Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:

Hole-Related Electrical Activity of InAs/GaAs Quantum Dots

Autorzy:

Kruszewski, P.
Dobaczewski, L.
Markevich, V.
Mitchell, C.
Missous, M.
Peaker, A.

Data publikacji:

2008-11

Wydawca:

Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN

Tematy:

73.21.La
79.40.+z

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:

Energy transfer processes in InAs/GaAs quantum dot bilayer structure

Współwytwórcy:

Misiewicz, Jan (1952- )
Sęk, Grzegorz
Murray, Ray
Podemski, Paweł
Pieczarka, Maciej
Maryński, Aleksander
Spencer, Peter

Data publikacji:

2016

Tematy:

Spektroskopia - stosowanie - fizyka
Fotoluminescencja
Półprzewodniki - fizyka
Technika niskich temperatur - stosowanie
Arsenek indu - fizyka
Nanotechnologia
Arsenek galu - fizyka

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:

Dynamics of Excitation Transfer Inside InAs/GaAs Quantum Dot System

Autorzy:

Korona, K. P.
Babiński, A.
Raymond, S.
Wasilewski, Z.

Data publikacji:

2006-08

Wydawca:

Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN

Tematy:

78.47.+p
72.20.Jv
78.67.Hc
78.55.Cr

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:

Energy Transfer Processes in InAs/GaAs Quantum Dot Bilayer Structure

Autorzy:

Pieczarka, M.
Maryński, A.
Podemski, P.
Misiewicz, J.
Spencer, P.
Murray, R.
Sęk, G.

Data publikacji:

2016-01

Wydawca:

Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN

Tematy:

78.67.Hc
71.35.-y
78.55.-m

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:

Analiza wymiarów samozorganizowanych kropek kwantowych z InAs/ GaAs wykonanych techniką MBE

Współwytwórcy:

Piotrowski, Tadeusz
Pawłowski, Sławomir
Kaczmarczyk, Mariusz
Kaniewska, Maria

Data publikacji:

2008

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:

Neutral and Charged Excitons Localized in the InAs/GaAs Wetting Layer

Autorzy:

Babiński, A.
Czyż, M.
Golnik, A.
Borysiuk, J.
Kret, S.
Raymond, S.
Lapointe, J.
Wasilewski, Z.

Data publikacji:

2008-11

Wydawca:

Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN

Tematy:

73.21.La
78.55.Cr
78.67.Hc

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:

Optical Orientation of Trions in Charge-Tunable InAs/GaAs Quantum Dots

Autorzy:

Laurent, S.
Eble, B.
Krebs, O.
Lemaître, A.
Urbaszek, B.
Marie, X.
Amand, T.
Voisin, P.

Data publikacji:

2004-08

Wydawca:

Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN

Tematy:

71.70.-d
72.25.Fe
73.21.La
78.47.+p

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:

Optical gain saturation effects in InAs/GaAs self-assembled quantum dots

Współwytwórcy:

Nakwaski, Włodzimierz
Bugajski, Maciej
Oesterle, Ursula
Fiore, Andrea
Czyszanowski, Tomasz
Ilegems, Mark
Politechnika Łódzka. Wydział Fizyki Technicznej, Informatyki i Matematyki Stosowanej. Instytut Fizyki
Politechnika Rzeszowska im. Ignacego Łukasiewicza
Maćkowiak, Paweł
Chen, J. X.
Wasiak, Michał
Kątcki, Jerzy
Sarzała, Robert P.
Ochalski, Tomasz
Machowska-Podsiadło, Elżbieta

Data publikacji:

2002

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:

Disorder-induced natural quantum dots in InAs/GaAs nanostructures

Autorzy:

Babiński, A.

Data publikacji:

2018

Słowa kluczowe:

quantum dots
optical properties

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:

Investigation of Quantum Dot Structures Grown by MOCVD in InAs/GaAs System

Autorzy:

Jasiński, J.
Bożek, R.
Stępniewski, R.
Kozubowski, J.

Data publikacji:

1998-09

Wydawca:

Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN

Tematy:

68.55.-a
61.16.Bg

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:

The Fine Structure of a Triexciton in Single InAs/GaAs Quantum Dots

Autorzy:

Molas, M.
Gołasa, K.
Furman, M.
Lapointe, J.
Wasilewski, Z.
Potemski, M.
Babiński, A.

