Wszystkie pola: InAs/GaAs - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Hole-Related Electrical Activity of InAs/GaAs Quantum Dots
Autorzy:: Kruszewski, P.
Dobaczewski, L.
Markevich, V.
Mitchell, C.
Missous, M.
Peaker, A.
Data publikacji:: 2008-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.21.La
79.40.+z; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Energy transfer processes in InAs/GaAs quantum dot bilayer structure
Współwytwórcy:: Misiewicz, Jan (1952- )
Sęk, Grzegorz
Murray, Ray
Podemski, Paweł
Pieczarka, Maciej
Maryński, Aleksander
Spencer, Peter
Data publikacji:: 2016
Tematy:: Spektroskopia - stosowanie - fizyka
Fotoluminescencja
Półprzewodniki - fizyka
Technika niskich temperatur - stosowanie
Arsenek indu - fizyka
Nanotechnologia
Arsenek galu - fizyka; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Dynamics of Excitation Transfer Inside InAs/GaAs Quantum Dot System
Autorzy:: Korona, K. P.
Babiński, A.
Raymond, S.
Wasilewski, Z.
Data publikacji:: 2006-08
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 78.47.+p
72.20.Jv
78.67.Hc
78.55.Cr; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Energy Transfer Processes in InAs/GaAs Quantum Dot Bilayer Structure
Autorzy:: Pieczarka, M.
Maryński, A.
Podemski, P.
Misiewicz, J.
Spencer, P.
Murray, R.
Sęk, G.
Data publikacji:: 2016-01
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 78.67.Hc
71.35.-y
78.55.-m; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Analiza wymiarów samozorganizowanych kropek kwantowych z InAs/ GaAs wykonanych techniką MBE
Współwytwórcy:: Piotrowski, Tadeusz
Pawłowski, Sławomir
Kaczmarczyk, Mariusz
Kaniewska, Maria
Data publikacji:: 2008
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Neutral and Charged Excitons Localized in the InAs/GaAs Wetting Layer
Autorzy:: Babiński, A.
Czyż, M.
Golnik, A.
Borysiuk, J.
Kret, S.
Raymond, S.
Lapointe, J.
Wasilewski, Z.
Data publikacji:: 2008-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.21.La
78.55.Cr
78.67.Hc; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Optical Orientation of Trions in Charge-Tunable InAs/GaAs Quantum Dots
Autorzy:: Laurent, S.
Eble, B.
Krebs, O.
Lemaître, A.
Urbaszek, B.
Marie, X.
Amand, T.
Voisin, P.
Data publikacji:: 2004-08
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.70.-d
72.25.Fe
73.21.La
78.47.+p; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Optical gain saturation effects in InAs/GaAs self-assembled quantum dots
Współwytwórcy:: Nakwaski, Włodzimierz
Bugajski, Maciej
Oesterle, Ursula
Fiore, Andrea
Czyszanowski, Tomasz
Ilegems, Mark
Politechnika Łódzka. Wydział Fizyki Technicznej, Informatyki i Matematyki Stosowanej. Instytut Fizyki
Politechnika Rzeszowska im. Ignacego Łukasiewicza
Maćkowiak, Paweł
Chen, J. X.
Wasiak, Michał
Kątcki, Jerzy
Sarzała, Robert P.
Ochalski, Tomasz
Machowska-Podsiadło, Elżbieta
Data publikacji:: 2002
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Disorder-induced natural quantum dots in InAs/GaAs nanostructures
Autorzy:: Babiński, A.
Data publikacji:: 2018
Słowa kluczowe:: quantum dots
optical properties; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Investigation of Quantum Dot Structures Grown by MOCVD in InAs/GaAs System
Autorzy:: Jasiński, J.
Bożek, R.
Stępniewski, R.
Kozubowski, J.
Data publikacji:: 1998-09
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 68.55.-a
61.16.Bg; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: The Fine Structure of a Triexciton in Single InAs/GaAs Quantum Dots
Autorzy:: Molas, M.
Gołasa, K.
Furman, M.
Lapointe, J.
Wasilewski, Z.
Potemski, M.
Babiński, A.
Data publikacji:: 2012-12
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 78.55.Cr
78.67.Hc; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: Optically Detected Microwave Resonance and Carrier Dynamics in InAs/GaAs Quantum Dots
Autorzy:: Žurauskienė, N.
Marcinkevičius, S.
Janssen, G.
Goovaerts, E.
Nötzel, R.
Koenraad, P.
Wolter, J.
Data publikacji:: 2005-02
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 78.67.Hc
78.47.+p
76.70.Hb; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Identyfikacja procesów emisji nośników w kropkach kwantowych izotermiczną techniką DLTS
Autorzy:: Kaczmarczyk, M.
Kaniewska, M.
Engström, O.
Data publikacji:: 2011
Słowa kluczowe:: kropki kwantowe
InAs/GaAs QDs
DLTS
quantum dots
InAs/GaAs; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Optical gain saturation effects in InAs/GaAs self-assembled quantum dots
Autorzy:: Wasiak, M.
Bugajski, M.
Machowska-Podsiadło, E.
Ochalski, T.
Kątcki, J.
Sarzała, R.P.
Maćkowiak, P.
Czyszanowski, T.
Nakwaski, W.
Chen, J. X.
Oesterle, U.
Fiore, A.
Ilegems, M.
Data publikacji:: 2002
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: Localization of Excitons in the Wetting Layer Accompanying Self-Assembled InAs/GaAs Quantum Dots
Autorzy:: Babinski, A.
Raymond, S.
Wasilewski, Z.
Lapointe, J.
Potemski, M.
Data publikacji:: 2004-06
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.35.Pq
71.35.Ji
71.70.Ej; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: Analiza wymiarów samozorganizowanych kropek kwantowych z InAs/GaAs wykonanych techniką MBE
Autorzy:: Kaczmarczyk, M.
Piotrowski, T.
Kaniewska, M.
Engström, O.
Pisicator, J.
Sadeghi, M.
Pawłowski, S.
Data publikacji:: 2008
Słowa kluczowe:: kropki kwantowe
InAs/GaAs
epitaksja z wiązek molekularnych
MBE
mikroskopia sił atomowych
AFM
quantum dots
molecular beam epitaxy
atomic force microscopy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: Coupling and Strain Effects in Vertically Stacked Double InAs/GaAs Quantum Dots: Tight-Binding Approach
Autorzy:: Jaskólski, W.
Zieliński, M.
Bryant, G. W.
Data publikacji:: 2004-08
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.35.Cc; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: Carrier Diffusion in the Barrier Enabling Formation of Charged Excitons in InAs/GaAs Quantum Dots
Autorzy:: Karlsson, K. F.
Moskalenko, E. S.
Holtz, P. O.
Monemar, B.
Schoenfeld, W. V.
Garcia, J. M.
Petroff, P. M.
Data publikacji:: 2001-09
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 78.67.Hc
71.35.-y
78.55.Cr; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: Quantum Confinement in InAs/GaAs Systems with Self-Assembled Quantum Dots Grown Using In-Flush Technique
Autorzy:: Molas, M.
Kuldová, K.
Borysiuk, J.
Wasilewski, Z.
Babiński, A.
Data publikacji:: 2011-05
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 78.55.Cr
78.67.Hc; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: 1.16 μm InAs/GaAs quantum dot laser grown by metal organic chemical vapor deposition
Współwytwórcy:: Ren, Xiaomin. Autor
Liu, Hao (fizyk). Autor
Li, Zhiming (fotonika). Autor
Liu, Kai (fizyk). Autor
Wang, Qi (fizyk). Autor
Chen, Jia. Autor
Data publikacji:: 2018
Tematy:: Chemiczne osadzanie z fazy gazowej (CVD)
Kropki kwantowe
Lasery
Fizykochemiczne metody badawcze
Budowa wewnętrzna substancji
Właściwości fizyczne
Arsenek indu
Arsenek galu; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 21.

