Signal processing for time resolved photoluminescence spectroscopy
Autorzy:: Grodecki, Kacper
Murawski, Krzysztof
Rutkowski, Jarosław
Kowalewski, Andrzej
Sobieski, Jan
Data publikacji:: 2021
Słowa kluczowe:: epitaxy
HgCdTe
photoluminescence
time-resolved photoluminescence; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 25.

Tytuł:: Electrical and optical characteristics for the ultra-thin InGaN LED obtained before and after transfer
Autorzy:: Chlipała, Mikołaj
Akritidis, Konstantinos
Iryna Levchenko
Gibasiewicz, Krzysztof
Brstilo, Tara
Billet, Maximilien
Van Dorpe, Pol
Fiuczek, Natalia
Sawicka, Marta
Kuyken, Bart
Turski, Henryk
Współwytwórcy:: Chlipała, Mikołaj
Data publikacji:: 2025-04-04
Wydawca:: RepOD
Tematy:: Engineering
Physics
Gallium nitride
Molecular beam epitaxy
multiple QW
nitride semiconductors
InGaN quantum wells
epitaxy
transfer printig; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Repozytorium Otwartych Danych

Inne

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 26.

Tytuł:: Monolithic silicon E-DeltaE telescope produced by the Quasi-Selective Epitaxy
Autorzy:: Kordyasz, A.
Nossarzewska-Orłowska, E.
Piasecki, E.
Lipiński, D.
Brzozowski, A.
Data publikacji:: 2003
Wydawca:: Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:: monolithic E-DeltaE telescope
quasi-selective epitaxy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 27.

Tytuł:: Falowe struktury laserowe Yb, Nd:YAG/YAG
Autorzy:: Sarnecki, J.
Kopczyński, K.
Data publikacji:: 2002
Słowa kluczowe:: dioda laserowa
laser
epitaksja
laser diode
epitaxy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 28.

Tytuł:: MST News Poland 1996 nr 1
Silicon for MST applications
Autorzy:: Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Współwytwórcy:: Zabierowski Piotr
Data publikacji:: 1996
Wydawca:: Institute of Electronic Materials Technology
Słowa kluczowe:: epitaxy
MST
krzem porowaty
porous silicon
epitaksja; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 29.

Tytuł:: MOVPE Technology of Fe-Compensated InP Layers for the Quantum Cascade Laser Applications
Autorzy:: Badura, Mikołaj
Data publikacji:: 2020
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:: MOVPE technology
optoelectronics
quantum cascade lasers
epitaxy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 30.

Tytuł:: Data for publication: Effective Mg Incorporation in CdMgO Alloy on Quartz Substrate Grown by Plasma-assisted MBE
Autorzy:: Adhikari, Abinash
Współwytwórcy:: Adhikari, Abinash
Wydawca:: RepOD
Tematy:: Physics
oxides
molecular beam epitaxy
ternary alloys; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Repozytorium Otwartych Danych

Inne

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 31.

Tytuł:: MOVPE Technology of Fe-Compensated InP Layers for the Quantum Cascade Laser Applications
Autorzy:: Badura, Mikołaj
Data publikacji:: 2020
Słowa kluczowe:: MOVPE technology
optoelectronics
quantum cascade laser
epitaxy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 32.

Tytuł:: Technologia MOCVD materiałów zawierających antymon na podłóżach GaSb dla zastosowań w optoelektronice
Autorzy:: Wesołowski, M.
Strupiński, W.
Data publikacji:: 2009
Słowa kluczowe:: epitaksja
MOCVD
antymonki
GaSb
InGaSb
epitaxy
antimonides; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 33.

Tytuł:: Monolithic silicon E-DeltaE telescope produced by the Quasi-Selective Epitaxy
Autorzy:: Kordyasz, A.
Nossarzewska-Orłowska, E.
Piasecki, E.
Lipiński, D.
Brzozowski, A.
Data publikacji:: 2003
Słowa kluczowe:: monolithic E-DeltaE telescope
quasi-selective epitaxy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 34.

Tytuł:: Ion milling-assisted study of defect structure of HgCdTe films grown by liquid phase epitaxy
Autorzy:: Izhnin, I. I.
Denisov, I. A.
Smirnova, N. A.
Pociask, M.
Mynbaev, K. D.
Data publikacji:: 2010
Słowa kluczowe:: ion milling
HgCdTe
defects
liquid phase epitaxy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 35.