Data publikacji:

2012-12

Wydawca:

Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN

Tematy:

78.55.Cr
78.67.Hc

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:

Optically Detected Microwave Resonance and Carrier Dynamics in InAs/GaAs Quantum Dots

Autorzy:

Žurauskienė, N.
Marcinkevičius, S.
Janssen, G.
Goovaerts, E.
Nötzel, R.
Koenraad, P.
Wolter, J.

Data publikacji:

2005-02

Wydawca:

Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN

Tematy:

78.67.Hc
78.47.+p
76.70.Hb

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:

Identyfikacja procesów emisji nośników w kropkach kwantowych izotermiczną techniką DLTS

Autorzy:

Kaczmarczyk, M.
Kaniewska, M.
Engström, O.

Data publikacji:

2011

Słowa kluczowe:

kropki kwantowe
InAs/GaAs QDs
DLTS
quantum dots
InAs/GaAs

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:

Optical gain saturation effects in InAs/GaAs self-assembled quantum dots

Autorzy:

Wasiak, M.
Bugajski, M.
Machowska-Podsiadło, E.
Ochalski, T.
Kątcki, J.
Sarzała, R.P.
Maćkowiak, P.
Czyszanowski, T.
Nakwaski, W.
Chen, J. X.
Oesterle, U.
Fiore, A.
Ilegems, M.

Data publikacji:

2002

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:

Localization of Excitons in the Wetting Layer Accompanying Self-Assembled InAs/GaAs Quantum Dots

Autorzy:

Babinski, A.
Raymond, S.
Wasilewski, Z.
Lapointe, J.
Potemski, M.

Data publikacji:

2004-06

Wydawca:

Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN

Tematy:

71.35.Pq
71.35.Ji
71.70.Ej

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:

Analiza wymiarów samozorganizowanych kropek kwantowych z InAs/GaAs wykonanych techniką MBE

Autorzy:

Kaczmarczyk, M.
Piotrowski, T.
Kaniewska, M.
Engström, O.
Pisicator, J.
Sadeghi, M.
Pawłowski, S.

Data publikacji:

2008

Słowa kluczowe:

kropki kwantowe
InAs/GaAs
epitaksja z wiązek molekularnych
MBE
mikroskopia sił atomowych
AFM
quantum dots
molecular beam epitaxy
atomic force microscopy

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:

Coupling and Strain Effects in Vertically Stacked Double InAs/GaAs Quantum Dots: Tight-Binding Approach

Autorzy:

Jaskólski, W.
Zieliński, M.
Bryant, G. W.

Data publikacji:

2004-08

Wydawca:

Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN

Tematy:

71.35.Cc

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:

Carrier Diffusion in the Barrier Enabling Formation of Charged Excitons in InAs/GaAs Quantum Dots

Autorzy:

Karlsson, K. F.
Moskalenko, E. S.
Holtz, P. O.
Monemar, B.
Schoenfeld, W. V.
Garcia, J. M.
Petroff, P. M.

Data publikacji:

2001-09

Wydawca:

Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN

Tematy:

78.67.Hc
71.35.-y
78.55.Cr

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:

Quantum Confinement in InAs/GaAs Systems with Self-Assembled Quantum Dots Grown Using In-Flush Technique

Autorzy:

Molas, M.
Kuldová, K.
Borysiuk, J.
Wasilewski, Z.
Babiński, A.

Data publikacji:

2011-05

Wydawca:

Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN

Tematy:

78.55.Cr
78.67.Hc

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:

1.16 μm InAs/GaAs quantum dot laser grown by metal organic chemical vapor deposition

Współwytwórcy:

Ren, Xiaomin. Autor
Liu, Hao (fizyk). Autor
Li, Zhiming (fotonika). Autor
Liu, Kai (fizyk). Autor
Wang, Qi (fizyk). Autor
Chen, Jia. Autor

Data publikacji:

2018

Tematy:

Chemiczne osadzanie z fazy gazowej (CVD)
Kropki kwantowe
Lasery
Fizykochemiczne metody badawcze
Budowa wewnętrzna substancji
Właściwości fizyczne
Arsenek indu
Arsenek galu

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 21.

Tytuł:

Electronic Properties of InAs/GaAs Self-Assembled Quantum Dot Structures and Devices Studied by Photocurrent Spectroscopy

Autorzy:

Mowbray, D. J.
Fry, P. W.
Skolnick, M. S.
Itskevich, I. E.
Harris, L.
Ashmore, A. D.
Finley, J. J.
Wilson, L. R.
Schumacher, K. L.
Barker, J. A.
O'Reilly, E. P.
Al-Khafaji, M.
Cullis, A. G.
Hopkinson, M.
Clark, J. C.
Hill, G.

