Temat: Epitaxy - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Mechanizm wzrostu warstw GaN techniką epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu
Autorzy:: Kłosek, K.
Sobańska, M.
Żytkiewicz, Z. R.
Data publikacji:: 2011
Słowa kluczowe:: epitaksja z wiązek molekularnych
PAMBE
GaN
plazmowe źródło azotu
molecular beam epitaxy
RF plasma nitrogen source; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Epitaksja struktur laserów kaskadowych
Autorzy:: Gutowski, P.
Sankowska, I.
Kubacka-Traczyk, J.
Gołaszewska-Malec, K.
Bugajski, M.
Grzonka, J.
Data publikacji:: 2014
Słowa kluczowe:: epitaksja z wiązek molekularnych
MBE
kwantowe lasery kaskadowe
QCL
quantum cascade laser
molecular beam epitaxy
Device Fabrication; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Technologia epitaksji z wiązek molekularnych struktur laserów kaskadowych InAlAs/InGaAs/InP na pasmo średniej podczerwieni
Autorzy:: Gutowski, P.
Pierściński, K.
Karbownik, P.
Morawiec, M.
Bugajski, M.
Sankowska, I.
Pierścińska, D.
Serebrennikova, O.
Pruszyńska-Karbownik, E.
Data publikacji:: 2016
Słowa kluczowe:: epitaksja z wiązek molekularnych
MBE
kwantowe lasery kaskadowe
QCL
InGaAs
InAIAs
molecular beam epitaxy
quantum cascade laser
InAlAs; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: The multiscale modelling of thin films growth
Autorzy:: Kopernik, M.
Kot, R.
Data publikacji:: 2010
Słowa kluczowe:: automat komórkowy
model wzrostu
epitaksja z wiązek molekularnych
MBE
cellular automata (CA)
growth model
molecular beam epitaxy (MBE); Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Technologia MBE struktur fotorezystorów LWIR na bazie SL II rodzaju
Autorzy:: Jasik, Agata
Sankowska, Iwona
Czuba, Krzysztof
Smoczyński, Dariusz
Kotowski, Mateusz
Data publikacji:: 2019
Słowa kluczowe:: epitaksja z wiązek molekularnych
fotorezystory
supersieci InAs/GaSb
długofalowa podczerwień
molecular beam epitaxy
photoconductors
InAs/GaSb superlattices
long-wavelenght infrared; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Lasery kaskadowe z AlGaAs/GaAs na pasmo średniej podczerwieni (∼ 9 μm)
Autorzy:: Kosiel, K.
Szerling, A.
Muszalski, J.
Bugajski, M.
Data publikacji:: 2009
Słowa kluczowe:: laser kaskadowy
epitaksja z wiązek molekularnych
przejścia wewnątrzpasmowe
średnia podczerwień
quantum cascade laser
molecular beam epitaxy
intraband transitions
mid-infrared; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Analiza wymiarów samozorganizowanych kropek kwantowych z InAs/GaAs wykonanych techniką MBE
Autorzy:: Kaczmarczyk, M.
Piotrowski, T.
Kaniewska, M.
Engström, O.
Pisicator, J.
Sadeghi, M.
Pawłowski, S.
Data publikacji:: 2008
Słowa kluczowe:: kropki kwantowe
InAs/GaAs
epitaksja z wiązek molekularnych
MBE
mikroskopia sił atomowych
AFM
quantum dots
molecular beam epitaxy
atomic force microscopy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Krystalizacja i właściwości warstw GaN osadzanych na podłożach Si(111) techniką epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu
Autorzy:: Żytkiewicz, Z. R.
Sobańska, M.
Łusakowska, E.
Kłosek, K.
Borysiuk, J.
Wierzbicka, A.
Reszka, A.
Data publikacji:: 2011
Słowa kluczowe:: azotek galu
GaN
epitaksja z wiązek molekularnych
PAMBE
plazmowe źródło azotu
krzem
Si(111)
gallium nitride
molecular beam epitaxy
nitrogen plasma source; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Lasery kaskadowe na zakres średniej podczerwieni
Autorzy:: Kosiel, K.
Szerling, A.
Karbownik, P.
Kubecka-Traczyk, J.
Pruszyńska-Karbownik, E.
Trajnerowicz, A.
Pierścińska, D.
Bugajski, M
Data publikacji:: 2010
Słowa kluczowe:: laser kaskadowy
epitaksja z wiązek molekularnych
AlGaAs/GaAs
przejścia wewnątrzpasmowe
średnia podczerwień
quantum cascade laser
molecular beam epitaxy
mid-infrared
room-temperature operation; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Krystalizacja techniką PAMBE nanostruktur GaN na podłożach Si
Autorzy:: Żytkiewicz, Z. R.
Sobańska, M.
Kłosek, K.
Borysiuk, J.
Wierzbicka, A.
Reszka, A.
Tchutchulashvili, G.
Data publikacji:: 2012
Słowa kluczowe:: azotek galu
GaN
epitaksja z wiązek molekularnych
PAMBE
plazmowe źródło azotu
nanodruty
gallium nitride
plasma assisted molecular beam epitaxy
nitrogen plasma source
nanowires; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę "Epitaxy" wg kryterium: Temat