Tytuł:: Niebieskie, zielone i białe emitery światła wytwarzane z półprzewodników AIII-BN
Autorzy:: Rudziński, M.
Wesołowski, M.
Strupiński, W.
Data publikacji:: 2014
Słowa kluczowe:: epitaksja
dioda elektroluminescencyjna
półprzewodniki
epitaxy
semiconductors
LED; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 36.

Tytuł:: Structural Properties of TaAs Weyl Semimetal Thin Films Grown by Molecular Beam Epitaxy on GaAs(001) Substrates
Autorzy:: Sadowski, Janusz
Domagała, Jarosław Z.
Zajkowska, Wiktoria
Kret, Sławomir
Seredyński, Bartłomiej
Gryglas-Borysiewicz, Marta
Ogorzałek, Zuzanna
Bożek, Rafał
Pacuski, Wojciech
Współwytwórcy:: Pacuski, Wojciech
Wydawca:: RepOD
Tematy:: Physics
Molecular Beam Epitaxy
Weyl Semimetal
Tantalum Arsenide; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Repozytorium Otwartych Danych

Inne

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 37.

Tytuł:: Three-layered composite scintillator based on the epitaxial structures of YAG and LuAG garnets doped with Ce3+ and Sc3+ impurities
Autorzy:: Witkiewicz-Łukaszek, Sandra
Współwytwórcy:: Witkiewicz-Łukaszek, Sandra
Data publikacji:: 2025-01-17
Wydawca:: RepOD
Tematy:: Engineering
Physics
composite scintillators
liquid phase epitaxy
films; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Repozytorium Otwartych Danych

Inne

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 38.

Tytuł:: Nanostructures with Ge–Si quantum dots for infrared photodetectors
Autorzy:: Izhnin, I. I.
Fitsych, O. I.
Voitsekhovskii, A. V.
Kokhanenko, A. P.
Lozovoy, K. A.
Dirko, V. V.
Data publikacji:: 2018
Słowa kluczowe:: molecular beam epitaxy
heterostructures
dark current
noise
detectivity; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 39.

Tytuł:: Silver nanoparticles in isotactic polypropylene. Part II. Molecular modelling of polypropylene chains arrangement on the surface of silver nanoparticles
Autorzy:: Hybiak, D.
Chmielewska, S.
Garbarczyk, J.
Data publikacji:: 2015
Słowa kluczowe:: polymorphism
epitaxy
molecular modelling
polimorfizm
epitaksja
modelowanie molekularne; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 40.

Tytuł:: Optical techniques used for in-situ studies of MBE growth processes
Autorzy:: Herman, M. A.
Data publikacji:: 1999
Słowa kluczowe:: optical characterization techniques
molecular beam epitaxy
surface structures; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 41.

Tytuł:: Epitaxial regrowth of InP/InGaAs heterostructure on patterned, nonplanar substrates
Autorzy:: Kosior, Ł.
Radziewicz, D.
Zborowska-Lindert, I.
Stafiniak, A.
Badura, M.
Ściana, B.
Data publikacji:: 2016
Słowa kluczowe:: epitaxy
MOVPE
patterned substrate
wet etching
mask material; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 42.

Tytuł:: Finite element method simulation of interface evolution during epitaxial growth
Autorzy:: Gulkowski, S.
Olchowik, J. M.
Cieslak, K.
Moskvin, P. P.
Data publikacji:: 2012
Słowa kluczowe:: epitaxial lateral overgrowth
liquid phase epitaxy
computer simulation; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 43.

Tytuł:: Mechanizm spontanicznego zarodkowania i wzrostu techniką MBE oraz właściwości nanodrutów GaN
Autorzy:: Sobańska, M.
Wierzbicka, A.
Kłosek, K.
Tchutchulashvili, G.
Borysiuk, J.
Żytkiewicz, Z. R.
Data publikacji:: 2016
Słowa kluczowe:: plasma-assisted molecular beam epitaxy
PAMBE
technika RHEED; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 44.

Tytuł:: Silver nanoparticles in isotactic polypropylene. Part II. Molecular modelling of polypropylene chains arrangement on the surface of silver nanoparticles
Nanocząstki srebra w izotaktycznym polipropylenie. Cz. II. Modelowanie ułożenia łańcuchów polipropylenu na powierzchni nanocząstek srebra
Autorzy:: Hybiak, D.
Chmielewska, S.
Garbarczyk, J.
Data publikacji:: 2015
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Chemii Przemysłowej
Tematy:: polymorphism
epitaxy
molecular modelling
polimorfizm
epitaksja
modelowanie molekularne; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 45.

Tytuł:: Optimization of MBE-grown GaSb buffer on GaAs substrates for infrared detectors
Autorzy:: Jarosz, Dawid
Bobko, Ewa
Trzyna-Sowa, Małgorzata
Przeździecka, Ewa
Stachowicz, Marcin
Ruszała, Marta
Krzemiński, Piotr
Juś, Anna
Maś, Kinga
Wojnarowska-Nowak, Renata
Nowak, Oskar
Gudyka, Daria
Tabor, Brajan
Marchewka, Michał
Data publikacji:: 2024
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:: gallium arsenide
gallium antimonide
molecular beam epitaxy
heteroepitaxy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 46.

Tytuł:: Epitaksja warstw GaSb, InGaSb oraz InGaAsSb na podłożach GaSb metodą MOCVD
Autorzy:: Wesołowski, M.
Strupiński, W.
Data publikacji:: 2010
Słowa kluczowe:: epitaksja
MOCVD
antymonki
GaSb
InGaSb
InGaAsSb
epitaxy
antimonides; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 47.

Tytuł:: Podłoża alternatywne stosowane w epitaksji azotku galu
Autorzy:: Korbutowicz, R.
Dumiszewska, E.
Grabowska, J.
Data publikacji:: 2003
Słowa kluczowe:: podłoża
azotek galu
epitaksja
substrate
gallium nitride
epitaxy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 48.

Tytuł:: High power quantum cascade lasers grown by GasMBE
Autorzy:: Razeghi, M.
Slivken, S.
Data publikacji:: 2003
Słowa kluczowe:: quantum cascade laser
high power
molecular beam epitaxy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 49.

Tytuł:: MBE-grown MCT hetero- and nanostructures for IR and THz detectors
Autorzy:: Dvoretsky, S. A.
Mikhailov, N. N.
Remesnik, V. G.
Sidorov, Y. G.
Shvets, V. A.
Ikusov, D. G.
Varavin, V. S.
Yakushev, M. V.
Gumenjuk-Sichevska, J. V.
Golenkov, A. G.
Lysiuk, I. O.
Tsybrii, Z. F.
Shevchik-Shekera, A. V.
Sizov, F. F.
Latyshev, A. V.
Aseev, A. L.
Data publikacji:: 2019
Słowa kluczowe:: growth
HgCdTe
molecular-beam epitaxy
detector
infrared
terahertz; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 50.

Tytuł:: Optimization of MBE-grown GaSb buffer on GaAs substrates for infrared detectors
Autorzy:: Jarosz, Dawid
Bobko, Ewa
Trzyna-Sowa, Małgorzata
Przeździecka, Ewa
Stachowicz, Marcin
Ruszała, Marta
Krzemiński, Piotr
Juś, Anna
Maś, Kinga
Wojnarowska-Nowak, Renata
Nowak, Oskar
Gudyka, Daria
Tabor, Brajan
Marchewka, Michał
Data publikacji:: 2024
Słowa kluczowe:: gallium arsenide
gallium antimonide
molecular beam epitaxy
heteroepitaxy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 51.

Tytuł:: Wielozłączowe ogniwa słoneczne
Autorzy:: Dumiszewska, E.
Knyps, P.
Wesołowski, M.
Strupiński, W.
Data publikacji:: 2014
Słowa kluczowe:: ogniwa słoneczne
epitaksja
fotowoltaika
solar cell
epitaxy
photovoltaics; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 52.

Tytuł:: Nanodruty InP do zastosowań w fotowoltaice
Autorzy:: Dumiszewska, E.
Grodecki, K.
Krajewska, A.
Jóźwik, I.
Strupiński, W.
Data publikacji:: 2015
Słowa kluczowe:: epitaksja
nanodruty
InP
ogniwa słoneczne
epitaxy
nanowiwires
solar cell; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 53.

Tytuł:: Heterostructures with self-organized quantum dots of Ge on Si for optoelectronic devices
Autorzy:: Lozovoy, K. A.
Voytsekhovskiy, A. V.
Kokhanenko, A. P.
Satdarov, V. G.
Pchelyakov, O. P.
Nikiforov, A. I.
Data publikacji:: 2014
Słowa kluczowe:: Hut-clusters
segregation
multilayer structures
photodetectors
molecular beam epitaxy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 54.

Tytuł:: The influence of quantum well and barrier thicknesses on photoluminescence spectra of InGaAs/AlInAs superlattices grown by LP-MOVPE
Autorzy:: Łozińska, Adriana
Badura, Mikołaj
Bielak, Katarzyna
Ściana, Beata
Tłaczała, Marek
Data publikacji:: 2020
Słowa kluczowe:: photoluminescence
quantum cascade laser
MOVPE
metalorganic vapour phase epitaxy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 55.

Tytuł:: Concept of epitaxial silicon structures for edge illuminated solar cells
Autorzy:: Sarnecki, J.
Gawlik, G.
Teodorczyk, M.
Jeremiasz, O.
Kozłowski, R.
Lipiński, D.
Krzyżak, K.
Brzozowski, A.
Data publikacji:: 2011
Słowa kluczowe:: silicon epitaxy
solar cell
edge illuminated
silicon solar cell; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 56.

Tytuł:: Nanodruty InP do zastosowań w fotowoltaice
InP nanowires for photovoltaic applications
Autorzy:: Dumiszewska, E.
Grodecki, K.
Krajewska, A.
Jóźwik, I.
Strupiński, W.
Data publikacji:: 2015
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:: epitaksja
nanodruty
InP
ogniwa słoneczne
epitaxy
nanowiwires
solar cell; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 57.

Tytuł:: The influence of quantum well and barrier thicknesses on photoluminescence spectra of InGaAs/AlInAs superlattices grown by LP-MOVPE
Autorzy:: Łozińska, Adriana
Badura, Mikołaj
Bielak, Katarzyna
Ściana, Beata
Tłaczała, Marek
Data publikacji:: 2020
Wydawca:: Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:: photoluminescence
quantum cascade lasers
MOVPE
metalorganic vapour phase epitaxy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 58.

Tytuł:: InP nanowires for photovoltaic applications
Nanodruty InP do zastosowań w fotowoltaice
Materiały Elektroniczne. T. 43 Nr 4
Electronic Materials Vol. 43 Issue 4
Autorzy:: Dumiszewska Ewa
Współwytwórcy:: Jóźwik Iwona
Strupiński Włodzimierz
Krajewska Aleksandra
Grodecki Kacper
Data publikacji:: 2015
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: solar cell
InP
nanowires
Nanidorus
epitaxy
epitaksja
ogniwa słoneczne; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 59.

Tytuł:: Competition between built-in polarization and p–n junction field in III-nitride heterostructures-data set
Autorzy:: Turski, Henryk
Chlipala, Mikolaj
Zdanowicz, Ewelina
Rogowicz, Ernest
Muziol, Grzegorz
Moneta, Joanna
Grzanka, Szymon
Krysko, Marcin
Syperek, Marcin
Kudrawiec, Robert
Skierbiszewski, Czeslaw
Współwytwórcy:: Turski, Henryk
Data publikacji:: 2024-07-15
Wydawca:: RepOD
Tematy:: Engineering
Physics
Gallium nitride
Molecular beam epitaxy
quantum wells; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Repozytorium Otwartych Danych

Inne

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 60.

Tytuł:: Badanie powierzchni monokryształów tlenkowych, jej modyfikacja pod kątem zastosowania w epitaksji cienkich warstw
Autorzy:: Sakowska, H.
Data publikacji:: 2001
Słowa kluczowe:: monokryształ
cienka warstwa
epitaksja
single crystal
thin film
epitaxy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 61.

Tytuł:: Zastosowanie technologii MOCVD w dziedzinie laserów antymonkowych z heterozłączem I-go rodzaju
Autorzy:: Wesołowski, M.
Strupiński, W.
Pruszyńska-Karbownik, E.
Motyka, M.
Sęk, G.
Wójcik-Jedlińska, A.
Pierściński, K.
Pierścińska, D.
Data publikacji:: 2011
Słowa kluczowe:: laser
epitaksja
MOCVD
antymonki
GaSb
InGaAsSb
AlGaAsSb
epitaxy
antimonides; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 62.