Data publikacji:

2000-09

Wydawca:

Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN

Tematy:

78.66.Fd
73.61.Ey
73.50.Pz
42.55.Px

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 22.

Tytuł:

Comparison of single-layer and bilayer InAs/GaAs quantum dots with a higher InAs coverage

Autorzy:

Sengupta, S.
Shah, S. Y.
Halder, N.
Chakrabarti, S.

Data publikacji:

2010

Słowa kluczowe:

quantum dots
bilayer
telecommunication
high monolayer coverage

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 23.

Tytuł:

Nanostructure model and optical properties of InAs/GaAs quantum dot in vertical cavity surface emitting lasers

Autorzy:

Chen, J.
Fan, W. J.
Ding, Y.
Xu, Q.
Zhang, X. W.
Xu, D. W.
Yoon, S. F.
Zhang, D. H.

Data publikacji:

2011

Słowa kluczowe:

band structure
k.p method
quantum dots
optical gain
vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs)
micro-photoluminescence

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 24.

Tytuł:

Parametry galwanomagnetyczne i przewodnościowe warstw epitaksjalnych MBE z InAs/GaAs, ln0,53Ga0,47As/lnP i GaAs/GaAs

Autorzy:

Wolkenberg, Andrzej

Współwytwórcy:

Przesławski, Tomasz
Instytut Technologii Elektronowej

Data publikacji:

2007

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 25.

Tytuł:

The calculation for strain distributions and electronic structure of InAs/GaAs quantum dots based on the eight-band k·p theory

Autorzy:

Shu, Changgan

Współwytwórcy:

Liu, Yumin

Data publikacji:

2016

Tematy:

Fizyka teoretyczna
Elektryczność - fizyka
Półprzewodniki - fizyka - modele matematyczne
Modele matematyczne - stosowanie
Naprężenia i odkształcenia - modele matematyczne
Arsenek indu - fizyka
Mechanika kwantowa - stosowanie
Arsenek galu - fizyka

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 26.

Tytuł:

The calculation for strain distributions and electronic structure of InAs/GaAs quantum dots based on the eight-band k·p theory

Autorzy:

Shu, Changgan
Liu, Yumin

Data publikacji:

2016-03

Wydawca:

Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN

Tematy:

73.21.La
73.63.Kv

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 27.

Tytuł:

A novel approach to increase emission wavelength of InAs/GaAs quantum dots by using a quaternary capping layer

Autorzy:

Chowdhury, S.
Adhikary, S.
Halder, N.
Chakrabarti, S.

Data publikacji:

2010

Słowa kluczowe:

semiconductor quantum dots
molecular beam epitaxy
transmission electron microscopy
photoluminescence
dislocations

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 28.

Tytuł:

Parametry galwanomagnetyczne i przewodnościowe warstw epitaksjalnych MBE z InAs/GaAs, In0,53Ga0,47As/InP i GaAs/GaAs

Autorzy:

Wolkenberg, A.
Przesławski, T.

Data publikacji:

2007

Słowa kluczowe:

parametry transportowe
warstwy epitaksjalne MBE
InAs/GaAs
ln0,53Ga0,47As/lnP
GaAs/GaAs
charge transport parameters
MBE epitaxial layers

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 29.

Tytuł:

Type-II InAs/GaAsSb/GaAs quantum dots as artificial quantum dot molecules

Autorzy:

Klenovský, Petr

Współwytwórcy:

Humlíček, Josef (1947- )
Křápek, Vlastimil

Data publikacji:

2016

Tematy:

Antymon - związki - fizyka
Arsenek indu - fizyka
Fizyka teoretyczna
Arsenek galu - fizyka

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 30.

Tytuł:

Type-II InAs/GaAsSb/GaAs Quantum Dots as Artificial Quantum Dot Molecules

Autorzy:

Klenovský, P.
Křápek, V.
Humlíček, J.

Data publikacji:

2016-01

Wydawca:

Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN

Tematy:

73.21.La
75.75.-c
85.35.Be
68.65.Hb

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 31.

