Wszystkie pola: Strzelecka, Stanisława

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Monokryształy GaAs, InP i GaP dla elementów optyki w podczerwieni
Materiały Elektroniczne 2006 T.34 nr 1/2
Autorzy:: Strzelecka, Stanisława
Strzelecka Stanisława
Data publikacji:: 2006
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: InP
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
Electronic - journal - materials
GaP
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Określanie koncentracji węgla w monokryształach GaP na podstawie widm absorpcyjnych w podczerwieni = Determination of carbon concentration in GaP single crystals from absorption spectra in infrared range
Materiały Elektroniczne 2007 T.35 nr 2
Określanie koncentracji węgla w monokryształach GaP na podstawie widm absorpcyjnych w podczerwieni
Autorzy:: Strzelecka Stanisława
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: Elektronika - czasopismo - materiały
GaP
Electronic - journal - materials
widmo absorpcji w podczerwieni
Materiały elektroniczne
Electronic - materials
koncentracja węgla; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Elektryczne i optyczne metody charakteryzacji półizolacyjnych monokryształów fosforku indu domieszkowanych żelazem
Materiały Elektroniczne 1992 T.20 nr 4
Elektryczne i optyczne metody charakteryzacji półizolacyjnych monokryształów fosforku indu domieszkowanych żelazem = Characterization of semi-insulating InP:Fe by electrical and optical measurements
Autorzy:: Strzelecka Stanisława
Współwytwórcy:: Pawłowska, Marta.
Jurkiewicz-Wegner Elżbieta
Hruban Andrzej
Piersa Mirosław
Pawłowska Marta
Gładysz Maria
Data publikacji:: 1992
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: optical properties
własności optyczne
SI InP:Fe
własniści elektryczne
Materiały elektroniczne
Electronic - materials
electrical parameter
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1992 T.20 nr 3
Metody charakteryzacji półizolacyjnych monokryształów GaAs = Methods of semi-insulating GaAs monocrystals characterisation
Metody charakteryzacji półizolacyjnych monokryształów GaAs
Autorzy:: Strzelecka Stanisława
Współwytwórcy:: Jurkiewicz-Wegner, Elżbieta.
Jurkiewicz-Wegner Elżbieta
Hruban Andrzej
Piersa Mirosław
Gładysz Maria
Data publikacji:: 1992
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: Elektronika - czasopismo - materiały
Materiały elektroniczne
Electronic - materials
electrical parameter
parametry elektryczne
SI GaAs; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Wpływ obróbki termicznej na własności niedomieszkowanych monokryształów GaP = Annealing influence on the electrical properties of GaP single crystals
Wpływ obróbki termicznej na własności niedomieszkowanych monokryształów GaP
Materiały Elektroniczne 2009 T.37 nr 2
Autorzy:: Strzelecka Stanisława
Data publikacji:: 2009
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: materiał półizolacyjny
Elektronika - czasopismo - materiały
własności elektryczne
GaAs
Materiały elektroniczne
Si crystal
obróbka termiczna
annealing
GaP
Electronic materials [KABA]
Electronic - journal - material; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Wpływ na własności półizolacyjnych monokryształów arsenku galu = Influence of carbon on semi-insulating GaAs crystals
Wpływ na własności półizolacyjnych monokryształów arsenku galu
Materiały Elektroniczne 1996 T.24 nr 2/3
Autorzy:: Strzelecka Stanisława
Współwytwórcy:: Gładki Andrzej
Głasdysz Maria
Orłowski Wacław
Hruban Andrzej
Głasdys Maria
Data publikacji:: 1996
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: compensation payments LFA
kompensacja
Elektronika - czasopismo - materiały
Materiały elektroniczne
Electronic - materials
domieszkowanie węglem
SI GaAs
carbon doping; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Architektura słoneczna jako nurt w twórczości modernizmu
Autorzy:: Wehle-Strzelecka, Stanisława
Data publikacji:: 2008
Tematy:: Budownictwo - energetyka
Modernizm - budownictwo
Architektura - historia; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Związki z tradycją we współczesnych energooszczędnych rozwiązaniach architektoniczno-urbanistycznych - na przykładzie architektury słonecznej
Autorzy:: Wehle-Strzelecka, Stanisława
Data publikacji:: 2006
Tematy:: Budownictwo - energetyka
Energetyka słoneczna
Rozwój zrównoważony; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Architektura słoneczna jako element zrównoważonego środowiska mieszkaniowego = Solar architecture as an element of a sustainable housing environment
Autorzy:: Wehle-Strzelecka, Stanisława
Data publikacji:: 2007
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Wykorzystanie energii słońca w kształtowaniu zespołów mieszkaniowych - przykłady berlińskie = The use of solar energy in shaping residential complexes – exeplified by Berlin
Autorzy:: Wehle-Strzelecka, Stanisława
Data publikacji:: 2009
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Związki z tradycją we współczesnych energooszczędnych rozwiązaniach architektoniczno-urbanistycznych - na przykładzie architektury słonecznej
Autorzy:: Wehle-Strzelecka, Stanisława
Data publikacji:: 2006
Słowa kluczowe:: słońce
architektura
ekorozwój
sun
architecture
ecodevelopment; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: Badanie rozkładów właściwości elektrycznych i optycznych monokryształów GaP stosowanych w optyce podczerwieni = Investigation of spatial distributions of electrical and optical properties of GaP single crystals
Badanie rozkładów właściwości elektrycznych i optycznych monokryształów GaP stosowanych w optyce podczerwieni
