Autor: Brzozowski, Andrzej

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Żelazna pani prokurator
Autorzy:: Brzozowski, Andrzej
Data publikacji:: 2016
Tematy:: Ronc, Małgorzata. Prokurator
Podgórska, Joanna (dziennikarka). Prokurator; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Pomiar koncentracji nosników ładunku w płytkach monokryształów objętościowych i warstwach epitaksjalnych SiC za pomocą sondy rtęciowej = Measurement of charge carrier concentration in SiC wafers of bulk crystals and epitaxial layers using mercury probe
Pomiar koncentracji nosników ładunku w płytkach monokryształów objętościowych i warstwach epitaksjalnych SiC za pomocą sondy rtęciowej
Materiały Elektroniczne 2008 T.36 nr 3
Autorzy:: Brzozowski Andrzej
Data publikacji:: 2008
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: SiC
sonda rtęciowa
charge carrier concentration
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
koncentracja nośników ładunku
mercury probe
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne1983 nr 4(44)
Materiały Elektroniczne 1983 nr 4(44)
Pomiar warstw epitaksjalnych metoda C-V przy użyciu sondy rtęciowej = Measurements of the epitaxial layers parameters by means of C-V method with Hg probe
Pomiar warstw epitaksjalnych metoda C-V przy użyciu sondy rtęciowej
Autorzy:: Brzozowski Andrzej
Współwytwórcy:: Szymkiewicz Andrzej
Data publikacji:: 1984
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: warstwa epitaksjalna
złącze prostujące metal-półprzewodnik
metal-semiconductor rectifier contact
epitaxial layer
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
metoda C-V
Electronic - journal - materials
C-V method
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1987 nr 2(58)
Korekcja profilu rezystywności przy wykorzystaniu metody rezystancji rozpływu
Korekcja profilu rezystywności przy wykorzystaniu metody rezystancji rozpływu = Correction of the resistivity profiles measured by the spreading resistance method
Autorzy:: Brzozowski Andrzej
Współwytwórcy:: Oczkiewicz Barbara
Data publikacji:: 1987
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: Elektronika - czasopismo - materiały
metoda rezystancji i rozpływu
profil rezystywności
spreading resistance method
Materiały elektroniczne
Electronic materials
Electronic - journal - material
resistivity profile; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Pomiar czasu życia nośników mniejszościowych w krzemowych warstwach epitaksjalnych za pomocą sondy rtęciowej = Minority carriers generation lifetime measuring by means of mercury prote
Materiały Elektroniczne 1993 T.21 nr 1
Pomiar czasu życia nośników mniejszościowych w krzemowych warstwach epitaksjalnych za pomocą sondy rtęciowej
Autorzy:: Brzozowski Andrzej
Współwytwórcy:: Sarnecki Jerzy
Data publikacji:: 1993
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: Si
warstwa epitaksjalna
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
czas życia nośników
silicon epitaxial layer
Elektronika - czasopismo - materiały
minority carriers lifetime
Electronic - journal - materials; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Pomiar koncentracji nośników ładunku w płytkach monokryształów objętościowych i warstwach epitaksjalnych SiC za pomocą sondy rtęciowej
Autorzy:: Brzozowski, Andrzej
Data publikacji:: 2008
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Pomiar koncentracji nośników ładunku w płytkach monokryształów objętościowych i warstwach epitaksjalnych SiC za pomocą sondy rtęciowej
Autorzy:: Brzozowski, Andrzej
Data publikacji:: 2008
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Pomiar koncentracji nosników ładunku w płytkach monokryształów objętościowych i warstwach epitaksjalnych SiC za pomocą sondy rtęciowej = Measurement of charge carrier concentration in SiC wafers of bulk crystals and epitaxial layers using mercury probe
Pomiar koncentracji nosników ładunku w płytkach monokryształów objętościowych i warstwach epitaksjalnych SiC za pomocą sondy rtęciowej
Materiały Elektroniczne 2008 T.36 nr 2
Autorzy:: Brzozowski Andrzej
Data publikacji:: 2008
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: SiC
sonda rtęciowa
charge carier concentration
koncentracja nosników ładunku
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
mercury probe
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1981 nr 3/4(35/36)
Wpływ stanu powierzchni i krzemu na pomiar rezystywności metodą "oporności rozpływu"
Wpływ stanu powierzchni i krzemu na pomiar rezystywności metodą "oporności rozpływu" = The influence of the surface conditions on the resistivity measurements of silicon by the spreading resistance method
Autorzy:: Brzozowski Andrzej
Współwytwórcy:: Tomaszewski Jacek
Data publikacji:: 1982
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: płytka krzemowa
sprending resistance method
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
rezystywność
Si wafer
resistivity
metoda oporności rozpływu
Elektronika - czasopismo - materiały
Electronic - journal - materials; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Wysokorezystywne wzorce do profilu rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych metodą oporności rozpływu w styku punktowym
Materiały Elektroniczne 2013 T. 41 nr 4
Wysokorezystywne wzorce do profilu rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych metodą oporności rozpływu w styku punktowym = High resistivity standards for measurement of resistivity profile in silicon epitaxial layers by spreading resistance method
Autorzy:: Brzozowski Andrzej
Współwytwórcy:: Lipiński Dariusz
Sarnecki Jerzy
Wodzińska Halina
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: oporność rozpływu
warstwa epitaksjalna
krzem monokrystaliczny
rezystywność; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę "Brzozowski, Andrzej" wg kryterium: Autor