Tytuł:

Multi-technique characterisation of InAs-on-GaAs wafers with circular defect pattern

Autorzy:

Boguski, Jacek
Wróbel, Jarosław
Złotnik, Sebastian
Budner, Bogusław
Liszewska, Malwina
Kubiszyn, Łukasz
Michałowski, Paweł P.
Ciura, Łukasz
Moszczyński, Paweł
Odrzywolski, Sebastian
Jankiewicz, Bartłomiej
Wróbel, Jerzy

Data publikacji:

2023

Wydawca:

Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich

Tematy:

wafer homogeneity
wafer defect pattern
surface roughness
indium arsenide
beryllium doping

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 32.

Tytuł:

Investigation of localized electric field in the type-II InAs/GaAsSb/GaAs structure

Współwytwórcy:

Lee, Sangjun (chemik). Autor
Yoon, S. Autor
Kim, Yunwon. Autor
Lee, Seunghyun. Autor
Honsberg, Christiana. Autor
Kim, Jongsu. Autor

Data publikacji:

2016

Tematy:

Związki antymonu
Półprzewodnikowe struktury kwantowe
Studnia kwantowa
Arsenek indu
Arsenek galu
Stopy (materiałoznawstwo)

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 33.

Tytuł:

Investigation of Localized Electric Field in the Type-II InAs/GaAsSb/GaAs Structure

Autorzy:

Lee, S.
Kim, J.
Yoon, S.
Kim, Y.
Honsberg, C.

Data publikacji:

2016-11

Wydawca:

Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN

Tematy:

78.66.Fd
78.40.-q
73.40.Lq
73.50.Pz

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 34.

Tytuł:

Conductance at InAs, InGaAs and GaAs MBE Epi - layers

Autorzy:

Wolkenberg, Andrzej

Współwytwórcy:

Przesławski, Tomasz
Instytut Technologii Elektronowej
Kaniewski, Janusz

Data publikacji:

2009

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 35.

Tytuł:

Multi-technique characterisation of InAs-on-GaAs wafers with circular defect pattern

Autorzy:

Boguski, Jacek
Wróbel, Jarosław
Złotnik, Sebastian
Budner, Bogusław
Liszewska, Malwina
Kubiszyn, Łukasz
Michałowski, Paweł P.
Ciura, Łukasz
Moszczyński, Paweł
Odrzywolski, Sebastian
Jankiewicz, Bartłomiej
Wróbel, Jerzy

Data publikacji:

2023

Słowa kluczowe:

wafer homogeneity
wafer defect pattern
surface roughness
indium arsenide
beryllium doping

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 36.

Tytuł:

Wpływ grubości epitaksjalnych warstw InAs na GaAs wykonywanych w technologii MBE, na ich parametry transportu ładunków elektrycznych

Autorzy:

Wolkenberg, A.
Przesławski, T.

Data publikacji:

2007

Słowa kluczowe:

InAs/GaAs
transport ładunku
hopping po stanach donorowych
hopping po stanach międzypowierzchni podłoże-warstwa
epitaksja z wiązek molekularnych
MBE
transport properties
hopping on donor states
hopping on the states at the interface substrate-layer
molecular beam epitaxy

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 37.

Tytuł:

Wpływ grubości epitaksjalnych warstw InAs na GaAs wykonywanych w technologii MBE, na ich parametry transportu ładunków elektrycznych

Autorzy:

Wokenberg, Andrzej

Współwytwórcy:

Przesławski, Tomasz
Instytut Technologii Elektronowej

Data publikacji:

2007

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 38.

Tytuł:

Conductance at InAs, InGaAs and GaAs MBE Epi-layers

Autorzy:

Wolkenberg, A.
Przesławski, T.
Kaniewski, J.

Data publikacji:

2009

Słowa kluczowe:

warstwa epitaksjalna InGaAs
MBE
ruchliwość
rezystywność
koncentracja
przewodność
epiternary layers In Ga As
mobility
resistivity
concentration
conductance

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 39.

Tytuł:

Energy Spectrum of InAs Quantum Dots in GaAs/AlAs Superlattices

Autorzy:

Nedzinskas, R.
Čechavičius, B.
Kavaliauskas, J.
Karpus, V.
Krivaitė, G.
Tamošiūnas, V.
Valušis, G.
Schrey, F.
Unterrainer, K.
Strasser, G.

Data publikacji:

2008-03

Wydawca:

Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN

Tematy:

78.67.Hc

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 40.

Tytuł:

Capacitance Spectroscopy of Single-Barrier GaAs/AlAs/GaAS Structures Containing InAs Quantum Dots

Autorzy:

Belyaev, A. E.
Eaves, L.
Main, P. C.
Polimeni, A.
Stoddart, S. T.
Henini, M.

