Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Brzozowski, Andrzej" wg kryterium: Autor


Tytuł:
Pomiar koncentracji nosników ładunku w płytkach monokryształów objętościowych i warstwach epitaksjalnych SiC za pomocą sondy rtęciowej = Measurement of charge carrier concentration in SiC wafers of bulk crystals and epitaxial layers using mercury probe
Pomiar koncentracji nosników ładunku w płytkach monokryształów objętościowych i warstwach epitaksjalnych SiC za pomocą sondy rtęciowej
Materiały Elektroniczne 2008 T.36 nr 3
Autorzy:
Brzozowski Andrzej
Data publikacji:
2008
Wydawca:
ITME
Słowa kluczowe:
SiC
sonda rtęciowa
charge carrier concentration
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
koncentracja nośników ładunku
mercury probe
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały
Pokaż więcej
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Materiały Elektroniczne1983 nr 4(44)
Materiały Elektroniczne 1983 nr 4(44)
Pomiar warstw epitaksjalnych metoda C-V przy użyciu sondy rtęciowej = Measurements of the epitaxial layers parameters by means of C-V method with Hg probe
Pomiar warstw epitaksjalnych metoda C-V przy użyciu sondy rtęciowej
Autorzy:
Brzozowski Andrzej
Współwytwórcy:
Szymkiewicz Andrzej
Data publikacji:
1984
Wydawca:
Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:
warstwa epitaksjalna
złącze prostujące metal-półprzewodnik
metal-semiconductor rectifier contact
epitaxial layer
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
metoda C-V
Electronic - journal - materials
C-V method
Elektronika - czasopismo - materiały
Pokaż więcej
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Materiały Elektroniczne 1987 nr 2(58)
Korekcja profilu rezystywności przy wykorzystaniu metody rezystancji rozpływu
Korekcja profilu rezystywności przy wykorzystaniu metody rezystancji rozpływu = Correction of the resistivity profiles measured by the spreading resistance method
Autorzy:
Brzozowski Andrzej
Współwytwórcy:
Oczkiewicz Barbara
Data publikacji:
1987
Wydawca:
Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:
Elektronika - czasopismo - materiały
metoda rezystancji i rozpływu
profil rezystywności
spreading resistance method
Materiały elektroniczne
Electronic materials
Electronic - journal - material
resistivity profile
Pokaż więcej
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Pomiar czasu życia nośników mniejszościowych w krzemowych warstwach epitaksjalnych za pomocą sondy rtęciowej = Minority carriers generation lifetime measuring by means of mercury prote
Materiały Elektroniczne 1993 T.21 nr 1
Pomiar czasu życia nośników mniejszościowych w krzemowych warstwach epitaksjalnych za pomocą sondy rtęciowej
Autorzy:
Brzozowski Andrzej
Współwytwórcy:
Sarnecki Jerzy
Data publikacji:
1993
Wydawca:
ITME
Słowa kluczowe:
Si
warstwa epitaksjalna
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
czas życia nośników
silicon epitaxial layer
Elektronika - czasopismo - materiały
minority carriers lifetime
Electronic - journal - materials
Pokaż więcej
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Pomiar koncentracji nośników ładunku w płytkach monokryształów objętościowych i warstwach epitaksjalnych SiC za pomocą sondy rtęciowej
Autorzy:
Brzozowski, Andrzej
Data publikacji:
2008
Dostawca treści:
Academica
Artykuł
Tytuł:
Pomiar koncentracji nośników ładunku w płytkach monokryształów objętościowych i warstwach epitaksjalnych SiC za pomocą sondy rtęciowej
Autorzy:
Brzozowski, Andrzej
Data publikacji:
2008
Dostawca treści:
Academica
Artykuł
Tytuł:
Pomiar koncentracji nosników ładunku w płytkach monokryształów objętościowych i warstwach epitaksjalnych SiC za pomocą sondy rtęciowej = Measurement of charge carrier concentration in SiC wafers of bulk crystals and epitaxial layers using mercury probe
Pomiar koncentracji nosników ładunku w płytkach monokryształów objętościowych i warstwach epitaksjalnych SiC za pomocą sondy rtęciowej
Materiały Elektroniczne 2008 T.36 nr 2
Autorzy:
Brzozowski Andrzej
Data publikacji:
2008
Wydawca:
ITME
Słowa kluczowe:
SiC
sonda rtęciowa
charge carier concentration
koncentracja nosników ładunku
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
mercury probe
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały
Pokaż więcej
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Materiały Elektroniczne 1981 nr 3/4(35/36)
Wpływ stanu powierzchni i krzemu na pomiar rezystywności metodą "oporności rozpływu"
Wpływ stanu powierzchni i krzemu na pomiar rezystywności metodą "oporności rozpływu" = The influence of the surface conditions on the resistivity measurements of silicon by the spreading resistance method
Autorzy:
Brzozowski Andrzej
Współwytwórcy:
Tomaszewski Jacek
Data publikacji:
1982
Wydawca:
Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:
płytka krzemowa
sprending resistance method
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
