Temat: transistor model - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Analiza porównawcza właściwości modeli tranzystorów IGBT w symulatorach środowiska SPICE
Autorzy:: Pawelski, W.
Data publikacji:: 2000
Słowa kluczowe:: tranzystor IGBT
modele tranzystorów
środowisko SPICE
MOSFET
BJT
IGBT transistor
transistor model
SPICE environment; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Advanced compact modeling of the deep submicron technologies
Autorzy:: Grabiński, W.
Bucher, M.
Sallese, J.-M.
Krummenacher, F.
Data publikacji:: 2000
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: ultra deep submicron (UDSM) technology
compact modeling
EKV MOS transistor model
MOSFET
matching
low power
RF applications; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Advanced compact modeling of the deep submicron technologies
Autorzy:: Grabiński, W.
Bucher, M.
Sallese, J.-M.
Krummenacher, F.
Data publikacji:: 2000
Słowa kluczowe:: ultra deep submicron (UDSM) technology
compact modeling
EKV MOS transistor model
MOSFET
matching
low power
RF applications; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Simulation studies on efficiency improvement in isolated full-bridge DC-DC converter using modern power semiconductors
Autorzy:: Krupa, A.
Data publikacji:: 2012
Słowa kluczowe:: full-bridge DC-DC converter
semiconductor
MOSFET transistor
PSpice model; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Complex fourier series mathematical model of a universal motor supplied by an IGBT transistor
Autorzy:: Záskalický, P.
Kaňuch, J.
Data publikacji:: 2012
Słowa kluczowe:: model matematyczny
silnik uniwersalny
tranzystory IGBT
IGBT transistor
universal motor
mathematical models; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Complex fourier series mathematical model of a universal motor supplied by an igbt transistor
Model matematyczny silnika uniwersalnego zasilanego poprzez tranzystor IGBT przy wykorzystaniu zespolonych szeregów Fouriera
Autorzy:: Záskalický, P.
Kaňuch, J.
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Napędów i Maszyn Elektrycznych Komel
Tematy:: model matematyczny
silnik uniwersalny
tranzystory IGBT
IGBT transistor
universal motor
mathematical models; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Analiza strat przekształtnika napięcia z tranzystorami SiC MOSFET
Autorzy:: Nowak, Marcjan
Barasiński, Adrian
Data publikacji:: 2025
Słowa kluczowe:: model symulacyjny
przekształtnik
straty mocy
tranzystor SiC MOSFET
simulation model
power converter
power losses
SiC MOSFET transistor; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Application of the Averaged Model of the Diode-transistor Switch for Modelling Characteristics of a Boost Converter with an IGBT
Autorzy:: Górecki, Paweł
Data publikacji:: 2020
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:: DC-DC converter
IGBT
boost converter
averaged model
diode-transistor switch
modelling
SPICE; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Application of the Averaged Model of the Diode-transistor Switch for Modelling Characteristics of a Boost Converter with an IGBT
Autorzy:: Górecki, Paweł
Data publikacji:: 2020
Słowa kluczowe:: DC-DC converter
IGBT
boost converter
averaged model
diode-transistor switch
modelling
SPICE; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Wykorzystanie metody Neldera-Meada do identyfikacji wartości parametrów niequasi-statycznego modelu małosygnałowego tranzystora MOS
Autorzy:: Trofimowicz, D.
Kordalski, W.
Data publikacji:: 2015
Słowa kluczowe:: metoda Neldera-Meada
tranzystor MOS
model małosygnałowy
Nelder-Mead simplex method
small-signal models
transistor; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Variation Analysis of CMOS Technologies Using Surface-Potential MOSFET Model
Autorzy:: Mattausch, H. J.
Yumisaki, A.
Sadachika, N.
Kaya, A.
Johguchi, K.
Koide, T.
Miura-Mattausch, M.
Data publikacji:: 2009
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: compact model
fabrication inaccuracy
field-effect transistor
macroscopic
microscopic
potential at channel surface
silicon
within wafer; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: Variation Analysis of CMOS Technologies Using Surface-Potential MOSFET Model
Autorzy:: Mattausch, H. J.
Yumisaki, A.
Sadachika, N.
Kaya, A.
Johguchi, K.
Koide,T.
Miura-Mattausch, M.
Data publikacji:: 2009
Słowa kluczowe:: compact model
fabrication inaccuracy
field-effect transistor
macroscopic
microscopic
potential at channel surface
silicon
within wafer; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Analog Circuits Sizing Using the Fixed Point Iteration Algorithm with Transistor Compact Models
Autorzy:: Javid, F.
Iskander, R.
Durbin, F.
Louerat, M.-M.
Data publikacji:: 2012
Słowa kluczowe:: IP analogowe
graf dwudzielny
model tranzystora
migracja technologii
analog IP
analog sizing
design reuse
bipartite graphs
transistor compact models
technology migration; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Analog Circuits Sizing Using the Fixed Point Iteration Algorithm with Transistor Compact Models
Autorzy:: Javid, F.
Iskander, R.
Durbin, F.
Louerat, M.-M.
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:: IP analogowe
design reuse
graf dwudzielny
model tranzystora
migracja technologii
analog IP
analog sizing
bipartite graphs
transistor compact models
technology migration; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: MOSFET parameter extraction with EKV model
Autorzy:: Bartnik, Ł.
Arabas, J.
Data publikacji:: 2009
Słowa kluczowe:: tranzystor polowy typu metal-tlenek-półprzewodnik
tranzystor polowy MOS
model EKV
algorytm ewolucyjny
obliczenia ewolucyjne
Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors
MOSFET
MOS transistor
EKV model
evolutionary algorithm
EA
evolutionary computation; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: Moje Układy Elektroniczne, czyli : od Stołpców po Warszawę
Autorzy:: Baranowski, J. H.
Data publikacji:: 2009
Słowa kluczowe:: układy elektroniczne
układy impulsowe
szybkie układy impulsowe
tranzystor lawinowy
dioda ładunkowa
model diody ładunkowej
sekcyjne modele ładunkowe
synchroskop próbkujący
electronic circuits
pulse circuits
fast pulse circuits
avalanche transistor
charge diode
step recovery diode
SRD
model of SRD
charge-section models
sampling oscilloscopes; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę "transistor model" wg kryterium: Temat