Wszystkie pola: silicon layer

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Optical and microstructural properties of graded porous silicon layer
Współwytwórcy:: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej im. Aleksandra Krupkowskiego PAN
Lipiński, M.
Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica. Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki
Panek, P.
Czternastek, H.
Sokołowski, M.
Data publikacji:: 2005
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Characterization of oxidized porous silicon layer in FIPOS structure
Autorzy:: Domański, K.
Półrolnik, E.
Beck, R. B.
Brzozowski, A.
Data publikacji:: 1999
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Porous silicon layer as antireflection coating in solar cells
Autorzy:: Panek, P.
Lipiński, M.
Czternastek, H.
Data publikacji:: 2000
Słowa kluczowe:: photovoltaics
silicon solar cells
porous silicon; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Optical and microstructural properties of granded porous silicon layer
Autorzy:: Lipiński, M.
Czternastek, H.
Sokołowski, M.
Panek, P.
Data publikacji:: 2005
Słowa kluczowe:: porowaty krzem
warstwa przeciwodblaskowa
porous silicon
antireflection coating
graded layer; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Effect of macroporous silicon layer on opto-electrical parameters of multicrystalline silicon solar cells
Autorzy:: Panek, P.
Data publikacji:: 2004
Słowa kluczowe:: silicon solar cell
porous silicon; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Fabrication and characterization of porous silicon layer prepared by photo-electrochemical etching in CH3OH:HF solution
Autorzy:: Hadi, H.A.
Ismail, R.A.
Habubi, N.F.
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: Przedsiębiorstwo Wydawnictw Naukowych Darwin / Scientific Publishing House DARWIN
Tematy:: porous silicon
photo-electrochemical etching (PECE)
porosity
thickness
XRD
AFM; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Fabrication and characterization of porous silicon layer prepared by photo-electrochemical etching in CH3OH:HF solution
Autorzy:: Hadi, H.A.
Ismail, R.A.
Habubi, N.F.
Data publikacji:: 2013
Słowa kluczowe:: porous silicon
photo-electrochemical etching (PECE)
porosity
thickness
XRD
AFM; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Optymalizacja procesu epitaksji z fazy ciekłej do zastosowań fotowoltaicznych
Autorzy:: Cieślak, K.
Olchowik, J. M.
Gułkowski, S.
Data publikacji:: 2010
Słowa kluczowe:: ogniwo fotowoltaiczne
warstwa krzemowa
epitaksja z fazy ciekłej
photovoltaic cell
silicon layer
epitaxy
liquid phase epitaxy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Badania kinetyki wzrostu krzemowych warstw lateralnych w gradientowym polu temperaturowym dla struktur baterii słonecznych
Autorzy:: Olchowik, J. M.
Jóźwik, I.
Gułkowski, S.
Cieślak, K.
Szymczuk, D.
Zdyb, A.
Data publikacji:: 2008
Słowa kluczowe:: bateria słoneczna
warstwa krzemowa
warstwa lateralna
wytwarzanie
kinetyka procesu
solar cell
silicon layer
production
process kinetics; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Non-conventional methods for evaluating of Ni-base superalloys structure
Autorzy:: Belan, J.
Skocovsky, P.
Podrabsky, T.
Data publikacji:: 2004
Słowa kluczowe:: aluminum-silicon layer
nickel superalloy
degradation
metallographic analysis
łopatki silnika spalinowego
warstwa aluminiowo-krzemowa
nadstop niklu
degradacja
analiza metalograficzna; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Barrier modification of Al/PS/c-Si Schottky contact based on porous silicon interfacial layer
Autorzy:: Hadi, Hasan A.
Data publikacji:: 2018
Wydawca:: Przedsiębiorstwo Wydawnictw Naukowych Darwin / Scientific Publishing House DARWIN
Tematy:: Norde method
Porous silicon
Schottky barrier height
electrochemical etching; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: Improvement of Microwave Absorption Characteristics by Coating Layer in Substituted U-Type Ferrites
Autorzy:: Jeong, Kwang-Pil
Kim, Jeong-Gon
Yang, Su-Won
Choi, Jin-Hyuk
Park, Seung-Young
Data publikacji:: 2020
Słowa kluczowe:: hexagonal ferrite
U-type ferrite
silicon oxide layer
microwave absorption; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Barrier modification of Al/PS/c-Si Schottky contact based on porous silicon interfacial layer
Autorzy:: Hadi H.A.
Dostawca treści:: AGRO