Materiały Elektroniczne 2009 T.37 nr 2
Autorzy:: Strzelecka Stanisław
Strzelecka Stanisława
Data publikacji:: 2009
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: optical properties
własności optyczne
Elektronika - czasopismo - materiały
własności elektryczne
Materiały elektroniczne
Electronic materials
GaP
Electronic - journal - material
electrical properties; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Kształtowanie zabudowy mieszkaniowej wpisującej się w zasady ochrony terenu i pozyskiwania rezerw przestrzeni we współczesnym mieście
Residential buildings following the principles of land protection and obtaining space reserves in the contemporary city
Autorzy:: Wehle-Strzelecka, Stanisława
Strzelecka-Seredyńska, Monika
Data publikacji:: 2021
Wydawca:: Politechnika Krakowska im. Tadeusza Kościuszki. Wydział Architektury. Katedra Kształtowania Środowiska Mieszkaniowego
Tematy:: architektura
urbanistyka
miasto ekologiczne
miasto zrównoważone
reurbanizacja
architecture
urban planning
urban space
urban design
ecological city
sustainable city
reurbanization; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Kształtowanie zabudowy mieszkaniowej wpisującej się w zasady ochrony terenu i pozyskiwania rezerw przestrzeni we współczesnym mieście
Autorzy:: Wehle-Strzelecka, Stanisława
Strzelecka-Seredyńska, Monika
Data publikacji:: 2021
Słowa kluczowe:: architektura
urbanistyka
miasto ekologiczne
miasto zrównoważone
reurbanizacja
architecture
urban planning
urban space
urban design
ecological city
sustainable city
reurbanization; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: Centra defektowe w warstwach epitaksjalnych GaAs0.6P0.4
Centra defektowe w warstwach epitaksjalnych GaAs0.6P0.4 = Defect centers in GaAs0,6P0,4 epitaxial layers
Materiały Elektroniczne 1985 nr 2(50)
Autorzy:: Kamiński Paweł
Współwytwórcy:: Strzelecka, Stanisława.
Surma Barbara
Strzelecka Stanisława
Data publikacji:: 1985
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: warstwa epitaksjalna
GaAsP
Elektronika - czasopismo - materiały
Materiały elektroniczne
Electronic materials
epitaxial layers
Electronic - journal - material
defect center; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1986 nr 1(53)
Badanie niejednorodności w bezdyslokacyjnych monokryształach krzemu po transmutacji neutronowej
Badanie niejednorodności w bezdyslokacyjnych monokryształach krzemu po transmutacji neutronowej = The investigation of heterogeneities in neutron transmulated silicon single crystals
Autorzy:: Pawłowska Marta
Współwytwórcy:: Bukowski Andrzej
Strzelecka Stanisława
Data publikacji:: 1986
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: Si
single crystal
Elektronika - czasopismo - materiały
NTD
kryształ bezdyslokacyjny
Materiały elektroniczne
Electronic materials
silicon doping
Electronic - journal - material; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1980 nr 3/4(31/32)
Wpływ domieszkowania na własności elektryczne i termoelektryczne tellurku ołowiu (PbTe) = The influence of doping on the electrical and thermoelectrical properties of PbTe
Wpływ domieszkowania na własności elektryczne i termoelektryczne tellurku ołowiu (PbTe)
Autorzy:: Wilczyński Sławomir
Współwytwórcy:: Hruban Andzrej
Strzelecka Stanisława
Data publikacji:: 1981
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: PbTe
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
własności termoelektryczne
thermoelectrical properties
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: Określenie parametrów elektrycznych epitaksjalnych warstw arsenofosforku galu osadzonych na podłożach GaAs
Materiały Elektroniczne 1977 nr 4(20)
Określenie parametrów elektrycznych epitaksjalnych warstw arsenofosforku galu osadzonych na podłożach GaAs = Determination of electrical properties for epitaxial GaAs1-P on the GaAs substrates
Autorzy:: Kot Waldemar
Współwytwórcy:: Nowysz Karol
Strzelecka Stanisława
Data publikacji:: 1977
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: warstwa epitaksjalna
GaAsP
epitaxial layer
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
electrical parameter
parametr elektryczny
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1985 nr 3(51)
Określanie stopnia kompensacji w Si : P na podstawie temperaturowej zależności koncentracji elektronów = Compensation ratio determination for Si:P based on electron concentration temperature dependence
Materiały Elektroniczne 3(51)/1985
Określanie stopnia kompensacji w Si : P na podstawie temperaturowej zależności koncentracji elektronów
Autorzy:: Kot Waldemar
Współwytwórcy:: Strzelecka Stanisława
Lichowski Maciej
Data publikacji:: 1985
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: Si
S
compensation payments LFA
kompensacja
Elektronika - czasopismo - materiały
koncentracja elektronów
Materiały elektroniczne
Electronic materials
Electronic - journal - material
electron concentration; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: Badania widm absorpcyjnych w półizolacyjnym GaAs = Investigation of absorption spectra of Si GaAs
Badania widm absorpcyjnych w półizolacyjnym GaAs
Materiały Elektroniczne 1994 T.22 nr 2
Autorzy:: Surma Barbara
Współwytwórcy:: Mozdżonek Małgorzata
Strzelecka Stanisława
Gładysz Maria
Data publikacji:: 1994
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: Elektronika - czasopismo - materiały
Materiały elektroniczne
Electronic - materials
absorption spectra
Electronic - journal - materials
SiGaAs
SI GaAs
widmo absorpcyjne; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 21.

