Temat: GaN transistor - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Broadband power electronics controlled current source with analogue control section and output stage based on GaN transistors
Autorzy:: Gwóźdź, M.
Data publikacji:: 2017
Wydawca:: Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:: converter control
GaN transistor
interleaved technique
pulse modulation; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Broadband power electronics controlled current source with analogue control section and output stage based on GaN transistors
Autorzy:: Gwóźdź, M.
Data publikacji:: 2017
Słowa kluczowe:: converter control
GaN transistor
interleaved technique
pulse modulation; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Modularny przekształtnik wielopoziomowy z wykorzystaniem półprzewodników z azotku galu
Autorzy:: Straś, Andrzej
Jackiewicz, Krzysztof
Miazga, Tomasz
Bałkowiec, Tomasz
Gierczyński, Michał
Kaszewski, Arkadiusz
Data publikacji:: 2019
Słowa kluczowe:: modularny przekształtnik wielopoziomowy
tranzystor GaN
falownik napięcia
energoelektronika
modular multilevel converter
GaN transistor
voltage source inverter
power electronic; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Rezonansowy wzmacniacz klasy E z tranzystorem GaN - wybrane praktyczne aspekty
Autorzy:: Mikołajewski, M.
Data publikacji:: 2018
Słowa kluczowe:: wzmacniacz klasy E
tranzystor GaN
kluczowanie ZVS
zabezpieczenie przepięciowe
class E amplifier
GaN transistor
ZVS switching
overvoltage protection; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Broadband power electronics controlled voltage source with output stage based on GaN transistors
Autorzy:: Gwóźdź, M.
Data publikacji:: 2018
Słowa kluczowe:: converter topology
GaN transistor
pulse modulation
reference voltage generator
struktura przekształtnika
tranzystor GaN
modulacja impulsowa
generator napięcia wzorcowego; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Jednofazowy mostkowy przekształtnik DC-AC z tranzystorami GaN GIT
Autorzy:: Wydźgowski, L.
Niewiara, Ł. J.
Tarczewski, T.
Grzesiak, L M.
Zieliński, M.
Data publikacji:: 2018
Słowa kluczowe:: tranzystor GaN GIT
przekształtnik DC/AC
analiza harmonicznych
GaN GIT transistor
DC/AC inverter
harmonics analysis; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Modułowy synchroniczny przekształtnik DC/DC w technologii GaN o dużej obciążalności prądowej
Autorzy:: Grzejszczak, Piotr
Nowatkiewicz, Bartosz
Data publikacji:: 2025
Słowa kluczowe:: tranzystory GaN
układ DC obniżający napięcie
wielogałęziowy przekształtnik synchroniczny
badanie eksperymentalne
GaN transistor
DC/DC synchronous buck converter
interleaved DC/DC converter
experimental research; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Modelling and Simulation of Normally-Off AlGaN/GaN MOS-HEMTs
Autorzy:: Taube, A.
Sochacki, M.
Szmidt, J.
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Data publikacji:: 2014
Słowa kluczowe:: gallium nitride
MOS-HEMT
high electron mobility
transistor
AlGaN
GaN
simulation; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Model DC tranzystora GaN HEMT z uwzględnieniem parametrów fizycznych
Autorzy:: Wojtasiak, W.
Kuchta, D.
Data publikacji:: 2015
Słowa kluczowe:: GaN
HEMT
tranzystor
ruchliwość
koncentracja
transistor
modeling
electron mobility
concentration; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Modelling and Simulation of Normally-Off AlGaN/GaN MOS-HEMTs
Autorzy:: Taube, A.
Sochacki, M.
Szmidt, J.
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Data publikacji:: 2014
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:: gallium nitride
MOS-HEMT
high electron mobility
transistor
AlGaN
GaN
simulation; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Parametry tranzystorów GaN HEMT – wyniki I etapu projektu PolHEMT
Autorzy:: Wojtasiak, W.
Gwarek, W.
Piotrowska, A.
Kamińska, E.
Data publikacji:: 2015
Słowa kluczowe:: mikrofala
GaN
HEMT
tranzystor
modelowanie
układ aktywny
microwave
transistor
modeling
active device; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: Zastosowanie tranzystorów HEMT z azotku galu w impulsowych przekształtnikach mocy
Autorzy:: Janke, W.