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Improvement of Microwave Absorption Characteristics by Coating Layer in Substituted U-Type Ferrites
Autorzy:: Jeong, Kwang-Pil
Kim, Jeong-Gon
Yang, Su-Won
Choi, Jin-Hyuk
Park, Seung-Young
Data publikacji:: 2020
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:: hexagonal ferrite
U-type ferrite
silicon oxide layer
microwave absorption; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: Zastosowanie spektroskopii Ramana w badaniach materiałów węglowych
The use of Raman spectroscopy in examination of carbon nanomaterials
Autorzy:: Gubała, Dajana
Słowa kluczowe:: Raman spectroscopy; Carbon nanomaterials; Hybrid layers; titanium-silicon layer; Two-dimensional Raman correlation spectroscopy (2D)
Spektroskopia Ramana; Nanomateriały węglowe; Warstwy hybrydowe; Warstwa tytanowo-krzemowa; Dwuwymiarowa spektroskopia korelacyjna (2D); Pokaż więcej
Dostawca treści:: Repozytorium Uniwersytetu Jagiellońskiego

Inne

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: Changes in swan goose (Anser cygnoides) hatchability due to application of a tridimensional silicon layer on eggshells and vertical egg setting during incubation
Zmiany w wylęgowości gęsi garbonose (Anser cygnoides) spowodowane pokryciem skorupy jaj przestrzenną powłoką silikonową i pionowym ułożeniem jaj podczas inkubacji
Autorzy:: Sumara, W.
Patrzałek, M.
Bojarski, B.
Sajewicz, M.
Trela, M.
Lis, M.W.
Data publikacji:: 2019
Wydawca:: Szkoła Główna Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie. Wydawnictwo Szkoły Głównej Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie
Tematy:: embryo pathology
egg incubation
artifi
cial shell layer; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: Metodyka badania warstw epitaksjalnych krzemu za pomocą transmisyjnego mikroskopu elektronowego z zastosowaniem map linii Kikuchi = The method of study for the silicon epitaxial monolayers by means of transmission electron microscope with use of Kikuchi lines map
Metodyka badania warstw epitaksjalnych krzemu za pomocą transmisyjnego mikroskopu elektronowego z zastosowaniem map linii Kikuchi
Materiały Elektroniczne 1978 nr 2(22)
Autorzy:: Rupniewski Wojciech
Współwytwórcy:: Wójcik Marek
Data publikacji:: 1979
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: TEM
Si
Materiały elektroniczne
Electronic - materials
silicon epitaxial layer
Elektronika - czasopismo - materiały
Electronic - journal - materials; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: Changes in swan goose (Anser cygnoides) hatchability due to application of a tridimensional silicon layer on eggshells and vertical egg setting during incubation
Zmiany w wylęgowości gęsi garbonosej (Anser cygnoides) spowodowane pokryciem skorupy jaj przestrzenną powłoką silikonową i pionowym ułożeniem jaj podczas inkubacji
Autorzy:: Sumara W.
Patrzalek M.
Bojarski B.
Sajewicz M.
Trela M.
Lis M.W.
Tematy:: swan goose
Anser cygnoides
hatchability
egg shell
silicone
incubation
egg incubation
embryopathology; Pokaż więcej
Dostawca treści:: AGRO

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: Warstwa azotku krzemu jako warstwa antyrefleksyjna i pasywujaca dla krzemowych ogniw słonecznych
Autorzy:: Lipiński, M.
Data publikacji:: 2011
Słowa kluczowe:: warstwa azotku krzemu
krzemowe ogniwa słoneczne
warstwa antyrefleksyjna
silicon nitride layer
silicon solar cells
passivation
antireflection coating; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: Ultra-shallow nitrogen plasma implantation for ultra-thin silicon oxynitride (SiOxNy) layer formation
Autorzy:: Bieniek, T.
Beck, R. B.
Jakubowski, A.
Kudła, A.
Data publikacji:: 2005
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: MOS technology
plasma processing
shallow implantation
radiation damage; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 21.

Tytuł:: Ultra-shallow nitrogen plasma implantation for ultra-thin silicon oxynitride (SiOxNy) layer formation
Współwytwórcy:: Kudła, Andrzej
Beck, Romuald B.
Bieniek, Tomasz
Jakubowski, Andrzej
Data publikacji:: 2005
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 22.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1975 nr 4(12)
Badanie jednorodności oporności krzemowych warstw epitaksjalnych = Investigations of homogenity of silicon epitaxial layers resistivity
Badanie jednorodności oporności krzemowych warstw epitaksjalnych
Autorzy:: Nowysz Karol
Współwytwórcy:: Surma Barbara
Data publikacji:: 1975
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: warstwa epitaksjalna
Si
Materiały elektroniczne
Electronic - materials
silicon epitaxial layer
oporność
resistivity
Elektronika - czasopismo - materiały
Electronic - journal - materials; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 23.

Tytuł:: Synergiczne układy warstwowe: azotek krzemu - warstwa przejściowa na multikrystalicznym krzemie
Autorzy:: Bąk, W.
Jurzecka-Szymacha, M.
Jonas, S.
Tkacz-Śmiech, K.
Data publikacji:: 2010
Słowa kluczowe:: warstwy a-SiNx:H
RF CVD
pasywacja defektów
przewodnictwo elektryczne
a-SiNx:H layers
defect passivation
electrical conductivit; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 24.

Tytuł:: Synteza i badania nanokompozytów anodowych typu C/Si do ogniw litowo-jonowych
Synthesis and characterization of C/Si type anode nanocomposites for lithium-ion batteries
Autorzy:: Siepka, Arleta
Słowa kluczowe:: Li-ion batteries, anode materials, silicon, carbon layer, nanocomposites
akumulatory Li-ion, materiały anodowe, krzem, warstwa węglowa, nanokompozyty; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Repozytorium Uniwersytetu Jagiellońskiego

Inne

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 25.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1976 nr 4(16)
Krzemowe warstwy epitaksjalne o grubości powyżej 20 um = Silicon epitaxial layers of thickness above 20 um
Krzemowe warstwy epitaksjalne o grubości powyżej 20 um
Autorzy:: Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Współwytwórcy:: Lachowski Andrzej
Data publikacji:: 1976
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: Si
warstwa epitaksjalna
Grubość warstwy
Elektronika - czasopismo - materiały
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
silicon epitaxial layer
layer thickness
Electronic - journal - material; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 26.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1980 nr 3/4(31/32)
Przyczyny rozrzutów rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych w układach wielowarstwowych = The effective causes of the nanuniformity of the silicon epitaxial layers resistivity in multilayer structures
Przyczyny rozrzutów rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych w układach wielowarstwowych
Autorzy:: Tomaszewski Jacek
Współwytwórcy:: Korec Jacek
Brzozowski Andrzej
Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Data publikacji:: 1981
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: Electronic - materials
Materiały elektroniczne
krzemowa warstwa epitaksjalna
silicon epitaxial layer
rezystywność
resistivity
Elektronika - czasopismo - materiały
Electronic - journal - materials; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 27.

