Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:

Optical and microstructural properties of graded porous silicon layer

Współwytwórcy:

Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej im. Aleksandra Krupkowskiego PAN
Lipiński, M.
Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica. Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki
Panek, P.
Czternastek, H.
Sokołowski, M.

Data publikacji:

2005

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:

Characterization of oxidized porous silicon layer in FIPOS structure

Autorzy:

Domański, K.
Półrolnik, E.
Beck, R. B.
Brzozowski, A.

Data publikacji:

1999

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:

Porous silicon layer as antireflection coating in solar cells

Autorzy:

Panek, P.
Lipiński, M.
Czternastek, H.

Data publikacji:

2000

Słowa kluczowe:

photovoltaics
silicon solar cells
porous silicon

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:

Optical and microstructural properties of granded porous silicon layer

Autorzy:

Lipiński, M.
Czternastek, H.
Sokołowski, M.
Panek, P.

Data publikacji:

2005

Słowa kluczowe:

porowaty krzem
warstwa przeciwodblaskowa
porous silicon
antireflection coating
graded layer

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:

Effect of macroporous silicon layer on opto-electrical parameters of multicrystalline silicon solar cells

Autorzy:

Panek, P.

Data publikacji:

2004

Słowa kluczowe:

silicon solar cell
porous silicon

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:

Fabrication and characterization of porous silicon layer prepared by photo-electrochemical etching in CH3OH:HF solution

Autorzy:

Hadi, H.A.
Ismail, R.A.
Habubi, N.F.

Data publikacji:

2013

Wydawca:

Przedsiębiorstwo Wydawnictw Naukowych Darwin / Scientific Publishing House DARWIN

Tematy:

porous silicon
photo-electrochemical etching (PECE)
porosity
thickness
XRD
AFM

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:

Fabrication and characterization of porous silicon layer prepared by photo-electrochemical etching in CH3OH:HF solution

Autorzy:

Hadi, H.A.
Ismail, R.A.
Habubi, N.F.

Data publikacji:

2013

Słowa kluczowe:

porous silicon
photo-electrochemical etching (PECE)
porosity
thickness
XRD
AFM

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:

Optymalizacja procesu epitaksji z fazy ciekłej do zastosowań fotowoltaicznych

Autorzy:

Cieślak, K.
Olchowik, J. M.
Gułkowski, S.

Data publikacji:

2010

Słowa kluczowe:

ogniwo fotowoltaiczne
warstwa krzemowa
epitaksja z fazy ciekłej
photovoltaic cell
silicon layer
epitaxy
liquid phase epitaxy

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:

Badania kinetyki wzrostu krzemowych warstw lateralnych w gradientowym polu temperaturowym dla struktur baterii słonecznych

Autorzy:

Olchowik, J. M.
Jóźwik, I.
Gułkowski, S.
Cieślak, K.
Szymczuk, D.
Zdyb, A.

Data publikacji:

2008

Słowa kluczowe:

bateria słoneczna
warstwa krzemowa
warstwa lateralna
wytwarzanie
kinetyka procesu
solar cell
silicon layer
production
process kinetics

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:

Non-conventional methods for evaluating of Ni-base superalloys structure

Autorzy:

Belan, J.
Skocovsky, P.
Podrabsky, T.

Data publikacji:

2004

Słowa kluczowe:

aluminum-silicon layer
nickel superalloy
degradation
metallographic analysis
łopatki silnika spalinowego
warstwa aluminiowo-krzemowa
nadstop niklu
degradacja
analiza metalograficzna

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:

Barrier modification of Al/PS/c-Si Schottky contact based on porous silicon interfacial layer

Autorzy:

Hadi, Hasan A.

Data publikacji:

2018

Wydawca:

Przedsiębiorstwo Wydawnictw Naukowych Darwin / Scientific Publishing House DARWIN

Tematy:

Norde method
Porous silicon
Schottky barrier height
electrochemical etching

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:

Improvement of Microwave Absorption Characteristics by Coating Layer in Substituted U-Type Ferrites

Autorzy:

Jeong, Kwang-Pil
Kim, Jeong-Gon
Yang, Su-Won
Choi, Jin-Hyuk
Park, Seung-Young

Data publikacji:

2020

Słowa kluczowe:

hexagonal ferrite
U-type ferrite
silicon oxide layer
microwave absorption

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:

Barrier modification of Al/PS/c-Si Schottky contact based on porous silicon interfacial layer

Autorzy:

Hadi H.A.