Data publikacji:

1998-08

Wydawca:

Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN

Tematy:

73.40.Gk
85.30.Mn

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 41.

Tytuł:

Comparative study of the molecular beam epitaxial growth of InAs/GaSb superlattices on GaAs and GaSb substrates

Współwytwórcy:

Benyahia, Djalal. Autor
Martyniuk, Paloma. Autor
Michalczewski, Krystian. Autor
Rogalski, Antoni (1946- ). Autor
Kubiszyn, Łukasz. Autor
Piotrowski, Józef (1943- ). Autor
Kębłowski, Artur. Autor

Data publikacji:

2017

Tematy:

Półprzewodniki
Krystalografia rentgenowska
Epitaksja

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 42.

Tytuł:

Comparative study of the molecular beam epitaxial growth of InAs/GaSb superlattices on GaAs and GaSb substrates

Autorzy:

Benyahia, D.
Kubiszyn, Ł.
Michalczewski, K.
Kębłowski, A.
Martyniuk, P.
Piotrowski, J.
Rogalski, A.

Data publikacji:

2017-08

Wydawca:

Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN

Tematy:

81.15.Hi
68.65.Cd
81.05.Ea
61.05.cp

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 43.

Tytuł:

Wybrane problemy materiałowe w przemyśle elektronicznym: wpływ grubości warstwy epitaksjalnej InAs na podłożu GaAs <100> na jej jakość krystaliczną i półprzewodnikową : miniaturyzacja w technologii krzemowej

Autorzy:

Wolkenberg, A.
Przesławski, T.
Regiński, K.
Bąk-Misiuk, J.
Kaniewski, J.

Data publikacji:

2000

Słowa kluczowe:

przemysł elektroniczny
warstwa epitaksjalna
warstwa półprzewodnikowa
warstwa epitaksjalna InAs
podłoże GaAs
grubość warstwy
jakość krystalograficzna
jakość półprzewodnikowa
miniaturyzacja
technologia krzemowa
semiconductor electronic industry
epitaxial thickness
InAs epitaxial layers
GaAs wafers
crystallographic quality
semiconductor quality
miniaturization
silicon technology

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 44.

Tytuł:

Low-temperature growth of InAs/GaSb superlattices on miscut GaAs substrates for mid-wave infrared detectors

Autorzy:

Martyniuk, Piotr
Benyahia, Djalal

Data publikacji:

2023

Wydawca:

Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich

Tematy:

molecular beam epitaxy
superlattice
X-ray diffraction
III-V semiconductor

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 45.

Tytuł:

Optical properties of multi-stacked InAs quantum dots embedded in GaAs/InGaAs strained layer and its annealing behaviors

Autorzy:

Kim, D. Y.

Współwytwórcy:

Kim, G. S.
Leem, J.-Y.
Jeon, S. M.
Kim, J. S.
Kim, M. S.
Cho, M. Y.
Eom, G.-S.
Choi, H. Y.

Data publikacji:

2010

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 46.

Tytuł:

Optical Properties of Multi-Stacked InAs Quantum Dots Embedded in GaAs/InGaAs Strained Layer and its Annealing Behaviors

Autorzy:

Kim, D.
Kim, G.
Jeon, S.
Cho, M.
Choi, H.
Kim, M.
Lee, D.
Kim, J.
Eom, G.
Leem, J.

Data publikacji:

2010-06

Wydawca:

Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN

Tematy:

78.67.Hc
78.55.Cr
81.05.Ea

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 47.

Tytuł:

Low-temperature growth of InAs/GaSb superlattices on miscut GaAs substrates for mid-wave infrared detectors

Autorzy:

Martyniuk, Piotr
Benyahia, Djalal

Data publikacji:

2023

Słowa kluczowe:

molecular beam epitaxy
superlattice
X-ray diffraction
III-V semiconductor

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 48.

Tytuł:

Third generation infrared detectors

Autorzy:

Rogalski, A.

Data publikacji:

2006

Słowa kluczowe:

pierwsza generacja detektorów podczerwieni
druga generacja detektorów podczerwieni
trzecia generacja detektorów podczerwieni
fotodiody z HgCdTe
fotorezystory AlGaAs/GaAs ze studni kwantowych
supersieci InAs/GalnSb drugiego typu
first generation infrared detectors
second generation infrared detectors
third generation detectors
HgCdTe photodiodes
AIGaAs/GaAs quantum well infrared photodetectors
type II InAs/GalnSb superlattices

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły