Wszystkie pola: Strzelecka, Stanisława.

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Badanie rozkładów właściwości elektrycznych i optycznych monokryształów GaP stosowanych w optyce podczerwieni = Investigation of spatial distributions of electrical and optical properties of GaP single crystals
Badanie rozkładów właściwości elektrycznych i optycznych monokryształów GaP stosowanych w optyce podczerwieni
Materiały Elektroniczne 2009 T.37 nr 2
Autorzy:: Strzelecka Stanisław
Strzelecka Stanisława
Data publikacji:: 2009
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: optical properties
własności optyczne
Elektronika - czasopismo - materiały
własności elektryczne
Materiały elektroniczne
Electronic materials
GaP
Electronic - journal - material
electrical properties; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Centra defektowe w warstwach epitaksjalnych GaAs0.6P0.4
Centra defektowe w warstwach epitaksjalnych GaAs0.6P0.4 = Defect centers in GaAs0,6P0,4 epitaxial layers
Materiały Elektroniczne 1985 nr 2(50)
Autorzy:: Kamiński Paweł
Współwytwórcy:: Strzelecka, Stanisława.
Surma Barbara
Strzelecka Stanisława
Data publikacji:: 1985
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: warstwa epitaksjalna
GaAsP
Elektronika - czasopismo - materiały
Materiały elektroniczne
Electronic materials
epitaxial layers
Electronic - journal - material
defect center; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1986 nr 1(53)
Badanie niejednorodności w bezdyslokacyjnych monokryształach krzemu po transmutacji neutronowej
Badanie niejednorodności w bezdyslokacyjnych monokryształach krzemu po transmutacji neutronowej = The investigation of heterogeneities in neutron transmulated silicon single crystals
Autorzy:: Pawłowska Marta
Współwytwórcy:: Bukowski Andrzej
Strzelecka Stanisława
Data publikacji:: 1986
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: Si
single crystal
Elektronika - czasopismo - materiały
NTD
kryształ bezdyslokacyjny
Materiały elektroniczne
Electronic materials
silicon doping
Electronic - journal - material; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1985 nr 3(51)
Określanie stopnia kompensacji w Si : P na podstawie temperaturowej zależności koncentracji elektronów = Compensation ratio determination for Si:P based on electron concentration temperature dependence
Materiały Elektroniczne 3(51)/1985
Określanie stopnia kompensacji w Si : P na podstawie temperaturowej zależności koncentracji elektronów
Autorzy:: Kot Waldemar
Współwytwórcy:: Strzelecka Stanisława
Lichowski Maciej
Data publikacji:: 1985
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: Si
S
compensation payments LFA
kompensacja
Elektronika - czasopismo - materiały
koncentracja elektronów
Materiały elektroniczne
Electronic materials
Electronic - journal - material
electron concentration; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Prace ITME 1986 z. 19
Proceedings of ITME 1986 z. 19
Badanie aktywności elektrycznej defektów strukturalnych w monokryształach półprzewodnikowych = Investigation of the electrical activity of structural defects in semiconductors monocrystals
Autorzy:: Pawłowska Marta
Współwytwórcy:: Bukowski Andrzej
Strzelecka Stanisława
Hruban Andrzej
Data publikacji:: 1986
Wydawca:: Wydaw. Przem. Masz. "WEMA"
Słowa kluczowe:: Elektronika - czasopismo - materiały
structural defect
defekt strukturalny
Materiały elektroniczne
Electronic materials
aktywność elektryczna defektu
semiconductor monocrystal
monokryształ półprzewodnikowy
Electronic - journal - material
electrical activity of defect; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Wpływ cząstek wody w B2O3 na właściwości niekomieszkowanych monokryształów InAs otrzymywanych metodą Czochralskiego
Wpływ cząstek wody w B2O3 na właściwości niekomieszkowanych monokryształów InAs otrzymywanych metodą Czochralskiego = The influence of growth process parameters on properties of undoped InAs single
Materiały Elektroniczne 2009 T.37 nr 2
Autorzy:: Orłowski Wacław
Współwytwórcy:: Mirowska Aleksandra
Strzelecka Stanisława
Hruban Andrzej
Data publikacji:: 2009
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: Materiały elektroniczne
Electronic materials
LEC
B2O3
InAs
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1985 nr 3(51)
Elektrycznie czynne defekty w krzemie domieszkowanych fosforem poprzez neutronową transmutację krzem-fosfor = Electrically active in silicon doped by neutron transmulation: silicon-phosphorus
Materiały Elektroniczne 3(51)/1985
Elektrycznie czynne defekty w krzemie domieszkowanych fosforem poprzez neutronową transmutację krzem-fosfor
Autorzy:: Nowysz Karol
Współwytwórcy:: Strzelecka Stanisława
Jabłoński Ryszard
Kamiński Paweł
Bukowski Andrzej
Surma Barbara
Data publikacji:: 1985
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: Si
defekt
Elektronika - czasopismo - materiały
NTD
defect
Materiały elektroniczne
Electronic materials
Electronic - journal - material; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Informacja