Tytuł:: Prace ITME 1986 z. 19
Proceedings of ITME 1986 z. 19
Badanie aktywności elektrycznej defektów strukturalnych w monokryształach półprzewodnikowych = Investigation of the electrical activity of structural defects in semiconductors monocrystals
Autorzy:: Pawłowska Marta
Współwytwórcy:: Bukowski Andrzej
Strzelecka Stanisława
Hruban Andrzej
Data publikacji:: 1986
Wydawca:: Wydaw. Przem. Masz. "WEMA"
Słowa kluczowe:: Elektronika - czasopismo - materiały
structural defect
defekt strukturalny
Materiały elektroniczne
Electronic materials
aktywność elektryczna defektu
semiconductor monocrystal
monokryształ półprzewodnikowy
Electronic - journal - material
electrical activity of defect; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 22.

Tytuł:: Wpływ cząstek wody w B2O3 na właściwości niekomieszkowanych monokryształów InAs otrzymywanych metodą Czochralskiego
Wpływ cząstek wody w B2O3 na właściwości niekomieszkowanych monokryształów InAs otrzymywanych metodą Czochralskiego = The influence of growth process parameters on properties of undoped InAs single
Materiały Elektroniczne 2009 T.37 nr 2
Autorzy:: Orłowski Wacław
Współwytwórcy:: Mirowska Aleksandra
Strzelecka Stanisława
Hruban Andrzej
Data publikacji:: 2009
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: Materiały elektroniczne
Electronic materials
LEC
B2O3
InAs
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 23.

Tytuł:: Problemy wzrostu monokryształów fosforku galu (GaP) o średnicy 4" i orientacji <100> oraz <111> = Difficulties in 4" gallium phosphide (GaP) single crystals growing in <100> or <111> direction
Materiały Elektroniczne 2010 T.38 nr 2
Problemy wzrostu monokryształów fosforku galu (GaP) o średnicy 4 i orientacji <100> oraz <111>
Autorzy:: Orłowski Wacław
Współwytwórcy:: Mirowska Aleksandra
Strzelecka Stanisława
Hruban Andrzej
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: GaD
metoda LEC
crystal growth
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
monokrystalizacja
LEC method
Electronic - journal - materials
GaP
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 24.

Tytuł:: Problemy wzrostu monokryształów fosforku galu (GaP) o średnicy 4 i orientacji < 100 > oraz < 111 >
Współwytwórcy:: Strzelecka, Stanisława
Orłowski, Wacław
Hruban, Andrzej
Mirowska, Aleksandra
Data publikacji:: 2010
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 25.

Tytuł:: Wpływ cząsteczek wody w B2O3 na właściwości niedomieszkowanych monokryształów InAs otrzymywanych metodą Czochralskiego
Współwytwórcy:: Strzelecka, Stanisława
Orłowski, Wacław
Hruban, Andrzej
Mirowska, Aleksandra
Data publikacji:: 2009
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę "Strzelecka, Stanisława" wg kryterium: Wszystkie pola