rezystywność
Si wafer
resistivity
metoda oporności rozpływu
Elektronika - czasopismo - materiały
Electronic - journal - materials
Pokaż więcej
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Wysokorezystywne wzorce do profilu rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych metodą oporności rozpływu w styku punktowym
Materiały Elektroniczne 2013 T. 41 nr 4
Wysokorezystywne wzorce do profilu rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych metodą oporności rozpływu w styku punktowym = High resistivity standards for measurement of resistivity profile in silicon epitaxial layers by spreading resistance method
Autorzy:
Brzozowski Andrzej
Współwytwórcy:
Lipiński Dariusz
Sarnecki Jerzy
Wodzińska Halina
Data publikacji:
2013
Wydawca:
ITME
Słowa kluczowe:
oporność rozpływu
warstwa epitaksjalna
krzem monokrystaliczny
rezystywność
Pokaż więcej
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Czynniki wpływające na wybór specjalizacji z medycyny rodzinnej przez studentów VI roku Wydziału Lekarskiego Uniwersytetu Medycznego w Lublinie
Autorzy:
Brzozowski, Andrzej
Jaroszyński, Andrzej
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Stowarzyszenie Przyjaciół Medycyny Rodzinnej i Lekarzy Rodzinnych
Tematy:
specjalizacja z medycyny rodzinnej motywy wyboru specjalizacji podstawowa opieka zdrowotna
Pokaż więcej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The crystal and molecular structure of tetrabenzo-[b, f ,h , 1 ] -1,4 , 11-oxadiazacyclotridecan-5, 10-dione
Struktura cząsteczki i kryształów tetrabenzo-[b, f ,h , 1] -1,4, 11-oxadiazacyclotridecan-5, 10-dionu
Autorzy:
Renz, Magdalena
Olszak, Tomasz A
Stępień, Andrzej
Brzozowski, Andrzej M
Grabowski, Mieczysław J
Glinka, Ryszard
Data publikacji:
1991
Wydawca:
Uniwersytet Łódzki. Wydawnictwo Uniwersytetu Łódzkiego
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The Molecular and Crystal Structure of Benzyloxycarbonyl- L, D-Phenylalanyl-(α, β, dehydro) Phenylalanine (1)
Struktura kryształów i cząsteczki benzylokarhonylo-L, D-fenyloalanylo-(α, β, dehydro) fenyloalaniny (1)
Autorzy:
Brzozowski, Andrzej M
Olszak, Tomasz A
Stępień, Andrzej
Grabowski, Mieczysław J
Wasiak, Tadeusz
Koziołkiewicz, Witold
Lecocq, Silvain
Data publikacji:
1988
Wydawca:
Uniwersytet Łódzki. Wydawnictwo Uniwersytetu Łódzkiego
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Pomiar rozkładu fosforu w warstwach epitaksjalnych GaAs1-xPx w oparciu o efekt fotowoltaiczny
Materiały Elektroniczne 1980 nr 1(29)
Pomiar rozkładu fosforu w warstwach epitaksjalnych GaAs1-xPx w oparciu o efekt fotowoltaiczny = Phosphorus contents profile measurement in GaAs1-xPx epitaxial layers, based on photovoltaic phenomenon
Materiały Elektroniczne 1980 nr 1|(29)
Autorzy:
Roszkiewicz Krzysztof
Współwytwórcy:
Brzozowski Andrzej
Data publikacji:
1981
Wydawca:
Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:
GaAsP
efekt fotowoltaiczny
photovoltaic phenomenon
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
koncentracja fosforu
phosphorus concentration
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały
Pokaż więcej
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Mechaniczno-chemiczne polerowanie monokrystalicznych płytek związków AIIIBV
Materiały Elektroniczne 1980 nr 2(30)
Mechaniczno-chemiczne polerowanie monokrystalicznych płytek związków AIIIBV = Mechanical-chemical polishing of monocrystallic wafers of AIIIBV compounds
Autorzy:
Otto Elżbieta
Współwytwórcy:
Brzozowski Waldemar
Hruban Andrzej
Data publikacji:
1981
Wydawca:
Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
mechanical-chemical polishing
AIIIBV
polerowanie chimiczno-mechaniczne
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały
Pokaż więcej
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Electronic Materials Vol. 42 Nr 1
Metoda otrzymywania monokrystalicznych folii krzemowych z wykorzystaniem krzemu porowatego
Materiały Elektroniczne. T. 42 Nr 1
Metoda otrzymywania monokrystalicznych folii krzemowych z wykorzystaniem krzemu porowatego = A method of obtaining monocrystalline silicon foils using porous silicon
Autorzy:
Sarnecki Jerzy
Współwytwórcy:
Lipiński Dariusz
Brzozowski Andrzej
Data publikacji:
2014
Wydawca:
ITME
Słowa kluczowe:
warstwa epitaksjalna
epitaxial layer
krzem porowaty
folia krzemowa
CVD
silicon foil
porous silicon
Pokaż więcej
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Zabudowa rejestratora parametrów lotu S2-3a na pokładach samolotów SU-22 i MiG-29
Installation of the S2-3a flight parameters recorder on board Su-22 and MiG-29 aircrafts
Autorzy:
Tomyślak, Adam
Nowakowski, Mirosław
Brzozowski, Marek
Szelmanowski, Andrzej
Data publikacji:
2024
Wydawca:
Instytut Techniczny Wojsk Lotniczych
Tematy:
eksploatacja
bezpieczeństwo
rejestrator parametrów lotu
exploitation
safety
flight data recorder
Pokaż więcej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies