Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "etching process" wg kryterium: Temat


Tytuł:
Materiały Elektroniczne 1981 nr 1/2(33/34)
Badania niektórych parametrów procesu trawienia stali = The investigations of some parameters of steel etching process
Badania niektórych parametrów procesu trawienia stali
Autorzy:
Blinkow Wiktor
Współwytwórcy:
Mrówczyński Jacek
Data publikacji:
1982
Wydawca:
Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:
stal
Electronic - materials
etching process
Materiały elektroniczne
steel
Electronic - journal - materials
trawienie
Elektronika - czasopismo - materiały
Pokaż więcej
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Nowy sposób i urządzenie do regeneracji kwaśnych roztworów chlorku miedzi stosowanych przy produkcji obwodów drukowanych
Autorzy:
Kopyto, D.
Baranek, W.
Myczkowski, Z.
Leszczyńska-Sejda, K.
Matusiewicz, M.
Matusiewicz, T.
Matusiewicz, W.
Data publikacji:
2018
Słowa kluczowe:
obwody drukowane
regeneracja roztworów trawiących
proces utleniania
reaktor
printed circuits
etching solutions regeneration
oxidation process
reactor
Pokaż więcej
Dostawca treści:
BazTech
Artykuł
Tytuł:
Innowacyjna, ekologiczna metoda regeneracji kwaśnych roztworów chlorku miedzi stosowanych w procesie trawienia obwodów drukowanych - efekt projektu zrealizowanego w ramach Programu Innowacyjna Gospodarka
Autorzy:
Kopyto, D.
Data publikacji:
2018
Słowa kluczowe:
obwody drukowane
regeneracja roztworów trawiących
proces utleniania
reaktor
printed circuits
etching solutions regeneration
oxidation process
reactor
Pokaż więcej
Dostawca treści:
BazTech
Artykuł
Tytuł:
The Effect of High Temperature Annealing on Fluorine Distribution Profile and Electro-Physical Properties of Thin Gate Oxide Fluorinated by Silicon Dioxide RIE in CF4 Plasma
Autorzy:
Kalisz, M.
Głuszko, G.
Beck, R. B.
Data publikacji:
2010
Słowa kluczowe:
capacitance-voltage characteristics
current-voltage characteristics
fluorine plasma
high temperature annealing process
radio frequency reactive ion etching
Pokaż więcej
Dostawca treści:
BazTech
Artykuł
Tytuł:
The Effect of High Temperature Annealing on Fluorine Distribution Profile and Electro-Physical Properties of Thin Gate Oxide Fluorinated by Silicon Dioxide RIE in CF4 Plasma
Autorzy:
Kalisz, M.
Głuszko, G.
Beck, R. B.
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
capacitance-voltage characteristics
current-voltage characteristics
fluorine plasma
high temperature annealing process
radio frequency reactive ion etching
Pokaż więcej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies