Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:

Fiber-reinforced ceramic matrix composites: state of the art, challenge and perspective

Autorzy:

Naslain, R.R.

Data publikacji:

2005

Słowa kluczowe:

kompozyt
osnowa ceramiczna
C/SiC
SiC/SiC
zastosowanie
temperatura wysoka
ceramic matrix composite
HT-applications

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:

Przeprowadzenie prób obejmujących miernictwo i charakteryzację opracowanych elementów, przyrządów i prototypowych podukładów funkcjonalnych zgodnie z obowiązującymi normami : zadanie 4. projektu "Nowe Technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wysokich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur"

Autorzy:

Konczakowska, A.
Gwarek, W.
Napieralski, A.
Zarębski, J.

Data publikacji:

2006

Słowa kluczowe:

węglik krzemu (SiC)
elementy z węglika krzemu
przyrządy SiC
zastosowanie elementów i przyrządów z SiC
pomiary parametrów i charakterystyk prządów z SiC
właściwości statyczne prządów z SiC
właściwości dynamiczne prządów z SiC
właściwości termiczne prządów z SiC
właściwości szumowe elementów i przyrządów z SiC
modele elektryczne elementów i przyrządów z SiC
aplikacja elementów i przyrządów z SiC
silicon carbide
SiC components and devices
SiC measurements of parameters
SiC characteristics
SiC static parameters
SiC dynamic parameters
SiC thermal parameters
SiC noise properties
SiC electrical and thermal models
SiC application of components and devices

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:

Implantowane warstwy rezystancyjne w węgliku krzemu

Autorzy:

Synowiec, Z.

Data publikacji:

2003

Słowa kluczowe:

właściwości SiC
warstwy wysokorezystancyjne
przyrządy SiC
implantacja jonów
SiC material parameters
highresistance layers
SiC devices
ion implantation

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:

Comparison of 4H-SiC and 6H-SiC MOSFET I-V characteristics simulated with Silvaco Atlas and Crosslight Apsys

Autorzy:

Stęszewski, J.
Jakubowski, A.
Korwin-Pawlowski, M. L.

Data publikacji:

2007

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy

Tematy:

silicon carbide
SiC MOSFET
4H-SiC
6H-SiC
Crosslight Apsys
Silvaco Atlas

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:

Grafityzacja powierzchni SiC (0001)
Surface graphitization process of SiC(0001).

Autorzy:

Wróbel, Sonia

Słowa kluczowe:

graphene, graphitization, SiC, ARPES
grafen, grafityzacja, SiC, ARPES

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Repozytorium Uniwersytetu Jagiellońskiego

/5

Inne

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:

Tranzystory mocy typu MOS z węglika krzemu

Autorzy:

Zarębski, J.

Data publikacji:

2004

Słowa kluczowe:

SiC
tranzystory mocy
SiC MOSFET
power transistors

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:

Wpływ energii fotonów na obraz prążków widmowych otrzymywanych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej dla centrów defektowych w półizolujących monokryształach 4H-SiC:V
Effect of photon energy on image of spectral fringes obtained by photoinduced transient spectroscopy for defect centres in semi-insulating 4H-SiC:V single crystals

Autorzy:

Miczuga, M.
Kamiński, P.
Kozłowski, R.
Pawłowski, M.

Data publikacji:

2009

Wydawca:

Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego

Tematy:

PITS
centra defektowe
półizolujący SiC
defect centres
SI SiC

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:

Wpływ energii fotonów na obraz prążków widmowych otrzymywanych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej dla centrów defektowych w półizolujących monokryształach 4H-SiC:V

Autorzy:

Miczuga, M.
Kamiński, P.
Kozłowski, R.
Pawłowski, M.

Data publikacji:

2009

Słowa kluczowe:

PITS
centra defektowe
półizolujący SiC
defect centres
SI SiC

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:

Badania procesu mielenia wibracyjnego węglika krzemu na sucho

Autorzy:

Sidor, J.
Tomach, P.

Data publikacji:

2015

Słowa kluczowe:

mielenie wibracyjne
mielenie SiC
młyn wibracyjny
SiC
milling of SiC
vibrating mill
vibratory milling

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:

Comparison of 4H-SiC and 6H-SiC MOSFET I-V characteristics simulated with Silvaco Atlas and Crosslight Apsys

Autorzy:

Stęszewski, J.
Jakubowski, A.
Korwin-Pawlowski, M. L.

Data publikacji:

2007

Słowa kluczowe:

silicon carbide
SiC MOSFET
4H-SiC
6H-SiC
Crosslight Apsys
Silvaco Atlas

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:

Trójfazowy 4-gałęziowy falownik SiC w napędzie z wysokoobrotowym silnikiem indukcyjnym

Autorzy:

Giziewski, Sebastian
Adamowicz, Marek
Krzemiński, Zbigniew

Data publikacji:

2023

Słowa kluczowe:

falownik SiC 4-gałęziowy
SiC MOSFET
napięcie common mode
silnik wysokoobrotowy
4-legm SiC inverter
SIC MOSFET
common mode voltage
high-speed motors

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:

Przegląd metod czyszczenia powierzchni podłoży SiC

Autorzy:

Martychowiec, Agnieszka
Kwietniewski, Norbert
Sochacki, Mariusz

Data publikacji:

2019

Słowa kluczowe:

węglik krzemu
SiC
przygotowanie powierzchni SiC
technologia półprzewodnikowa
silicon carbide
SiC surface preparation
semiconductor technology

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:

Wpływ nierówności powierzchni na właściwości tribologiczne elementów ślizgowych w skojarzeniu materiałowym SiC–42CrMo4
The effect of surface roughness on the tribological properties of sliding elements in material assembly SiC–42CrMo4

Autorzy:

Bulikowska, B.
Gałda, L.

Data publikacji:

2015

Wydawca:

Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich

Tematy:

chropowatość powierzchni
twardość
ceramika SiC
surface roughness
hardness
SiC ceramics

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:

Wzrost politypu 4H na podłożu o strukturze 6H w procesie monokrystalizacji SiC metodą transportu fizycznego z fazy gazowej. Rozprawa doktorska
Praca doktorska.

Autorzy:

Tymicki Emil

Współwytwórcy:

Grasza, Krzysztof. Promotor

Data publikacji:

2011

Wydawca:

ITME

Słowa kluczowe:

4H-SiC
Electronic - materials
6H-SiC
PVT

Pokaż więcej

Dostawca treści:

RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

/5

Książka

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:

Gate driver for SiC Mosfet transistors

Autorzy:

Mysiński, W.
Jakubas, W.

Data publikacji:

2016

Słowa kluczowe:

SiC Mosfet
gate driver
tranzystor Mosfet SiC
sterownik bramy

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:

Zastosowanie elektronowego rezonansu spinowego (ESR) do określania politypu kryształów SiC
Application of electron spin resonance (ESR) to polytype determination of SiC crystals

Autorzy:

Pawłowski, M.

Data publikacji:

2008

Wydawca:

Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Tematy:

elektronowy rezonans spinowy
polityp kryształów SiC
określanie politypu kryształów
kryształ SiC

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:

Zastosowanie kompozytowego mieszadła SiC/C w układach mieszania zawiesin

Autorzy:

Dolata-Grosz, A.
Hufenbach, W.
Śleziona, J.
Gude, M.
Czulak, A.

Data publikacji:

2009

Słowa kluczowe:

CMC
mieszadło SiC/C
zawiesina
właściwości
SiC/C stirrer
suspension
properties

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:

Zastosowanie elektronowego rezonansu spinowego (ESR) do określania politypu kryształów SiC

Autorzy:

Pawłowski, M.

Data publikacji:

2008

Słowa kluczowe:

elektronowy rezonans spinowy
polityp kryształów SiC
określanie politypu kryształów
kryształ SiC

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:

Oszacowanie korelacji między źródłami prądowymi zlokalizowanymi w bramce i drenie tranzystora MESFET SiC

Autorzy:

Cichosz, J.
Stawarz-Graczyk, B.
Szewczyk, A.

Data publikacji:

2010

Słowa kluczowe:

źródła prądowe
tranzystor MESFET SiC
drain current noise sources
SiC MESFET

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:

Analysis of the use of transistors based on SiC technology in inverters in the context of electromagnetic compatibility

Autorzy:

Czuchra, W.
Woszczyna, B.
Mysiński, W.

Data publikacji:

2016

Słowa kluczowe:

power electronics
transistors SiC
electromagnetic compatibility
energoelektronika
tranzystory SiC
kompatybilność elektromagnetyczna

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 21.

Tytuł:

Microstructure of sintered Cu/SiC composites

Autorzy:

Gwoździk, M.
Bałaga, Z.

Data publikacji:

2018

Słowa kluczowe:

sinters Cu/SiC
porosity
SEM
XRD
laminaty spieki Cu/SiC
porowatość

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 22.

Tytuł:

Tribologiczne właściwości galwanicznych powłok niklowych zawierających nano i mikrocząstki SiC

Autorzy:

Wajs, E.

Data publikacji:

2013

Słowa kluczowe:

właściwości tribologiczne
powłoka galwaniczna
powłoka niklowa
nanocząstki SiC
mikrocząstki SiC
struktura gradientowa
tribological properties
electroplated coating
nickel coating
SiC nanoparticles
SiC microparticles
gradient structure

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 23.

Tytuł:

Porównanie charakterystyk przetwornicy SEPIC zawierającej tranzystory MOSFET wykonane z krzemu i węglika krzemu

Autorzy:

Downar-Zapolski, Michał

Data publikacji:

2024

Słowa kluczowe:

węglik krzemu
SIC
krzem
SI
przetwornica dc-dc
SEPIC
tranzystor SiC
carborundum
dc-dc converters
transistor SiC

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 24.

Tytuł:

Kompozyty SiC-C

Autorzy:

Gubernat, A.
Stobierski, L.
Rudnik, T.

Data publikacji:

2001

Słowa kluczowe:

kompozyty
kompozyty SiC-C
mikrostruktura
composites
SiC-C system
microstructure

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 25.

Tytuł:

Układy sterowania bramkowego tranzystorów z węglika krzemu SiC JFET w falownikach napięcia

Autorzy:

Adamowicz, M.
Pietryka, J.
Giziewski, S.
Rutkowski, M.
Krzemiński, Z.

Data publikacji:

2012

Słowa kluczowe:

przyrządy półprzewodnikowe z węglika krzemu
dioda Schottky'ego SiC
układy sterowania bramkowego
silicon carbide
SiC JFET
SiC Schottky diode

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 26.

Tytuł:

Węglik krzemu włóknisty - frakcja wdychalna i włókna respirabilne. Dokumentacja proponowanych wartości dopuszczalnych poziomów narażenia zawodowego

Autorzy:

Bujak-Pietrek, Stella
Rogalska, Aneta

Data publikacji:

2024

Słowa kluczowe:

węglik krzemu
włóknisty SiC
wiskersy SiC
czynnik rakotwórczy
narażenie zawodowe
wartość NDS
środowisko pracy
silicon carbide
fibrous SiC
SiC whiskers
carcinogen
occupational exposure
OEL value
occupational environment

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 27.

Tytuł:

Charakterystyka tranzystorów z węglika krzemu w wysokosprawnych przekształtnikach

Autorzy:

Adamowicz, M.

Data publikacji:

2014

Słowa kluczowe:

węglik krzemu
SiC MOSFET
SiC-JFET
przekształtnik energoelektroniczny
układy sterowania bramkowego
silicon carbide
SiC JFET
power converter
gate driver circuit

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 28.

Tytuł:

SiC technology enters the market

Autorzy:

Kozłowska, Małgorzata

Data publikacji:

2018

Słowa kluczowe:

SiC technology
silicon carbide
railway track
technologia SiC
węglik krzemu
tory kolejowe

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 29.

Tytuł:

Technologia SiC wkracza na rynek

Autorzy:

Kozłowska, M.

Data publikacji:

2018

Słowa kluczowe:

przetwornica SiC
pojazdy szynowe
autobus elektryczny
SiC converter
rolling stock
electric buses

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 30.

Tytuł:

Kucie kompozytu Al-5% SiC otrzymanego z proszków

Autorzy:

Szczepanik, S.

Data publikacji:

1998

Słowa kluczowe:

kucie
kompozyt Al-SiC
materiały kompozytowe
forging
composite Al-SiC
composite materials

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 31.

Tytuł:

Analiza stanu naprężenie–odkształcenie w powłokach galwanicznych zawierających cząstki SiC

Autorzy:

Wajs, E.

Data publikacji:

2015

Słowa kluczowe:

powłoki galwaniczne
cząstki SiC
naprężenie
odkształcenie
SiC particles
galvanized coatings
stress-strain

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 32.

Tytuł:

Badania właściwości tranzystora Z-FET MOSFET wykonanego z węglika krzemu CMF20120D firmy CREE

Autorzy:

Sak, T.
Parchomiuk, M.

Data publikacji:

2013

Słowa kluczowe:

węglik krzemu
tranzystor SiC MOSFET
badania
silicon carbide
SiC MOSFET transistor
research

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 33.

Tytuł:

Method and measurement system for dc characteristics measurement of power diodes in very wide current range

Autorzy:

Cichosz, J.
Szewczyk, A.
Stawarz-Graczyk, B.

Data publikacji:

2012

Słowa kluczowe:

diody SiC
pomiary
charakterystyka stałoprądowa
SiC power diode
measurement
DC characteristic

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 34.

Tytuł:

Wybrane własności kompozytu aluminium-cząstki węglika krzemu otrzymanego przez wyciskanie wyprasek z proszku

Autorzy:

Wojtaszek, M.
Szczepanik, S.

Data publikacji:

2003

Słowa kluczowe:

kompozyt
aluminium
proszek
cząstki SiC
wyciskanie
powder
composite
SiC particles
extrusion

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 35.

Tytuł:

Structure analyses of Mg-Zn-Zr matrix alloy composites reinforced with SiC particles

Autorzy:

Braszczyńska-Malik, K. N.

Data publikacji:

2007

Słowa kluczowe:

kompozyt magnezowy
cząstka SiC
struktura
magnesium matrix composite
SiC particle
structure

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 36.

Tytuł:

Method and measurement system for dc characteristics measurement of power diodes in very wide current range
Metoda i system pomiarowy do pomiaru charakterystyk stałoprądowych diod w bardzo szerokim zakresie prądów

Autorzy:

Cichosz, J.
Szewczyk, A.
Stawarz-Graczyk, B.

Data publikacji:

2012

Wydawca:

Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki

Tematy:

diody SiC
pomiary
charakterystyka stałoprądowa
SiC power diode
measurement
DC characteristic

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 37.

Tytuł:

Electromagnetic compatibility of SiC technology power converter

Autorzy:

Czuchra, W.
Mysiński, W.
Woszczyna, B.

Data publikacji:

2016

Słowa kluczowe:

power electronics
transistors SiC
electromagnetic compatibility
energoelektronika
tranzystory SiC
kompatybilność elektromagnetyczna

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 38.

Tytuł:

Wpływ nierówności powierzchni na właściwości tribologiczne elementów ślizgowych w skojarzeniu materiałowym SiC–42CrMo4

Autorzy:

Bulikowska, B.
Gałda, L.

Data publikacji:

2015

Słowa kluczowe:

chropowatość powierzchni
twardość
ceramika węglikowa
SiC
surface roughness
hardness
SiC ceramics

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 39.

Tytuł:

Analysis of the application of SIC ceramics as a tool material in the slide burnishing process
Analiza zastosowania ceramiki SIC jako materiału narzędziowego w procesie nagniatania ślizgowego

Autorzy:

Gałda, Lidia
Pająk, Dariusz

Data publikacji:

2022

Wydawca:

Politechnika Rzeszowska im. Ignacego Łukasiewicza. Oficyna Wydawnicza

Tematy:

slide burnishing
surface texture
SiC ceramics
nagniatanie ślizgowe
struktura geometryczna powierzchni
ceramika SiC

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 40.

Tytuł:

Badania możliwości zastosowania nagniatania tocznego do obróbki wykańczającej kompozytów Al-SiC

Autorzy:

Szczepanik, S.
Polowski, W.
Czechowski, K.
Wojtaszek, M.
Krawiarz, J.

Data publikacji:

2007

Słowa kluczowe:

kompozyt Al-SiC
wyciskanie
nagniatanie toczne
struktura
Al-SiC composite
exstrusion
burnishing
structure

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 41.