Tytuł:: Some problems of molecular beam epitaxy growth of epitaxial structures of semiconductor lasers for a 980 nm band
Autorzy:: Kosmala, M.
Regiński, K.
Kosiel, K.
Data publikacji:: 2005
Słowa kluczowe:: InGaAs quantum-well lasers
molecular beam epitaxy
optical pyrometry; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 63.

Tytuł:: Defects in HgCdTe grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrates
Autorzy:: Izhnin, I. I.
Izhnin, A. I.
Savytskyy, H. V.
Fitsych, O. I.
Mikhailov, N. N.
Varavin, V. S.
Dvoretsky, S. A.
Sidorov, Y. G.
Mynbaev, K. D.
Data publikacji:: 2012
Słowa kluczowe:: molecular beam epitaxy
HgCdTe
ion milling
defects
GaAs substrate; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 64.

Tytuł:: Reciprocal lattice mapping of InGaAs layers grown on InP (001) and GaAs (001) substrates
Autorzy:: Bąk-Misiuk, J.
Kaniewski, J.
Domagała, J.
Regiński, K.
Adamczewska, J.
Trela, J.
Data publikacji:: 1999
Słowa kluczowe:: InGaAs
molecular beam epitaxy
X-ray diffraction
diffuse scattering; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 65.

Tytuł:: Scintillation properties of multilayered composite scintillators based on the YAG:Ce and TbAG:Ce single crystalline films and GAGG:Ce crystal substrates
Autorzy:: Syrotych, Yurii
Gorbenko, Vitalii
Witkiewicz-Łukaszek, Sandra
Zorenko, Tetiana
Kaczmarek, Mariusz
Pejchal, Jan
Mareš, Jiří A.
Kučerková, Romana
Nikl, Martin
Kamada, Kei
Yoshikawa, Akira
Zorenko, Yuriy
Współwytwórcy:: Syrotych, Yurii
Data publikacji:: 2025-01-22
Wydawca:: RepOD
Tematy:: Physics
Liquid phase epitaxy
single crystalline film
composite scintillator; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Repozytorium Otwartych Danych

Inne

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 66.

Tytuł:: A model for changing the technological process for the growth of epitaxial layers by means of the heating of the growth zone
Autorzy:: Pankratov, Evgeny L.
Data publikacji:: 2021
Wydawca:: Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Wydawnictwo AGH
Tematy:: epitaxy
gas phase
improvement of properties
film
analytical approach
modeling; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 67.

Tytuł:: Role of Metallic Adlayer in Limiting Ge Incorporation into GaN - dataset
Autorzy:: Turski, Henryk
Wolny, Pawel
Chlipala, Mikolaj
Sawicka, Marta
Reszka, Anna
Kempisty, Pawel
Konczewicz, Leszek
Muziol, Grzegorz
Siekacz, Marcin
Skierbiszewski, Czeslaw
Współwytwórcy:: Kempisty, Paweł
Wydawca:: RepOD
Tematy:: Physics
Gallium nitride
Molecular beam epitaxy
Semiconductor doping
Germanium
Indium; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Repozytorium Otwartych Danych

Inne

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 68.

Tytuł:: Single vanadium ion magnetic dopant in an individual CdTe/ZnTe quantum dot
Autorzy:: Połczyńska, Karolina
Współwytwórcy:: Połczyńska, Karolina
Data publikacji:: 2025-03-26
Wydawca:: RepOD
Tematy:: Physics
magnetic dopants
solotronics
molecular beam epitaxy
vanadium
quantum dot; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Repozytorium Otwartych Danych

Inne

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 69.

Tytuł:: Epitaksja MOVPE azotków III grupy układu okresowego - główne problemy technologiczne
Autorzy:: Dumiszewska, E.
Lenkiewicz, D.
Strupiński, W.
Jasik, A.
Jakieła, R.
Data publikacji:: 2003
Słowa kluczowe:: epitaksja
optoelektronika
azotek
krzem
gal
epitaxy
optoelectronics
nitride
silicon
gallium; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 70.