Dostawca treści:

AGRO

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:

Improvement of Microwave Absorption Characteristics by Coating Layer in Substituted U-Type Ferrites

Autorzy:

Jeong, Kwang-Pil
Kim, Jeong-Gon
Yang, Su-Won
Choi, Jin-Hyuk
Park, Seung-Young

Data publikacji:

2020

Wydawca:

Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN

Tematy:

hexagonal ferrite
U-type ferrite
silicon oxide layer
microwave absorption

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:

Zastosowanie spektroskopii Ramana w badaniach materiałów węglowych
The use of Raman spectroscopy in examination of carbon nanomaterials

Autorzy:

Gubała, Dajana

Słowa kluczowe:

Raman spectroscopy; Carbon nanomaterials; Hybrid layers; titanium-silicon layer; Two-dimensional Raman correlation spectroscopy (2D)
Spektroskopia Ramana; Nanomateriały węglowe; Warstwy hybrydowe; Warstwa tytanowo-krzemowa; Dwuwymiarowa spektroskopia korelacyjna (2D)

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Repozytorium Uniwersytetu Jagiellońskiego

/5

Inne

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:

Changes in swan goose (Anser cygnoides) hatchability due to application of a tridimensional silicon layer on eggshells and vertical egg setting during incubation
Zmiany w wylęgowości gęsi garbonose (Anser cygnoides) spowodowane pokryciem skorupy jaj przestrzenną powłoką silikonową i pionowym ułożeniem jaj podczas inkubacji

Autorzy:

Sumara, W.
Patrzałek, M.
Bojarski, B.
Sajewicz, M.
Trela, M.
Lis, M.W.

Data publikacji:

2019

Wydawca:

Szkoła Główna Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie. Wydawnictwo Szkoły Głównej Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie

Tematy:

embryo pathology
egg incubation
artifi
cial shell layer

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:

Metodyka badania warstw epitaksjalnych krzemu za pomocą transmisyjnego mikroskopu elektronowego z zastosowaniem map linii Kikuchi = The method of study for the silicon epitaxial monolayers by means of transmission electron microscope with use of Kikuchi lines map
Metodyka badania warstw epitaksjalnych krzemu za pomocą transmisyjnego mikroskopu elektronowego z zastosowaniem map linii Kikuchi
Materiały Elektroniczne 1978 nr 2(22)

Autorzy:

Rupniewski Wojciech

Współwytwórcy:

Wójcik Marek

Data publikacji:

1979

Wydawca:

Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"

Słowa kluczowe:

TEM
Si
Materiały elektroniczne
Electronic - materials
silicon epitaxial layer
Elektronika - czasopismo - materiały
Electronic - journal - materials

Pokaż więcej

Dostawca treści:

RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

/5

Książka

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:

Changes in swan goose (Anser cygnoides) hatchability due to application of a tridimensional silicon layer on eggshells and vertical egg setting during incubation
Zmiany w wylęgowości gęsi garbonosej (Anser cygnoides) spowodowane pokryciem skorupy jaj przestrzenną powłoką silikonową i pionowym ułożeniem jaj podczas inkubacji

Autorzy:

Sumara W.
Patrzalek M.
Bojarski B.
Sajewicz M.
Trela M.
Lis M.W.

Tematy:

swan goose
Anser cygnoides
hatchability
egg shell
silicone
incubation
egg incubation
embryopathology

Pokaż więcej

Dostawca treści:

AGRO

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:

Warstwa azotku krzemu jako warstwa antyrefleksyjna i pasywujaca dla krzemowych ogniw słonecznych

Autorzy:

Lipiński, M.

Data publikacji:

2011

Słowa kluczowe:

warstwa azotku krzemu
krzemowe ogniwa słoneczne
warstwa antyrefleksyjna
silicon nitride layer
silicon solar cells
passivation
antireflection coating

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:

Ultra-shallow nitrogen plasma implantation for ultra-thin silicon oxynitride (SiOxNy) layer formation

Autorzy:

Bieniek, T.
Beck, R. B.
Jakubowski, A.
Kudła, A.

Data publikacji:

2005

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy

Tematy:

MOS technology
plasma processing
shallow implantation
radiation damage

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 21.

Tytuł:

Ultra-shallow nitrogen plasma implantation for ultra-thin silicon oxynitride (SiOxNy) layer formation

Współwytwórcy:

Kudła, Andrzej
Beck, Romuald B.
Bieniek, Tomasz
Jakubowski, Andrzej

Data publikacji:

2005

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 22.

Tytuł:

Materiały Elektroniczne 1975 nr 4(12)
Badanie jednorodności oporności krzemowych warstw epitaksjalnych = Investigations of homogenity of silicon epitaxial layers resistivity
Badanie jednorodności oporności krzemowych warstw epitaksjalnych

Autorzy:

Nowysz Karol

Współwytwórcy:

Surma Barbara

Data publikacji:

1975

Wydawca:

Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"

Słowa kluczowe:

warstwa epitaksjalna
Si
Materiały elektroniczne
Electronic - materials
silicon epitaxial layer
oporność
resistivity
Elektronika - czasopismo - materiały
Electronic - journal - materials

Pokaż więcej

Dostawca treści:

RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

/5

Książka

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 23.

Tytuł:

Synergiczne układy warstwowe: azotek krzemu - warstwa przejściowa na multikrystalicznym krzemie

Autorzy:

Bąk, W.
Jurzecka-Szymacha, M.
Jonas, S.
Tkacz-Śmiech, K.

Data publikacji:

2010

Słowa kluczowe:

warstwy a-SiNx:H
RF CVD
pasywacja defektów
przewodnictwo elektryczne
a-SiNx:H layers
defect passivation
electrical conductivit

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 24.