Tytuł:: Electronic Properties of InAs/GaAs Self-Assembled Quantum Dot Structures and Devices Studied by Photocurrent Spectroscopy
Autorzy:: Mowbray, D. J.
Fry, P. W.
Skolnick, M. S.
Itskevich, I. E.
Harris, L.
Ashmore, A. D.
Finley, J. J.
Wilson, L. R.
Schumacher, K. L.
Barker, J. A.
O'Reilly, E. P.
Al-Khafaji, M.
Cullis, A. G.
Hopkinson, M.
Clark, J. C.
Hill, G.
Data publikacji:: 2000-09
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 78.66.Fd
73.61.Ey
73.50.Pz
42.55.Px; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 22.

Tytuł:: Comparison of single-layer and bilayer InAs/GaAs quantum dots with a higher InAs coverage
Autorzy:: Sengupta, S.
Shah, S. Y.
Halder, N.
Chakrabarti, S.
Data publikacji:: 2010
Słowa kluczowe:: quantum dots
bilayer
telecommunication
high monolayer coverage; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 23.

Tytuł:: Nanostructure model and optical properties of InAs/GaAs quantum dot in vertical cavity surface emitting lasers
Autorzy:: Chen, J.
Fan, W. J.
Ding, Y.
Xu, Q.
Zhang, X. W.
Xu, D. W.
Yoon, S. F.
Zhang, D. H.
Data publikacji:: 2011
Słowa kluczowe:: band structure
k.p method
quantum dots
optical gain
vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs)
micro-photoluminescence; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 24.

Tytuł:: Parametry galwanomagnetyczne i przewodnościowe warstw epitaksjalnych MBE z InAs/GaAs, ln0,53Ga0,47As/lnP i GaAs/GaAs
Autorzy:: Wolkenberg, Andrzej
Współwytwórcy:: Przesławski, Tomasz
Instytut Technologii Elektronowej
Data publikacji:: 2007
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 25.

Tytuł:: The calculation for strain distributions and electronic structure of InAs/GaAs quantum dots based on the eight-band k·p theory
Autorzy:: Shu, Changgan
Współwytwórcy:: Liu, Yumin
Data publikacji:: 2016
Tematy:: Fizyka teoretyczna
Elektryczność - fizyka
Półprzewodniki - fizyka - modele matematyczne
Modele matematyczne - stosowanie
Naprężenia i odkształcenia - modele matematyczne
Arsenek indu - fizyka
Mechanika kwantowa - stosowanie
Arsenek galu - fizyka; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę "InAs/GaAs" wg kryterium: Wszystkie pola