Tytuł:: All-BN Distributed Bragg Reflectors Fabricated in a Single MOCVD Process
Autorzy:: Ciesielski, Arkadiusz
Iwański, Jakub
Wróbel, Piotr
Bożek, Rafał
Kret, Sławomir
Turczyński, Jakub
Binder, Johannes
Korona, Krzysztof
Stępniewski, Roman
Wysmołek, Andrzej
Współwytwórcy:: Binder, Johannes
Wydawca:: RepOD
Tematy:: Physics
Bragg Mirror
Boron nitride
MOCVD
Epitaxy
porosity
hBN
DBR; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Repozytorium Otwartych Danych

Inne

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 71.

Tytuł:: Alloying hBN with aluminum influences absorption and electronic properties
Autorzy:: Iwański, Jakub
Współwytwórcy:: Iwański, Jakub
Data publikacji:: 2025-01-31
Wydawca:: RepOD
Tematy:: Physics
BAlN alloy
hBN, epitaxy
MOVPE
bandgap manipulation
excitonic absorption; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Repozytorium Otwartych Danych

Inne

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 72.

Tytuł:: New Approach to the Determination of Phase Equilibrium in the Zn-Te System
Autorzy:: Moskvin, P.
Olchowik, J.
Olchowik, G.
Zdyb, A.
Gulkowski, S.
Sadowski, W.
Data publikacji:: 2011
Słowa kluczowe:: phase equilibria
solubility
liquid phase epitaxy
II-VI semiconductor compound; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 73.

Tytuł:: A model for changing the technological process for the growth of epitaxial layers by means of the heating of the growth zone
Autorzy:: Pankratov, Evgeny L.
Data publikacji:: 2021
Słowa kluczowe:: epitaxy
gas phase
improvement of properties
film
analytical approach
modeling; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 74.

Tytuł:: Low-temperature growth of InAs/GaSb superlattices on miscut GaAs substrates for mid-wave infrared detectors
Autorzy:: Martyniuk, Piotr
Benyahia, Djalal
Data publikacji:: 2023
Słowa kluczowe:: molecular beam epitaxy
superlattice
X-ray diffraction
III-V semiconductor; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 75.

Tytuł:: New approach to the determination of phase equilibrium in the Zn-Te system
Autorzy:: Moskvin, P.
Olchowik, J.
Olchowik, G.
Zdyb, A.
Gulkowski, S.
Sadowski, W.
Data publikacji:: 2011
Wydawca:: Politechnika Gdańska
Tematy:: phase equilibria
solubility
liquid phase epitaxy
II-VI semiconductor compound; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 76.

Tytuł:: Polyassociative model of A2B6 semiconductor melt and p-T-x phase equilibria in Zn-Cd-Te system
Autorzy:: Moskvin, P.
Antonov, M.
Olchowik, G.
Olchowik, J.
Zdyb, A.
Gulkowski, S.
Sadowski, W.
Data publikacji:: 2011
Wydawca:: Politechnika Gdańska
Tematy:: phase equilibria
solubility
liquid phase epitaxy
semiconducting II-VI materials; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 77.

Tytuł:: Low-temperature growth of InAs/GaSb superlattices on miscut GaAs substrates for mid-wave infrared detectors
Autorzy:: Martyniuk, Piotr
Benyahia, Djalal
Data publikacji:: 2023
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:: molecular beam epitaxy
superlattice
X-ray diffraction
III-V semiconductor; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 78.

Tytuł:: Influence of dielectric coverage on photovoltaic conversion of silicon solar cells obtained by epitaxial lateral overgrowth
Autorzy:: Cieslak, K.
Gulkowski, S.
Olchowik, J. M.
Data publikacji:: 2012
Słowa kluczowe:: liquid phase epitaxy
thin film solar cells
epitaxial lateral overgrowth; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 79.

Tytuł:: Etching and ellipsometry studies on CL-VPE grown GaN epilayer
Autorzy:: Puviarasu, P.
Data publikacji:: 2017
Słowa kluczowe:: gallium nitride
vapor phase epitaxy
acid etching
optical microscope
ellipsometry; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 80.

Tytuł:: Strain in epitaxial laterally overgrown structures
Autorzy:: Zytkiewicz, Z. R.
Data publikacji:: 2001
Słowa kluczowe:: epitaxial lateral overgrowth
lattice mismatched epitaxial structures
liquid phase epitaxy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 81.

