Wszystkie pola: Strzelecka, Stanisława

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Centra defektowe w warstwach epitaksjalnych GaAs0.6P0.4
Centra defektowe w warstwach epitaksjalnych GaAs0.6P0.4 = Defect centers in GaAs0,6P0,4 epitaxial layers
Materiały Elektroniczne 1985 nr 2(50)
Autorzy:: Kamiński Paweł
Współwytwórcy:: Strzelecka, Stanisława.
Surma Barbara
Strzelecka Stanisława
Data publikacji:: 1985
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: warstwa epitaksjalna
GaAsP
Elektronika - czasopismo - materiały
Materiały elektroniczne
Electronic materials
epitaxial layers
Electronic - journal - material
defect center; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1986 nr 1(53)
Badanie niejednorodności w bezdyslokacyjnych monokryształach krzemu po transmutacji neutronowej
Badanie niejednorodności w bezdyslokacyjnych monokryształach krzemu po transmutacji neutronowej = The investigation of heterogeneities in neutron transmulated silicon single crystals
Autorzy:: Pawłowska Marta
Współwytwórcy:: Bukowski Andrzej
Strzelecka Stanisława
Data publikacji:: 1986
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: Si
single crystal
Elektronika - czasopismo - materiały
NTD
kryształ bezdyslokacyjny
Materiały elektroniczne
Electronic materials
silicon doping
Electronic - journal - material; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1980 nr 3/4(31/32)
Wpływ domieszkowania na własności elektryczne i termoelektryczne tellurku ołowiu (PbTe) = The influence of doping on the electrical and thermoelectrical properties of PbTe
Wpływ domieszkowania na własności elektryczne i termoelektryczne tellurku ołowiu (PbTe)
Autorzy:: Wilczyński Sławomir
Współwytwórcy:: Hruban Andzrej
Strzelecka Stanisława
Data publikacji:: 1981
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: PbTe
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
własności termoelektryczne
thermoelectrical properties
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Określenie parametrów elektrycznych epitaksjalnych warstw arsenofosforku galu osadzonych na podłożach GaAs
Materiały Elektroniczne 1977 nr 4(20)
Określenie parametrów elektrycznych epitaksjalnych warstw arsenofosforku galu osadzonych na podłożach GaAs = Determination of electrical properties for epitaxial GaAs1-P on the GaAs substrates
Autorzy:: Kot Waldemar
Współwytwórcy:: Nowysz Karol
Strzelecka Stanisława
Data publikacji:: 1977
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: warstwa epitaksjalna
GaAsP
epitaxial layer
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
electrical parameter
parametr elektryczny
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1985 nr 3(51)
Określanie stopnia kompensacji w Si : P na podstawie temperaturowej zależności koncentracji elektronów = Compensation ratio determination for Si:P based on electron concentration temperature dependence
Materiały Elektroniczne 3(51)/1985
Określanie stopnia kompensacji w Si : P na podstawie temperaturowej zależności koncentracji elektronów
Autorzy:: Kot Waldemar
Współwytwórcy:: Strzelecka Stanisława
Lichowski Maciej
Data publikacji:: 1985
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: Si
S
compensation payments LFA
kompensacja
Elektronika - czasopismo - materiały
koncentracja elektronów
Materiały elektroniczne
Electronic materials
Electronic - journal - material
electron concentration; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1985 nr 3(51)
Elektrycznie czynne defekty w krzemie domieszkowanych fosforem poprzez neutronową transmutację krzem-fosfor = Electrically active in silicon doped by neutron transmulation: silicon-phosphorus
Materiały Elektroniczne 3(51)/1985
Elektrycznie czynne defekty w krzemie domieszkowanych fosforem poprzez neutronową transmutację krzem-fosfor
Autorzy:: Nowysz Karol
Współwytwórcy:: Strzelecka Stanisława
Jabłoński Ryszard
Kamiński Paweł
Bukowski Andrzej
Surma Barbara
Data publikacji:: 1985
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: Si
defekt
Elektronika - czasopismo - materiały
NTD
defect
Materiały elektroniczne
Electronic materials
Electronic - journal - material; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Informacja