Tytuł:

Synteza i badania nanokompozytów anodowych typu C/Si do ogniw litowo-jonowych
Synthesis and characterization of C/Si type anode nanocomposites for lithium-ion batteries

Autorzy:

Siepka, Arleta

Słowa kluczowe:

Li-ion batteries, anode materials, silicon, carbon layer, nanocomposites
akumulatory Li-ion, materiały anodowe, krzem, warstwa węglowa, nanokompozyty

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Repozytorium Uniwersytetu Jagiellońskiego

/5

Inne

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 25.

Tytuł:

Materiały Elektroniczne 1976 nr 4(16)
Krzemowe warstwy epitaksjalne o grubości powyżej 20 um = Silicon epitaxial layers of thickness above 20 um
Krzemowe warstwy epitaksjalne o grubości powyżej 20 um

Autorzy:

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

Współwytwórcy:

Lachowski Andrzej

Data publikacji:

1976

Wydawca:

Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"

Słowa kluczowe:

Si
warstwa epitaksjalna
Grubość warstwy
Elektronika - czasopismo - materiały
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
silicon epitaxial layer
layer thickness
Electronic - journal - material

Pokaż więcej

Dostawca treści:

RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

/5

Książka

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 26.

Tytuł:

Materiały Elektroniczne 1980 nr 3/4(31/32)
Przyczyny rozrzutów rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych w układach wielowarstwowych = The effective causes of the nanuniformity of the silicon epitaxial layers resistivity in multilayer structures
Przyczyny rozrzutów rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych w układach wielowarstwowych

Autorzy:

Tomaszewski Jacek

Współwytwórcy:

Korec Jacek
Brzozowski Andrzej
Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

Data publikacji:

1981

Wydawca:

Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"

Słowa kluczowe:

Electronic - materials
Materiały elektroniczne
krzemowa warstwa epitaksjalna
silicon epitaxial layer
rezystywność
resistivity
Elektronika - czasopismo - materiały
Electronic - journal - materials

Pokaż więcej

Dostawca treści:

RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

/5

Książka

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 27.

Tytuł:

Krzemowe warstwy epitaksjalne do mikrofalowych diod przestrajających
Materiały Elektroniczne 1992 nr 2(78)
Krzemowe warstwy epitaksjalne do mikrofalowych diod przestrajających = Silicon epitaxial layers for microwave tunung diodes

Autorzy:

Skwarcz Jerzy

Współwytwórcy:

Nossarzewska-Orłowska, Elżbieta

Data publikacji:

1992

Wydawca:

Wydaw. Przemysłowe WEMA

Słowa kluczowe:

Elektronika - czasopismo - materiały
Electronic - journal - materials
Si
dioda mikrofalowa
microwave diode
warstwa epitaksjalna
Materiały elektroniczne
Electronic - materials
silicon epitaxial layer

Pokaż więcej

Dostawca treści:

RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

/5

Książka

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 28.

Tytuł:

Badanie powstawania dyslokacji niedopasowania w krzemowych warstwach epitaksjalnych = The investigations of misfit dislocations creation in silicon epitaxial layers
Materiały Elektroniczne 1980 nr 2(30)
Badanie powstawania dyslokacji niedopasowania w krzemowych warstwach epitaksjalnych

Autorzy:

Mazur Krystyna

Współwytwórcy:

Wierzchowski Wojciech

Data publikacji:

1981

Wydawca:

Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"

Słowa kluczowe:

misfit dislocation
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
dyslokacja niedopadowania
krzemowa kwarstwa epitaksjalna
silicon epitaxial layer
Elektronika - czasopismo - materiały
Electronic - journal - materials

Pokaż więcej

Dostawca treści:

RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

/5

Książka

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 29.

Tytuł:

Modeling of plasmon-enhanced photoluminescence of Si nanocrystals embedded in thin silicon-rich oxinitride layer

Autorzy:

Édes, Zoltán

Współwytwórcy:

Křápek, Vlastimil
Šikola, Tomáš (1957- )

Data publikacji:

2016

Tematy:

Plazmony
Fizyka teoretyczna
Fotoluminescencja
Azotek krzemu - fizyka
Nanokryształy - fizyka

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 30.

Tytuł:

Modeling of plasmon-enhanced photoluminescence of Si nanocrystals embedded in thin silicon-rich oxinitride layer

Autorzy:

Édes, Z.
Křápek, V.
Šikola, T.

Data publikacji:

2016-01

Wydawca:

Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN

Tematy:

73.20.Mf
78.55.Qr
42.50.Nn
78.20.Bh

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 31.

Tytuł:

Głębokie centra defektowe w krzemowych warstwach epitaksjalnych zanieczyszczonych żelazem
Głębokie centra defektowe w krzemowych warstwach epitaksjalnych zanieczyszczonych żelazem= Deep-level defects in Fe-contaminated epitaxial silicon
Materiały Elektroniczne 1995T.23 nr 1
Materiały Elektroniczne 1995 T.23 nr 1

Autorzy:

Plewa Dariusz

Współwytwórcy:

Kamiński Paweł
Kozłowski Roman

Data publikacji:

1995

Wydawca:

ITME

Słowa kluczowe:

deep-level defect
głębokie centrum defektowe
Materiały elektroniczne
Electronic - materials
krzemowa warstwa epitaksjalna
silicon epitaxial layer
Elektronika - czasopismo - materiały
Electronic - journal - materials

Pokaż więcej

Dostawca treści:

RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

/5

Książka

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 32.

Tytuł:

Materiały Elektroniczne 1995 T.23 nr 1
Wpływ zanieczyszczeń metalicznych na profil sygnału EBIC w krzemowych strukturach epitaksjalnych
Materiały Elektroniczne 1995T.23 nr 1
Wpływ zanieczyszczeń metalicznych na profil sygnału EBIC w krzemowych strukturach epitaksjalnych = Influence of metalic contaminations on EBIC signal profiles in silicon epilayers

Autorzy:

Pawłowska Marta

Data publikacji:

1995

Wydawca:

ITME

Słowa kluczowe:

zanieczyszczenie metaliczne
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
krzemowa warstwa epitaksjalna
EBIC
silicon epitaxial layer
metallic contamination
Elektronika - czasopismo - materiały
Electronic - journal - materials

Pokaż więcej

Dostawca treści:

RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

/5

Książka

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 33.

Tytuł:

Effect of electron beam injection on boron redistribution in silicon and oxide layer

Autorzy:

Qin, S.
Tan, Y.
Li, J.
Jiang, D.
Wen, S.
Shi, S.

Data publikacji:

2017

Słowa kluczowe:

electron beam injection
silicon
solar energy materials
boron
oxidation

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 34.

Tytuł:

Effect of heat treatment at enhanced pressure on electrical and structural properties of silicon surface layer co-implanted with hydrogen and helium ions

Autorzy:

Jung, W.
Misiuk, A.
Ratajczak, J.
Barcz, A.

Data publikacji:

2005

Słowa kluczowe:

silicon
hydrogen implantation
helium implantation
SOI
smart-cut process

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 35.

Tytuł:

Pomiar czasu życia nośników mniejszościowych w krzemowych warstwach epitaksjalnych za pomocą sondy rtęciowej = Minority carriers generation lifetime measuring by means of mercury prote
Materiały Elektroniczne 1993 T.21 nr 1
Pomiar czasu życia nośników mniejszościowych w krzemowych warstwach epitaksjalnych za pomocą sondy rtęciowej

Autorzy:

Brzozowski Andrzej

Współwytwórcy:

Sarnecki Jerzy

Data publikacji:

1993

Wydawca:

ITME

Słowa kluczowe:

Si
warstwa epitaksjalna
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
czas życia nośników
silicon epitaxial layer
Elektronika - czasopismo - materiały
minority carriers lifetime
Electronic - journal - materials

Pokaż więcej

Dostawca treści:

RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

/5

Książka

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 36.

Tytuł:

Electro-optic activity of an azopolymer achieved via poling with the aid of silicon nitride insulating layer

Współwytwórcy:

Schab-Balcerzak, Ewa
Centrum Materiałów Polimerowych i Węglowych PAN
Świtkowski, Krzysztof
Siwy, Mariola
Instytut Technologii Elektronowej
Szmigiel, Dariusz
Kozanecka-Szmigiel, Anna
Politechnika Warszawska. Wydział Fizyki
Uniwersytet Śląski w Katowicach. Wydział Matematyki, Fizyki i Chemii. Instytut Chemii

Data publikacji:

2011

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 37.

Tytuł:

Wpływ obecności Fe i Ni na własności krzemowych warstw epitaksjalnych = Influence of Ni and Fe on silicon epitaxial layers properties
Wpływ obecności Fe i Ni na własności krzemowych warstw epitaksjalnych
Materiały Elektroniczne 1994 T.22 nr 2

Autorzy:

Nossarzewska-Orłowska, Elżbieta
Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

Współwytwórcy:

Skwarcz Jerzy
Sarnecki Jerzy
Wodzińska Halina

Data publikacji:

1994

Wydawca:

ITME

Słowa kluczowe:

transition metal
własności elektryczne
dielectric properties
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
krzemowa warstwa epitaksjalna
metal przejściowy
silicon epitaxial layer
Elektronika - czasopismo - materiały
Electronic - journal - materials

Pokaż więcej

Dostawca treści:

RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

/5

Książka

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 38.

Tytuł:

Electro-optic activity of an azopolymer achieved via poling with the aid of silicon nitride insulating layer

Autorzy:

Kozanecka-Szmigiel, A.
Szmigiel, D.
Switkowski, K.
Schab-Balcerzak, E.
Siwy, M.

Data publikacji:

2011

Słowa kluczowe:

azopolymers
polymer poling
electro-optic activity

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 39.

Tytuł:

Ultra-shallow nitrogen plasma implantation for ultra-thin silicon oxynitride (SiOxNy) layer formation

Autorzy:

Bieniek, T.
Beck, R. B.
Jakubowski, A.
Kudła, A.

Data publikacji:

2005

Słowa kluczowe:

MOS technology
plasma processing
shallow implantation
radiation damage

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 40.