Tytuł:

Effect of production process parameters on densification, microstructure and selected properties of spark plasma sintered Al4Cu-xSiC composites

Autorzy:

Madej, Marcin
Leszczyńska-Madej, Beata
Wąsik, Anna
Kopeć-Surzyn, Anna
Korban, Patryk
Garbiec, Dariusz

Data publikacji:

2023

Słowa kluczowe:

AlCu-SiC composites
SPS
silicon carbide
microstructure
kompozyty AlCu-SiC
węglik krzemu
mikrostruktura

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 42.

Tytuł:

Analysis of the application of SIC ceramics as a tool material in the slide burnishing process

Autorzy:

Gałda, Lidia
Pająk, Dariusz

Data publikacji:

2022

Słowa kluczowe:

slide burnishing
surface texture
SiC ceramics
nagniatanie ślizgowe
struktura geometryczna powierzchni
ceramika SiC

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 43.

Tytuł:

15R-SiC w kryształach 4H- i 6H-SiC otrzymywanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej

Autorzy:

Tymicki, E.
Raczkiewicz, M.
Racka, K.
Grasza, K.
Kościewicz, K.
Diduszko, R.
Mazur, K.
Łukasiewicz, T.

Data publikacji:

2012

Słowa kluczowe:

SiC
15R-SiC
wtrącenie politypowe
metoda PVT
polytype inclusion
PVT method

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 44.

Tytuł:

15R-SiC w kryształach 4H- i 6H-SiC otrzymywanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej
15R-SiC inclusions in 4H- and 6H-SiC crystals grown by the physical vapour transport method

Autorzy:

Tymicki, E.
Raczkiewicz, M.
Racka, K.
Grasza, K.
Kościewicz, K.
Diduszko, R.
Mazur, K.
Łukasiewicz, T.

Data publikacji:

2012

Wydawca:

Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Tematy:

SiC
15R-SiC
wtrącenie politypowe
metoda PVT
polytype inclusion
PVT method

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 45.

Tytuł:

SiC technology enters the market

Autorzy:

Kozłowska, Małgorzata

Data publikacji:

2018

Wydawca:

Instytut Naukowo-Wydawniczy TTS

Tematy:

SiC technology
silicon carbide
railway track
technologia SiC
węglik krzemu
tory kolejowe

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 46.

Tytuł:

Technologia SiC wkracza na rynek
SiC technology enters the market

Autorzy:

Kozłowska, M.

Data publikacji:

2018

Wydawca:

Instytut Naukowo-Wydawniczy TTS

Tematy:

przetwornica SiC
pojazdy szynowe
autobusy elektryczne
SiC converter
rolling stock
electric buses

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 47.

Tytuł:

The consolidation of SiC ceramics using MAX phases as a new family of sintering activators

Autorzy:

Wozniak, Jaroslaw
Petrus, Mateusz
Moszczynska, Dorota
Lachowski, Artur
Cygan, Tomasz
Broniszewski, Kamil
Olszyna, Andrzej

Data publikacji:

2024

Słowa kluczowe:

sintering activator
mechanical properties
SiC ceramics
aktywator spiekania
właściwości mechaniczne
ceramika SiC

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 48.

Tytuł:

Spiekanie proszków diamentowych z udziałem nanocząstek

Autorzy:

Jaworska, L.
Wyżga, P.
Stobierski, L.
Królicka, B.
Rozmus, M.

Data publikacji:

2010

Słowa kluczowe:

spiekanie HP-HT
polikrystaliczne spieki diamentowe
Ti3SiC2
nano-SiC
nano-TiCN
materiały narzędziowe
HP-HT sintering
sintered polycrystalline diamond Ti3SiC2
nano-SiC nano-TiCN
tool materials

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 49.

Tytuł:

Effect of friction stir processing (FSP) on microstructure and hardness of AlMg10/SiC composite

Autorzy:

Iwaszko, J.
Kudła, K.

Data publikacji:

2019

Wydawca:

Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN

Tematy:

friction stir processing
AlMg10/SiC composite
microstructure
kompozyt AlMg10/SiC
mikrostruktura
FSP

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 50.

Tytuł:

Wpływ warstwy SiO2 pokrywającej cząstki SiC na strukturę kompozytów AlMg5-SiC

Autorzy:

Zyska, A.
Braszczyńska, K.

Data publikacji:

2000

Słowa kluczowe:

warstwa SiO2
cząstka SiC
struktura kompozytu
SiO2 layer
SiC particle
composite structure

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły