Temat: GaN LED - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Optical and electrical characterization of reverse bias luminescence in InGaN light emitting diodes
Autorzy:: Chen, H.
Kao, C. H.
Lu, T. C.
Shei, S. C.
Data publikacji:: 2011
Słowa kluczowe:: GaN LED
electroluminescence
reverse-bias
leakage current
hot carrier; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Modelowanie zjawisk elektryczno-cieplnych w ultrafioletowej diodzie elektroluminescencyjnej
Autorzy:: Sarzała, R. P.
Kuc, M.
Sokół, A. K.
Wasiak, M.
Kruszka, R.
Gołaszewska, K.
Data publikacji:: 2013
Słowa kluczowe:: przyrządy półprzewodnikowe
diody LED
modelowanie
GaN
ultrafiolet
semiconductor devices
LED
computer simulation
ultraviolet; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Optimisation of LT-GaN nucleation layer growth conditions for the improvement of electrical and optical parameters of GaN layers
Autorzy:: Wośko, Mateusz
Data publikacji:: 2019
Słowa kluczowe:: GaN
nucleation
recrystallization
metalorganic chemical vapor deposition
nitrides
LED
MSM
MESFET devices; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Optimisation of LT-GaN nucleation layer growth conditions for the improvement of electrical and optical parameters of GaN layers
Autorzy:: Wośko, Mateusz
Data publikacji:: 2019
Wydawca:: Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:: GaN
nucleation
recrystallization
metalorganic chemical vapor deposition
nitrides
LED
MSM
MESFET devices; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Modelowanie zjawiska spadku sprawności dla dużych gęstości prądów w diodach elektroluminescencyjnych z azotków
Modeling of efficiency droop effect in GaN leds
Autorzy:: Cegielski, T.
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:: oświetlenie
elektroliminescencja
LED
GaN
InGaN
wewnetrzna sprawność kwantowa
studnia kwantowa
rekombinacja
spadek sprawności
solid state lighting
internal quantum efficiency
quantum well
recombination
efficiency droop; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Modelowanie zjawiska spadku sprawności dla dużych gęstości prądów w diodach elektroluminescencyjnych z azotków
Autorzy:: Cegielski, T.
Data publikacji:: 2012
Słowa kluczowe:: oświetlenie
elektroliminescencja
LED
GaN
InGaN
wewnetrzna sprawność kwantowa
studnia kwantowa
rekombinacja
spadek sprawności
solid state lighting
internal quantum efficiency
quantum well
recombination
efficiency droop; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Informacja