Data publikacji:: 2016
Wydawca:: Politechnika Koszalińska. Wydawnictwo Uczelniane
Tematy:: azotek galu
GaN
tranzystory HEMT
impulsowe przekształtniki mocy
gallium nitride
HEMT transistor
power converters; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Zastosowanie tranzystorów HEMT z azotku galu w impulsowych przekształtnikach mocy
Autorzy:: Janke, W.
Data publikacji:: 2016
Słowa kluczowe:: azotek galu
GaN
tranzystory HEMT
impulsowe przekształtniki mocy
gallium nitride
HEMT transistor
power converters; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Wzmacniacz niskoszumny z tranzystorem GaN PolHEMT na pasmo L
Autorzy:: Gryglewski, D.
Góralczyk, M.
Sokół, S.
Data publikacji:: 2015
Słowa kluczowe:: wzmacniacz niskoszumny
mikrofala
GaN
HEMT
tranzystor
modelowanie
układ aktywny
LNA
amplifier
microwave
transistor
modeling; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: Montaż struktur AlGaN/GaN na Si do podłoży DBC w oparciu o technologię SLID oraz zgrzewania dyfuzyjnego mikroproszkiem Ag
Autorzy:: Kisiel, Ryszard
Sochacki, Mariusz
Taube, Andrzej
Guziewicz, Marek
Data publikacji:: 2019
Słowa kluczowe:: montaż
technologia połączeń SLID
DBC
HEMT
AlGaN/GaN/Si
assembly
SLID technology
HEMT transistor; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: Gate driver with overcurrent protection circuit for GaN transistors
Autorzy:: Derkacz, Paweł
Musznicki, Piotr
Data publikacji:: 2019
Słowa kluczowe:: wide band gap semiconductors
GaN transistors
power transistor
overcurrent protection
SMPS
gate circuit
półprzewodniki szerokoprzerwowe
tranzystor GaN
tranzystor mocy
zabezpieczenie przeciwprzeciążeniowe
układ impulsowy
obwód bramkowy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: Wzmacniacz mocy z tranzystorem GaN PolHEMT na pasmo L
Autorzy:: Kuchta, D.
Wojtasiak, W.
Data publikacji:: 2015
Słowa kluczowe:: wzmacniacz mocy
mikrofala
GaN
HEMT
tranzystor
modelowanie
moduł N/O
układ aktywny
power amplifier
microwave
transistor
modelling
T/R module; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: Komputerowe modelowanie przyrządów opartych na heterostrukturze AIGaN/GaN/Al2O3
Autorzy:: Pasecki, T.
Kośnikowski, W.
Data publikacji:: 2005
Słowa kluczowe:: modelowanie
HFET
2DEG
GaN
AlGaN
heterostruktura
polaryzacja piezoelektryczna
polaryzacja spontaniczna
polarność
modelling
AIGaN
heterostructure
piezoelectric polarisation
spontaneous polarisation
polarity
transistor; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: Resonant step-down DC-DC converter based on GaN power integrated circuits and SiC diodes
Autorzy:: Stala, Robert
Folmer, Szymon
Mondzik, Andrzej
Data publikacji:: 2024
Słowa kluczowe:: GaN
GaN power IC
SiC diode
high frequency
high efficiency
gallium nitride transistor
silicon–carbide diode
DC-DC buck converter
dioda SiC
przetwornica DC-DC typu buck
wysoka częstotliwość
wysoka wydajność
tranzystor azotku galu; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: Badania ewaluacyjne tranzystora 650 V E-HEMT GaN do zastosowań w wysokosprawnych przekształtnikach DC/DC
Autorzy:: Czyż, P.
Cichowski, A.
Śleszyński, W.
Data publikacji:: 2015
Słowa kluczowe:: azotek galu
GaN
E-HEMT
przekształtnik obniżający
napięcie
straty mocy
gallium nitride
enhancement mode
high electron mobility transistor E-HEMT
DC/DC converters
power losses; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 21.

Tytuł:: Badania ewaluacyjne tranzystora 650 V E-HEMT GaN do zastosowań w wysokosprawnych przekształtnikach DC/DC
Evaluation of a 650 V E-HEMT GaN transistor for high-efficiency DC/DC converters
Autorzy:: Czyż, P.
Cichowski, A.
Śleszyński, W.
Data publikacji:: 2015
Wydawca:: Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
Tematy:: azotek galu
GaN
E-HEMT
przekształtnik obniżający
napięcie
straty mocy
gallium nitride
enhancement mode
high electron mobility transistor E-HEMT
DC/DC converters
power losses; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę "GaN transistor" wg kryterium: Temat