Tytuł:: Charakterystyki mocy lasera VECSEL w funkcji relaksacji sieci krystalicznej
Autorzy:: Jasik, A.
Sankowska, I.
Broda, A.
Kubacka-Traczyk, J.
Trajnerowicz, A.
Wójcik-Jedlińska, A.
Muszalski, J.
Wasiak, M.
Sokół, A.
Data publikacji:: 2015
Słowa kluczowe:: VECSEL
epitaksja MBE
relaksacja sieci
MDS
MBE epitaxy
strain relaxation; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 82.

Tytuł:: Polyassociative Model of A2B6 Semiconductor Melt and p-T-x Phase Equilibria in Zn-Cd-Te System
Autorzy:: Moskvin, P.
Antonov, M.
Olchowik, G.
Olchowik, J.
Zdyb, A.
Gulkowski, S.
Sadowski, W.
Data publikacji:: 2011
Słowa kluczowe:: phase equilibria
solubility
liquid phase epitaxy
semiconducting II-VI materials; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 83.

Tytuł:: Badanie procesu wzrostu cienkich warstw Au na podłożu Ge (001)
Growth of Au layers on germanium (001)
Autorzy:: Kwiatek, Natalia
Słowa kluczowe:: epitaksja, monowarstwy, dyfuzja, samoorganizacja, wygrzewanie
epitaxy, monolayers, diffusion, self-assembly, annealing; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Repozytorium Uniwersytetu Jagiellońskiego

Inne

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 84.

Tytuł:: Thermal instability of gold thin films
Autorzy:: Sobańska, Marta
Współwytwórcy:: Sobańska, Marta
Data publikacji:: 2024-08-01
Wydawca:: RepOD
Tematy:: Physics
thin films
molecular beam epitaxy
dewetting
thermal disintegration
gold nanostructures; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Repozytorium Otwartych Danych

Inne

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 85.

Tytuł:: Technologia wytwarzania krzemowych warstw lateralnych dla zastosowań PV
Autorzy:: Jóźwik, I.
Olchowik, J. M.
Data publikacji:: 2006
Słowa kluczowe:: warstwy krzemowe
epitaksja z fazy ciekłej
silicon layers
liquid phase epitaxy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 86.

Tytuł:: Raman scattering of ZnO films prepared by the laser molecular beam epitaxy
Autorzy:: Wang, C.
Chen, Z.
He, Y.
Li, L.
Zhang, D.
Data publikacji:: 2010
Słowa kluczowe:: Raman scattering
X-ray diffraction
ZnO films
laser molecular beam epitaxy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 87.

Tytuł:: Tutorial on epitaxy of semiconductor materials
Autorzy:: Pucicki, D.
Ściana, B.
Bielak, K.
Data publikacji:: 2013
Słowa kluczowe:: epitaksja
związki półprzewodnikowe
mody wzrostu
epitaxy
semiconductor compounds
modes of growth; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 88.

Tytuł:: Krzemowe struktury epitaksjalne dla krawędziowych ogniw słonecznych
Autorzy:: Sarnecki, J.
Kozłowski, R.
Teodorczyk, M.
Gawlik, G.
Jeremiasz, O.
Lipiński, D.
Brzozowski, A.
Krzyżak, K.
Data publikacji:: 2010
Słowa kluczowe:: krawędziowe ogniwo słoneczne
epitaksja krzemu
edge illuminated solar cell
silicon epitaxy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 89.

Tytuł:: Narrow spectral band monolithic lead-chalcogenide-on-Si mid-IR photodetectors
Autorzy:: Zogg, H.
Arnold, M.
Data publikacji:: 2006
Słowa kluczowe:: infrared sensors
resonant cavity
lead-chalcogenides
molecular beam epitaxy
silicon substrates; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 90.

Tytuł:: Control of ferromagnetism in Cd1-xMnxTe quantum wells
Autorzy:: Tatarenko, S.
Bertolini, M.
Maslana, W.
Boukari, H.
Gilles, B.
Cibert, J.
Ferrand, D.
Kossacki, P.
Gaj, J. A.
Data publikacji:: 2003
Słowa kluczowe:: molecular beam epitaxy
quantum wells
magnetic materials
semiconducting II-VI materials; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 91.

Tytuł:: A novel approach to increase emission wavelength of InAs/GaAs quantum dots by using a quaternary capping layer
Autorzy:: Chowdhury, S.
Adhikary, S.
Halder, N.
Chakrabarti, S.
Data publikacji:: 2010
Słowa kluczowe:: semiconductor quantum dots
molecular beam epitaxy
transmission electron microscopy
photoluminescence
dislocations; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 92.

Tytuł:: Multi-step interrupted-growth MBE technology for GaAs/AlGaAs (~9.4 µm) room temperature operating quantum-cascade lasers
Autorzy:: Kosiel, K.
Kubacka-Traczyk, J.
Sankowska, I.
Szerling, A.
Gutowski, P.
Bugajski, M.
Data publikacji:: 2012
Słowa kluczowe:: intersubband
molecular beam epitaxy
semiconducting III-V materials
quantum cascade laser; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 93.

Tytuł:: Półprzewodnikowe lasery dyskowe - korzyści z inżynierii przerwy wzbronionej
Autorzy:: Muszalski, J.
Broda, A.
Jasik, A.
Wójcik-Jedlińska, A.
Sankowska, I.
Kubacka-Traczyk, J.
Trajnerowicz, A.
Data publikacji:: 2015
Słowa kluczowe:: laser półprzewodnikowy
laser dyskowy
VECSEL
epitaksja
semiconductor laser
disc laser
epitaxy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 94.

Tytuł:: On changing the properties of a multilayer structure by preliminary processing of a substrate
Autorzy:: Pankratov, Evgeny L.
Data publikacji:: 2022
Wydawca:: Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Wydawnictwo AGH
Tematy:: gas phase epitaxy
improvement of properties of films
analytical approach for modeling; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 95.

Tytuł:: Charakteryzacja warstw epitaksjalnych z tellurku kadmowo-rtęciowego (Hg1-XCdXTe) za pomocą wykonanych fotodiod
Autorzy:: Królicka, A.
Data publikacji:: 2011
Słowa kluczowe:: epitaksja
MOCYD
detektor podczerwieni
fotodetektor
fotodioda
epitaxy
MOCVD
infrared detector
photodetector
photodiode; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 96.

Tytuł:: Influence of the Annealing Temperature on the Properties of {ZnO/CdO}30 Superlattices Deposited on c-Plane Al2O3 Substrate by MBE
Autorzy:: Lysak, Anastasiia
Aleksandra Wierzbicka
Piotr Dluzewski
Marcin Stachowicz
Jacek Sajkowski
Ewa Przezdziecka
Współwytwórcy:: Lysak, Anastasiia
Data publikacji:: 2025-02-06
Wydawca:: RepOD
Tematy:: Physics
superlattices
oxides semiconductors
molecular beam epitaxy
annealing
X-ray analysis
photoluminescence; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Repozytorium Otwartych Danych

Inne

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 97.

Tytuł:: Technology and properties of low-pressure metalorganic vapour phase epitaxy grown InGaAs/AlInAs superlattice for quantum cascade laser applications
Autorzy:: Badura, M.
Bielak, K.
Ściana, B.
Radziewicz, D.
Pucicki, D.
Dawidowski, W.
Żelazna, K.
Kudrawiec, R.
Tłaczała, M.
Data publikacji:: 2016
Słowa kluczowe:: InGaAs
AlInAs
superlattice
metalorganic vapour phase epitaxy
MOVPE
quantum cascade laser
QCL; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 98.

Tytuł:: Status of HgCdTe photodiodes at the Military University of Technology
Autorzy:: Kubiak, L.
Madejczyk, P.
Wenus, J.
Gawron, W.
Jóźwikowski, K.
Rutkowski, J.
Rogalski, A.
Data publikacji:: 2003
Słowa kluczowe:: liquid epitaxy
HgCdTe photodiodes
multi-junction photodiodes
heterostructure photodiodes
dual-band detectors; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 99.

Tytuł:: On changing the properties of a multilayer structure by preliminary processing of a substrate
Autorzy:: Pankratov, Evgeny L.
Data publikacji:: 2022
Słowa kluczowe:: gas phase epitaxy
improvement of properties of films
analytical approach for modeling; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 100.

Tytuł:: Epitaksja węglika krzemu metodą CVD
Autorzy:: Strupiński, W.
Kościewicz, K.
Wesołowski, M.
Data publikacji:: 2008
Słowa kluczowe:: SiC
węglik krzemu
epitaksja
CVD
warstwy epitaksjalne
silicon carbide
epitaxy
epitaxial layers; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę "Epitaxy" wg kryterium: Temat