Tytuł:: Krzemowe warstwy epitaksjalne do mikrofalowych diod przestrajających
Materiały Elektroniczne 1992 nr 2(78)
Krzemowe warstwy epitaksjalne do mikrofalowych diod przestrajających = Silicon epitaxial layers for microwave tunung diodes
Autorzy:: Skwarcz Jerzy
Współwytwórcy:: Nossarzewska-Orłowska, Elżbieta
Data publikacji:: 1992
Wydawca:: Wydaw. Przemysłowe WEMA
Słowa kluczowe:: Elektronika - czasopismo - materiały
Electronic - journal - materials
Si
dioda mikrofalowa
microwave diode
warstwa epitaksjalna
Materiały elektroniczne
Electronic - materials
silicon epitaxial layer; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 28.

Tytuł:: Badanie powstawania dyslokacji niedopasowania w krzemowych warstwach epitaksjalnych = The investigations of misfit dislocations creation in silicon epitaxial layers
Materiały Elektroniczne 1980 nr 2(30)
Badanie powstawania dyslokacji niedopasowania w krzemowych warstwach epitaksjalnych
Autorzy:: Mazur Krystyna
Współwytwórcy:: Wierzchowski Wojciech
Data publikacji:: 1981
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: misfit dislocation
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
dyslokacja niedopadowania
krzemowa kwarstwa epitaksjalna
silicon epitaxial layer
Elektronika - czasopismo - materiały
Electronic - journal - materials; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 29.

Tytuł:: Modeling of plasmon-enhanced photoluminescence of Si nanocrystals embedded in thin silicon-rich oxinitride layer
Autorzy:: Édes, Zoltán
Współwytwórcy:: Křápek, Vlastimil
Šikola, Tomáš (1957- )
Data publikacji:: 2016
Tematy:: Plazmony
Fizyka teoretyczna
Fotoluminescencja
Azotek krzemu - fizyka
Nanokryształy - fizyka; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 30.

Tytuł:: Modeling of plasmon-enhanced photoluminescence of Si nanocrystals embedded in thin silicon-rich oxinitride layer
Autorzy:: Édes, Z.
Křápek, V.
Šikola, T.
Data publikacji:: 2016-01
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.20.Mf
78.55.Qr
42.50.Nn
78.20.Bh; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 31.

Tytuł:: Głębokie centra defektowe w krzemowych warstwach epitaksjalnych zanieczyszczonych żelazem
Głębokie centra defektowe w krzemowych warstwach epitaksjalnych zanieczyszczonych żelazem= Deep-level defects in Fe-contaminated epitaxial silicon
Materiały Elektroniczne 1995T.23 nr 1
Materiały Elektroniczne 1995 T.23 nr 1
Autorzy:: Plewa Dariusz
Współwytwórcy:: Kamiński Paweł
Kozłowski Roman
Data publikacji:: 1995
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: deep-level defect
głębokie centrum defektowe
Materiały elektroniczne
Electronic - materials
krzemowa warstwa epitaksjalna
silicon epitaxial layer
Elektronika - czasopismo - materiały
Electronic - journal - materials; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 32.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1995 T.23 nr 1
Wpływ zanieczyszczeń metalicznych na profil sygnału EBIC w krzemowych strukturach epitaksjalnych
Materiały Elektroniczne 1995T.23 nr 1
Wpływ zanieczyszczeń metalicznych na profil sygnału EBIC w krzemowych strukturach epitaksjalnych = Influence of metalic contaminations on EBIC signal profiles in silicon epilayers
Autorzy:: Pawłowska Marta
Data publikacji:: 1995
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: zanieczyszczenie metaliczne
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
krzemowa warstwa epitaksjalna
EBIC
silicon epitaxial layer
metallic contamination
Elektronika - czasopismo - materiały
Electronic - journal - materials; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 33.

Tytuł:: Effect of electron beam injection on boron redistribution in silicon and oxide layer
Autorzy:: Qin, S.
Tan, Y.
Li, J.
Jiang, D.
Wen, S.
Shi, S.
Data publikacji:: 2017
Słowa kluczowe:: electron beam injection
silicon
solar energy materials
boron
oxidation; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 34.

Tytuł:: Effect of heat treatment at enhanced pressure on electrical and structural properties of silicon surface layer co-implanted with hydrogen and helium ions
Autorzy:: Jung, W.
Misiuk, A.
Ratajczak, J.
Barcz, A.
Data publikacji:: 2005
Słowa kluczowe:: silicon
hydrogen implantation
helium implantation
SOI
smart-cut process; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 35.

Tytuł:: Pomiar czasu życia nośników mniejszościowych w krzemowych warstwach epitaksjalnych za pomocą sondy rtęciowej = Minority carriers generation lifetime measuring by means of mercury prote
Materiały Elektroniczne 1993 T.21 nr 1
Pomiar czasu życia nośników mniejszościowych w krzemowych warstwach epitaksjalnych za pomocą sondy rtęciowej
Autorzy:: Brzozowski Andrzej
Współwytwórcy:: Sarnecki Jerzy
Data publikacji:: 1993
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: Si
warstwa epitaksjalna
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
czas życia nośników
silicon epitaxial layer
Elektronika - czasopismo - materiały
minority carriers lifetime
Electronic - journal - materials; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 36.

Tytuł:: Electro-optic activity of an azopolymer achieved via poling with the aid of silicon nitride insulating layer
Współwytwórcy:: Schab-Balcerzak, Ewa
Centrum Materiałów Polimerowych i Węglowych PAN
Świtkowski, Krzysztof
Siwy, Mariola
Instytut Technologii Elektronowej
Szmigiel, Dariusz
Kozanecka-Szmigiel, Anna
Politechnika Warszawska. Wydział Fizyki
Uniwersytet Śląski w Katowicach. Wydział Matematyki, Fizyki i Chemii. Instytut Chemii
Data publikacji:: 2011
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 37.

Tytuł:: Wpływ obecności Fe i Ni na własności krzemowych warstw epitaksjalnych = Influence of Ni and Fe on silicon epitaxial layers properties
Wpływ obecności Fe i Ni na własności krzemowych warstw epitaksjalnych
Materiały Elektroniczne 1994 T.22 nr 2
Autorzy:: Nossarzewska-Orłowska, Elżbieta
Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Współwytwórcy:: Skwarcz Jerzy
Sarnecki Jerzy
Wodzińska Halina
Data publikacji:: 1994
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: transition metal
własności elektryczne
dielectric properties
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
krzemowa warstwa epitaksjalna
metal przejściowy
silicon epitaxial layer
Elektronika - czasopismo - materiały
Electronic - journal - materials; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 38.

Tytuł:: Electro-optic activity of an azopolymer achieved via poling with the aid of silicon nitride insulating layer
Autorzy:: Kozanecka-Szmigiel, A.
Szmigiel, D.
Switkowski, K.
Schab-Balcerzak, E.
Siwy, M.
Data publikacji:: 2011
Słowa kluczowe:: azopolymers
polymer poling
electro-optic activity; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 39.

Tytuł:: Ultra-shallow nitrogen plasma implantation for ultra-thin silicon oxynitride (SiOxNy) layer formation
Autorzy:: Bieniek, T.
Beck, R. B.
Jakubowski, A.
Kudła, A.
Data publikacji:: 2005
Słowa kluczowe:: MOS technology
plasma processing
shallow implantation
radiation damage; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 40.

Tytuł:: Changes in permittivity of silicon implanted through an aluminum layer
Autorzy:: Żukowski, P.
Partyka, J.
Węgierek, P.
Data publikacji:: 1999
Słowa kluczowe:: przenikalność dielektryczna
krzem
implantacja jonów
aluminium
comparison of permittivity
silicon
ion implantation; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 41.

Tytuł:: Investigations of the implanted layer in silicon based on the modulated free carrier absorption phenomenon
Współwytwórcy:: Bychto, Leszek
Chrobak, Łukasz Bartłomiej
Maliński, Mirosław Andrzej
Pawlak, Michał
Data publikacji:: 2013
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 42.

Tytuł:: Investigations of the Implanted Layer in Silicon Based on the Modulated Free Carrier Absorption Phenomenon
Autorzy:: Maliński, M. A.
Chrobak, Ł. B.
Bychto, L.
Pawlak, M.
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: Politechnika Koszalińska. Wydawnictwo Uczelniane
Tematy:: semiconductors
ion implantation
nondestructive testing techniques
półprzewodniki
implantacja jonów
nieniszczące techniki badań; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 43.

Tytuł:: Molecular dynamics study of the fracture of single layer buckled silicon monosulfide and germanium selenide
Autorzy:: Le, M.-Q
Data publikacji:: 2022
Wydawca:: Instytut Podstawowych Problemów Techniki PAN
Tematy:: 2D materials
fracture
molecular dynamics simulation
mechanical properties; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 44.

Tytuł:: Optimisation of SiNx:H layer for multicrystalline silicon solar cells
Autorzy:: Lipiński, M.
Zięba, P.
Jonas, S.
Kluska, S.
Sokołowski, M.
Czternastek, H.
Data publikacji:: 2004
Słowa kluczowe:: silicon nitride
silicon solar cell
antireflection coating; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 45.

Tytuł:: Photoluminescence Studies of Cubic Phase GaN Grown by Molecular Beam Epitaxy on (001) Silicon Covered with Sic Layer
Autorzy:: Godlewski, M.
Ivanov, V. Yu.
Bergman, J. P.
Monemar, B.
Barski, A.
Langer, R.
Data publikacji:: 1997-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.55.Eq
78.47.+p; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 46.

Tytuł:: Molecular dynamics study of the fracture of single layer buckled silicon monosulfide and germanium selenide
Autorzy:: Le, M.-Q
Data publikacji:: 2022
Słowa kluczowe:: 2D materials
fracture
molecular dynamics simulation
mechanical properties; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 47.

Tytuł:: Wpływ struktury warstwy diamentowej na emisję elektronów z układu powłoka diamentowa/krzem
Autorzy:: Staryga, E.
Fabisiak, K.
Dłużniewski, M.
Znamirowski, Z.
Data publikacji:: 2011
Słowa kluczowe:: warstwy diamentowe
emisja elektronów
diamond films
electron emission; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 48.

Tytuł:: Photoluminescence properties of zinc oxide film with local epitaxial growth on silicon using aluminum nitride buffer layer
Współwytwórcy:: Sha, Liu (fizyka) Autor
Yuan, Yang Autor
Li, Liu (fizyk) Autor
Data publikacji:: 2020
Tematy:: Azotek glinu
Tlenek cynku
Epitaksja
Fotoluminescencja; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 49.

Tytuł:: Investigations of the Implanted Layer in Silicon Based on the Modulated Free Carrier Absorption Phenomenon
Autorzy:: Maliński, M. A.
Chrobak, Ł. B.
Bychto, L.
Pawlak, M.
Data publikacji:: 2013
Słowa kluczowe:: semiconductors
ion implantation
nondestructive testing techniques
półprzewodniki
implantacja jonów
nieniszczące techniki badań; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 50.

Tytuł:: The analisys of the influence of cooling rate during laser alloying with silicon nitride on surface layer state of cast iron machine parts
Autorzy:: Paczkowska, M.
Data publikacji:: 2015
Słowa kluczowe:: laser alloying
silicon nitride
cast iron
surface layer
stopowanie laserowe
azotek krzemu
żeliwo
warstwa wierzchnia; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę "silicon layer" wg kryterium: Wszystkie pola