Temat: transistor SiC - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Porównanie charakterystyk przetwornicy SEPIC zawierającej tranzystory MOSFET wykonane z krzemu i węglika krzemu
Autorzy:: Downar-Zapolski, Michał
Data publikacji:: 2024
Słowa kluczowe:: węglik krzemu
SIC
krzem
SI
przetwornica dc-dc
SEPIC
tranzystor SiC
carborundum
dc-dc converters
transistor SiC; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Badania właściwości tranzystora Z-FET MOSFET wykonanego z węglika krzemu CMF20120D firmy CREE
Autorzy:: Sak, T.
Parchomiuk, M.
Data publikacji:: 2013
Słowa kluczowe:: węglik krzemu
tranzystor SiC MOSFET
badania
silicon carbide
SiC MOSFET transistor
research; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Analiza strat przekształtnika napięcia z tranzystorami SiC MOSFET
Autorzy:: Nowak, Marcjan
Barasiński, Adrian
Data publikacji:: 2025
Słowa kluczowe:: model symulacyjny
przekształtnik
straty mocy
tranzystor SiC MOSFET
simulation model
power converter
power losses
SiC MOSFET transistor; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Badania quasi – rezonansowego dwufazowego przekształtnika typu boost z zaworami Si i SiC
Autorzy:: Zimoch, P.
Data publikacji:: 2018
Słowa kluczowe:: energoelektronika
przekształtnik boost
tranzystor SiC MOSFET
przekształtnik quasi-rezonansowy
power electronic
boost converter
SiC MOSFET transistor
quasi–resonant converter; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Przekształtnik AC/DC/AC/DC do naziemnego zasilania statków powietrznych
Autorzy:: Kulikowski, Krzysztof
Falkowski, Piotr
Sikorski, Andrzej
Wasilewski, Mateusz
Kuźma, Adam
Dmitruk, Krzysztof
Godlewska, Agata
Nowaszewski, Krzysztof
Jakubowski, Hubert
Stępień, Grzegorz
Data publikacji:: 2023
Słowa kluczowe:: Lotniskowy Zasilacz Energoelektroniczny
LZE
przekształtnik z separacją transformatorową
tranzystor SiC
ground power unit
GPU
converter with transformer separation
SiC transistor
More Electric Aircraft
MAE; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Tranzystory z grafenu epitaksjalnego
Autorzy:: Dobrzański, L.
Stankiewicz, R.
Strupiński, W.
Gierałtowska, S.
Borysiewicz, M.
Góra, K.
Kozłowski, A.
Stańczyk, B.
Data publikacji:: 2013
Słowa kluczowe:: tranzystor polowy z grafenu
grafen epitaksjalny na SiC
graphene field effect transistor
epitaxial graphene on SiC; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Modelowanie tranzystorów mocy SiC BJT w programie PSPICE
Autorzy:: Patrzyk, J.
Data publikacji:: 2016
Słowa kluczowe:: modelowanie
SiC BJT
węglik krzemu
tranzystor bipolarny
modeling
silicon carbide
bipolar transistor; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Weryfikacja mocy strat w obwodzie bramkowym wybranych tranzystorów MOSFET na bazie Si i SiC
Autorzy:: Przybyła, K.
Data publikacji:: 2018
Słowa kluczowe:: strata mocy
MOSFET
tranzystor
obwód bramkowy
SiC
power losser
gate circuit
transistor; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Opracowanie technologii i konstrukcji tranzystorów HFET oraz diod Schottky'ego na bazie heterostruktur AIII-N/SiC, przeznaczonych do pracy w zakresie b.w.cz.
Autorzy:: Tłaczała, M.
Paszkiewicz, R.
Paszkiewicz, B.
Boratyński, B.
Data publikacji:: 2006
Słowa kluczowe:: AIII-N/SiC
heteroepitaksja
diody Schottky'ego
tranzystor polowy na bazie heterostruktury (HFET)
heteroepitaxy
Schottky diode
heterostructure field effect transistor (HFET); Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

Szczegóły

Informacja