Tytuł:

Changes in permittivity of silicon implanted through an aluminum layer

Autorzy:

Żukowski, P.
Partyka, J.
Węgierek, P.

Data publikacji:

1999

Słowa kluczowe:

przenikalność dielektryczna
krzem
implantacja jonów
aluminium
comparison of permittivity
silicon
ion implantation

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 41.

Tytuł:

Investigations of the implanted layer in silicon based on the modulated free carrier absorption phenomenon

Współwytwórcy:

Bychto, Leszek
Chrobak, Łukasz Bartłomiej
Maliński, Mirosław Andrzej
Pawlak, Michał

Data publikacji:

2013

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 42.

Tytuł:

Investigations of the Implanted Layer in Silicon Based on the Modulated Free Carrier Absorption Phenomenon

Autorzy:

Maliński, M. A.
Chrobak, Ł. B.
Bychto, L.
Pawlak, M.

Data publikacji:

2013

Wydawca:

Politechnika Koszalińska. Wydawnictwo Uczelniane

Tematy:

semiconductors
ion implantation
nondestructive testing techniques
półprzewodniki
implantacja jonów
nieniszczące techniki badań

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 43.

Tytuł:

Molecular dynamics study of the fracture of single layer buckled silicon monosulfide and germanium selenide

Autorzy:

Le, M.-Q

Data publikacji:

2022

Wydawca:

Instytut Podstawowych Problemów Techniki PAN

Tematy:

2D materials
fracture
molecular dynamics simulation
mechanical properties

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 44.

Tytuł:

Optimisation of SiNx:H layer for multicrystalline silicon solar cells

Autorzy:

Lipiński, M.
Zięba, P.
Jonas, S.
Kluska, S.
Sokołowski, M.
Czternastek, H.

Data publikacji:

2004

Słowa kluczowe:

silicon nitride
silicon solar cell
antireflection coating

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 45.

Tytuł:

Photoluminescence Studies of Cubic Phase GaN Grown by Molecular Beam Epitaxy on (001) Silicon Covered with Sic Layer

Autorzy:

Godlewski, M.
Ivanov, V. Yu.
Bergman, J. P.
Monemar, B.
Barski, A.
Langer, R.

Data publikacji:

1997-10

Wydawca:

Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN

Tematy:

71.55.Eq
78.47.+p

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 46.

Tytuł:

Molecular dynamics study of the fracture of single layer buckled silicon monosulfide and germanium selenide

Autorzy:

Le, M.-Q

Data publikacji:

2022

Słowa kluczowe:

2D materials
fracture
molecular dynamics simulation
mechanical properties

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 47.

Tytuł:

Wpływ struktury warstwy diamentowej na emisję elektronów z układu powłoka diamentowa/krzem

Autorzy:

Staryga, E.
Fabisiak, K.
Dłużniewski, M.
Znamirowski, Z.

Data publikacji:

2011

Słowa kluczowe:

warstwy diamentowe
emisja elektronów
diamond films
electron emission

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 48.

Tytuł:

Photoluminescence properties of zinc oxide film with local epitaxial growth on silicon using aluminum nitride buffer layer

Współwytwórcy:

Sha, Liu (fizyka) Autor
Yuan, Yang Autor
Li, Liu (fizyk) Autor

Data publikacji:

2020

Tematy:

Azotek glinu
Tlenek cynku
Epitaksja
Fotoluminescencja

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 49.

Tytuł:

Investigations of the Implanted Layer in Silicon Based on the Modulated Free Carrier Absorption Phenomenon

Autorzy:

Maliński, M. A.
Chrobak, Ł. B.
Bychto, L.
Pawlak, M.

Data publikacji:

2013

Słowa kluczowe:

semiconductors
ion implantation
nondestructive testing techniques
półprzewodniki
implantacja jonów
nieniszczące techniki badań

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 50.

Tytuł:

The analisys of the influence of cooling rate during laser alloying with silicon nitride on surface layer state of cast iron machine parts

Autorzy:

Paczkowska, M.

Data publikacji:

2015

Słowa kluczowe:

laser alloying
silicon nitride
cast iron
surface layer
stopowanie laserowe
azotek krzemu
żeliwo
warstwa wierzchnia

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 51.

Tytuł:

The influence of surface texture and temperature deposition of TiO2 layer on crystalline silicon solar cells parameters

Autorzy:

Panek, P.
Drabczyk, K.
Czternastek, H.
Kusior, E.
Zięba, P.
Bełtowska-Lehman, E.

Data publikacji:

2008

Słowa kluczowe:

powłoki antyrefleksyjne
krzemowe ogniwa słoneczne
dwutlenek tytanu
titanium dioxide
antireflection coating
crystalline silicon solar cell

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 52.

Tytuł:

Morphology of an ITO recombination layer deposited on a silicon wire texture for potential silicon/perovskite tandem solar cell applications

Autorzy:

Kulesza-Matlak, Grazyna
Szindler, Marek
Szindler, Magdalena M.
Sypien, Anna
Major, Lukasz
Drabczyk, Kazimierz

Data publikacji:

2023

Słowa kluczowe:

tandem solar cell
silicon nanowires
MAE etching
ITO
recombination layer

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 53.

