Temat: GaN transistor - Prolib Integro

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "GaN transistor" wg kryterium: Temat

Wyświetlanie 1-10 z 21

Zaznacz

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Broadband power electronics controlled current source with analogue control section and output stage based on GaN transistors
Autorzy:: Gwóźdź, M.
Data publikacji:: 2017
Wydawca:: Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:: converter control
GaN transistor
interleaved technique
pulse modulation; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Broadband power electronics controlled current source with analogue control section and output stage based on GaN transistors
Autorzy:: Gwóźdź, M.
Data publikacji:: 2017
Słowa kluczowe:: converter control
GaN transistor
interleaved technique
pulse modulation; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Modularny przekształtnik wielopoziomowy z wykorzystaniem półprzewodników z azotku galu
Autorzy:: Straś, Andrzej
Jackiewicz, Krzysztof
Miazga, Tomasz
Bałkowiec, Tomasz
Gierczyński, Michał
Kaszewski, Arkadiusz
Data publikacji:: 2019
Słowa kluczowe:: modularny przekształtnik wielopoziomowy
tranzystor GaN
falownik napięcia
energoelektronika
modular multilevel converter
GaN transistor
voltage source inverter
power electronic; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Rezonansowy wzmacniacz klasy E z tranzystorem GaN - wybrane praktyczne aspekty
Autorzy:: Mikołajewski, M.
Data publikacji:: 2018
Słowa kluczowe:: wzmacniacz klasy E
tranzystor GaN
kluczowanie ZVS
zabezpieczenie przepięciowe
class E amplifier
GaN transistor
ZVS switching
overvoltage protection; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Broadband power electronics controlled voltage source with output stage based on GaN transistors
Autorzy:: Gwóźdź, M.
Data publikacji:: 2018
Słowa kluczowe:: converter topology
GaN transistor
pulse modulation
reference voltage generator
struktura przekształtnika
tranzystor GaN
modulacja impulsowa
generator napięcia wzorcowego; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Jednofazowy mostkowy przekształtnik DC-AC z tranzystorami GaN GIT
Autorzy:: Wydźgowski, L.
Niewiara, Ł. J.
Tarczewski, T.
Grzesiak, L M.
Zieliński, M.
Data publikacji:: 2018
Słowa kluczowe:: tranzystor GaN GIT
przekształtnik DC/AC
analiza harmonicznych
GaN GIT transistor
DC/AC inverter
harmonics analysis; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Modułowy synchroniczny przekształtnik DC/DC w technologii GaN o dużej obciążalności prądowej
Autorzy:: Grzejszczak, Piotr
Nowatkiewicz, Bartosz
Data publikacji:: 2025
Słowa kluczowe:: tranzystory GaN
układ DC obniżający napięcie
wielogałęziowy przekształtnik synchroniczny
badanie eksperymentalne
GaN transistor
DC/DC synchronous buck converter
interleaved DC/DC converter
experimental research; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Modelling and Simulation of Normally-Off AlGaN/GaN MOS-HEMTs
Autorzy:: Taube, A.
Sochacki, M.
Szmidt, J.
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Data publikacji:: 2014
Słowa kluczowe:: gallium nitride
MOS-HEMT
high electron mobility
transistor
AlGaN
GaN
simulation; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Model DC tranzystora GaN HEMT z uwzględnieniem parametrów fizycznych
Autorzy:: Wojtasiak, W.
Kuchta, D.
Data publikacji:: 2015
Słowa kluczowe:: GaN
HEMT
tranzystor
ruchliwość
koncentracja
transistor
modeling
electron mobility
concentration; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Modelling and Simulation of Normally-Off AlGaN/GaN MOS-HEMTs
Autorzy:: Taube, A.
Sochacki, M.
Szmidt, J.
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Data publikacji:: 2014
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:: gallium nitride
MOS-HEMT
high electron mobility
transistor
AlGaN
GaN
simulation; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Wyświetlanie 1-10 z 21

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Wyszukujesz frazę "GaN transistor" wg kryterium: Temat