Tytuł:

Morphology of an ITO recombination layer deposited on a silicon wire texture for potential silicon/perovskite tandem solar cell applications

Autorzy:

Kulesza-Matlak, Grazyna
Szindler, Marek
Szindler, Magdalena M.
Sypien, Anna
Major, Lukasz
Drabczyk, Kazimierz

Data publikacji:

2023

Wydawca:

Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich

Tematy:

tandem solar cell
silicon nanowires
MAE etching
ITO
recombination layer

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 54.

Tytuł:

The analisys of the influence of cooling rate during laser alloying with silicon nitride on surface layer state of cast iron machine parts
Analiza wpływu prędkości chłodzenia podczas stopowania laserowego azotkiem krzemu na stan warstwy wierzchniej żeliwnych elementów maszyn

Autorzy:

Paczkowska, M.

Data publikacji:

2015

Wydawca:

Sieć Badawcza Łukasiewicz - Przemysłowy Instytut Maszyn Rolniczych

Tematy:

laser alloying
silicon nitride
cast iron
surface layer
stopowanie laserowe
azotek krzemu
żeliwo
warstwa wierzchnia

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 55.

Tytuł:

Materiały Elektroniczne 1979 nr 1(25)
Badanie powierzchniowej warstwy uszkodzonej na płytkach monokrystalicznych krzemu
Badanie powierzchniowej warstwy uszkodzonej na płytkach monokrystalicznych krzemu = Investigation of the damaged surface layer on monocrystalline silicon wafers

Autorzy:

Łazowy Barbara

Data publikacji:

1980

Wydawca:

Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"

Słowa kluczowe:

Elektronika - czasopismo - materiały
Electronic - journal - materials
dameged layer
warstwa uszkodzona
silicon wafer
płytka krzemowa
Materiały elektroniczne
Electronic - materials

Pokaż więcej

Dostawca treści:

RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

/5

Książka

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 56.

Tytuł:

Photonic band structure of oxidized macroporous silicon

Autorzy:

Glushko, A.
Karachevtseva, L.

Data publikacji:

2006

Słowa kluczowe:

macroporous silicon
surface oxide layer
bandgap shift

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 57.

Tytuł:

The analisys of the influence of cooling rate during laser alloying with silicon nitride on surface layer state of cast iron machine parts = Analiza wpływu prędkości chłodzenia podczas stopowania laserowego azotkiem krzemu na stan warstwy wierzchniej żeliwnych elementów maszyn

Autorzy:

Paczkowska, Marta Autor

Współwytwórcy:

Instytut Maszyn Roboczych i Pojazdów Samochodowych (Politechnika Poznańska)

Data publikacji:

2015

Tematy:

Mikrostruktura
Twardość
Stopowanie laserowe
Żeliwo
Chłodzenie
Powierzchnia
Skaningowa mikroskopia elektronowa
Spektroskopia elektronów Augera
Azotek krzemu

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 58.

Tytuł:

Badania strukturalne warstw węglowych w kontaktach omowych : porównanie widm ramanowskich obserwowanych od strony warstwy krzemkowej oraz podłoża z węglika krzemu

Autorzy:

Borowicz, P.
Adamus, Z.
Ekielski, M.
Piotrowska, A.
Kuchuk, A.
Borysiewicz, M.
Kamińska, E.
Latek, M.

Data publikacji:

2012

Słowa kluczowe:

rozproszenie Ramana
węglik krzemu
węgiel
kontakt omowy
Raman scattering
silicon carbide
carbon
ohmic contact

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 59.

Tytuł:

The role of fluorine-containing ultra-thin layer in controlling boron thermal diffusion into silicon

Autorzy:

Kalisz, M.
Beck, R. B.
Barcz, A.
Ćwil, M.

Data publikacji:

2007

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy

Tematy:

fluorine
reactive ion etching
silicon fluoride
boron thermal diffusion
fluorocarbon plasma

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 60.

Tytuł:

Laserowe stopowanie stali niskowęglowej węglikiem krzemu

Autorzy:

Radziszewska, A.
Kusiński, J.
Kac, S.

Data publikacji:

2005

Słowa kluczowe:

obróbka laserowa
warstwa wierzchnia
laserowe stopowanie
węglik krzemu
laser treatment
surface layer
laser alloying
silicon carbide

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 61.

Tytuł:

The role of fluorine-containing ultra-thin layer in controlling boron thermal diffusion into silicon

Autorzy:

Kalisz, M.
Beck, R. B.
Barcz, A.
Ćwil, M.

Data publikacji:

2007

Słowa kluczowe:

fluorine
reactive ion etching
silicon fluoride
boron thermal diffusion
fluorocarbon plasma

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 62.

Tytuł:

Thromboresistant silicon plates modified with chitosan and heparin by the layer-by-layer assembly method

Autorzy:

Drozd, Natalia N.
Shagdarova, Balzhima Ts.
Zhuikova, Yulia V.
Il’ina, Alla V.
Vasiliev, Michael N.
Vasilieva, Tatiana M.
Hein, Aung Miat
Varlamov, Valery P.

Data publikacji:

2019

Wydawca:

Sieć Badawcza Łukasiewicz - Polskie Towarzystwo Chitynowe

Tematy:

AFM
chitosan
cold plasma treatment
heparin
layer-by-layer
polyelectrolyte
silicone rubber
thromboresistance

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 63.

Tytuł:

Internal modified-layer formation mechanism into silicon with nanosecond laser

Autorzy:

Ohmura, E.
Fukuyo, F.
Fukumitsu, K.
Morita, H.

Data publikacji:

2006

Słowa kluczowe:

obróbka skrawaniem
cięcie laserowe
krzem
machining
laser dicing
silicon
internal modification

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 64.

Tytuł:

Analiza możliwości selektywnego kształtowania warstwy wierzchniej elementów żeliwa sferoidalnego za pomocą krzemowania laserowego

Autorzy:

Paczkowska, M.

Data publikacji:

2013

Słowa kluczowe:

krzemowanie laserowe
warstwa wierzchnia
żeliwo sferoidalne
laser alloying with silicon
surface layer
nodular iron

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 65.

Tytuł:

Metoda otrzymywania monokrystalicznych folii krzemowych z wykorzystaniem krzemu porowatego

Autorzy:

Sarnecki, J.
Brzozowski, A.
Lipiński, D.

Data publikacji:

2014

Słowa kluczowe:

warstwa epitaksjalna
krzem porowaty
CVD
folia krzemowa
epitaxial layer
porous silicon
silicon foil

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 66.

Tytuł:

Internal modified-layer formation mechanism into silicon with nanosecond laser

Data publikacji:

2006

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 67.

Tytuł:

Numerical analysis of absorption and transmission photoacoustic spectra of silicon samples with differently treated surfaces

Autorzy:

Maliński, M.
Chrobak, Ł.

Data publikacji:

2011

Słowa kluczowe:

semiconductors
silicon
photoacoustic spectroscopy
surface layer
surface quality
non-destructive testing

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 68.

Tytuł:

Krzemowe warstwy epitaksjalne do zastosowań fotowoltaicznych osadzane na krzemie porowatym

Autorzy:

Lipiński, D.
Sarnecki, J.
Brzozowski, A.
Mazur, K.

Data publikacji:

2012

Słowa kluczowe:

warstwa epitaksjalna
CVD
krzem porowaty
ogniwo słoneczne
epitaxial layer
porous silicon
solar cell

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 69.

Tytuł:

Bulk silicon detectors of ionizing radiation - the role of the depletion layer

Autorzy:

Marczewski, Jacek

Data publikacji:

2008

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 70.

Tytuł:

Deposition of SnO2 as a functional layer on a porous silicon substrate for potential tandem solar cell application

Autorzy:

Kulesza-Matlak, Grażyna
Szindler, Marek
Szindler, Magdalena M.
Sypien, Anna
Major, Lukasz
Drabczyk, Kazimierz

Data publikacji:

2025

Słowa kluczowe:

tandem solar cell
ALD
SnO2
recombination layer
silicon nanowires
MAE etching

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 71.

Tytuł:

Metoda otrzymywania monokrystalicznych folii krzemowych z wykorzystaniem krzemu porowatego
A method of obtaining monocrystalline silicon foils using porous silicon

Autorzy:

Sarnecki, J.
Brzozowski, A.
Lipiński, D.

Data publikacji:

2014

Wydawca:

Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Tematy:

warstwa epitaksjalna
krzem porowaty
CVD
folia krzemowa
epitaxial layer
porous silicon
silicon foil

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 72.

Tytuł:

Synteza odpornych na korozję naprężeniową warstw Si3N4 na szkle kwarcowym

Autorzy:

Kwatera, A.
Sawka, A.

Data publikacji:

2000

Słowa kluczowe:

quartz glass
silicon nitride layers
stress corrosion
corrosion resistance
CVD
layer synthesis

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 73.

Tytuł:

Al2O3 antireflection coatings for silicon solar cells

Autorzy:

Dobrzański, L. A.
Szindler, M.

Data publikacji:

2013

Słowa kluczowe:

antireflection coatings
silicon solar cells
atomic layer deposition
powłoka antyodblaskowa
osadzanie warstw atomowych
ogniwa słoneczne krzemowe

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 74.

Tytuł:

Influence of high pressure annealing on electrical properties of surface layer of neutron irradiated or germanium-doped Czochralski-grown silicon

Autorzy:

Jung, W.
Misiuk, A.
Londos, C. A.
Yang, D.
Antonova, I. V.
Prujszczyk, M.

Data publikacji:

2005

Słowa kluczowe:

germanium-doped silicon
neutron-irradiated silicon
defects

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 75.

Tytuł:

MST News Poland 4/96
Silicon ball - OSIRIS charge multiplicity filter

Autorzy:

Kordyasz A.J.

Data publikacji:

1996

Wydawca:

Institute of Electronic Materials Technology

Słowa kluczowe:

warstwa epitaksjalna
detektor krzemowy
struktura n+-n-p+
epitaxial layer
silicon detector
structure n+-n-p+

Pokaż więcej

Dostawca treści:

RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

/5

Książka

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 76.

Tytuł:

Zastosowanie procesu zol-żel do pokrywania powierzchni włókien węglowych warstwą SiO2

Autorzy:

Olszówka-Myalska, A.
Botor-Probierz, A.
Krzak-Roś, J.
Łukowiak, A.
Rzychoń, T.

Data publikacji:

2009

Słowa kluczowe:

włókno węglowe
nanopowłoka
tlenek krzemu
zol-żel
kompozyt metalowy
carbon fiber
nanocoating
silicon oxide
sol-gel
metal matrix composite

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 77.

Tytuł:

Polishing of hard machining semiconductor materials made of silicon carbide

Autorzy:

Gołąbczak, M.

Data publikacji:

2011

Słowa kluczowe:

węglik krzemu
szlifowanie
docieranie
polerowanie
mikrostruktura
morfologia
warstwa wierzchnia
półprzewodnik
silicon carbide
grinding
lapping
polishing
microstructure
morphology
surface layer
semiconductor
SiC-pin diode

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 78.

Tytuł:

Influence of Silicon and Cobalt Laser Alloying on the Microstructure and Nanomechanical Properties of the Gray Cast Iron Surface Layer

Autorzy:

Paczkowska, Marta

Data publikacji:

2022

Słowa kluczowe:

laser alloying
silicon
cobalt
flake iron

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 79.

Tytuł:

Elektrolityczne otrzymywanie powłok Ni+Mo+SiNi

Autorzy:

Kubisztal, J.
Budniok, A.

Data publikacji:

2005

Słowa kluczowe:

kompozyt
powłoka
nikiel
molibden
krzem
osadzanie galwanostatyczne
composite
composite layer
galvanostatic deposition
nickel
molybdenum
silicon

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 80.

Tytuł:

LP-MOVPE growth and properties of high Si-doped InGaAs contact layer for quantum cascade laser applications

Autorzy:

Ściana, B.
Badura, M.
Dawidowski, W.
Bielak, K.
Radziewicz, D.
Pucicki, D.
Szyszka, A.
Żelazna, K.
Tłaczała, M.

Data publikacji:

2016

Słowa kluczowe:

InGaAs/InP heterostructures
silicon doping
InGaAs plasmon-contact layer
quantum cascade laser

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 81.

Tytuł:

Krzemowe warstwy epitaksjalne do zastosowań fotowoltaicznych osadzane na krzemie porowatym
Silicon epitaxial layers deposited on porous silicon for photovoltaic applications

Autorzy:

Lipiński, D.
Sarnecki, J.
Brzozowski, A.
Mazur, K.

Data publikacji:

2012

Wydawca:

Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Tematy:

warstwa epitaksjalna
CVD
krzem porowaty
ogniwo słoneczne
epitaxial layer
porous silicon
solar cell

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 82.

Tytuł:

Re-crystallization of Silicon during Rapid Thermal Treatment

Autorzy:

Gorushko, V.
Omelchenko, A.
Pilipenko, V.
Solodukha, V.
Opielak, M.
Żukowski, P.
Kołtunowicz, T.

Data publikacji:

2018

Słowa kluczowe:

disrupted layer
rapid thermal treatment
recrystallization
silicon wafer
uszkodzona warstwa
szybka obróbka termiczna
rekrystalizacja
wafel krzemowy

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 83.

Tytuł:

Formation by PECVD of very thin silicon oxynitride [SIOxNy] layers technology and characterisation

Autorzy:

Beck R.B.
Cuch M.
Wojtkiewicz A.
Kudla A.
Jakubowski A.

Tematy:

formation
PE-CVD process
process optimization
thin layer
silicon oxynitride

Pokaż więcej

Dostawca treści:

AGRO

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 84.

Tytuł:

Electronic Materials Vol. 42 Nr 1
Metoda otrzymywania monokrystalicznych folii krzemowych z wykorzystaniem krzemu porowatego
Materiały Elektroniczne. T. 42 Nr 1
Metoda otrzymywania monokrystalicznych folii krzemowych z wykorzystaniem krzemu porowatego = A method of obtaining monocrystalline silicon foils using porous silicon

Autorzy:

Sarnecki Jerzy

Współwytwórcy:

Lipiński Dariusz
Brzozowski Andrzej

Data publikacji:

2014

Wydawca:

ITME

Słowa kluczowe:

warstwa epitaksjalna
epitaxial layer
krzem porowaty
folia krzemowa
CVD
silicon foil
porous silicon

Pokaż więcej

Dostawca treści:

RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

/5

Książka

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 85.

Tytuł:

Wysokorezystywne wzorce do pomiaru profilu rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych metodą oporności rozpływu w styku punktowym

Autorzy:

Brzozowski, A.
Sarnecki, J.
Lipiński, D.
Wodzińska, H.

Data publikacji:

2013

Słowa kluczowe:

rezystywność
oporność rozpływu
krzem monokrystaliczny
warstwa epitaksjalna
resistivity
spreading resistance
monocrystalline silicon
epitaxial layer

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 86.

Tytuł:

Study on high signal-to-noise ratio (SNR) silicon p-n junction photodetector

Autorzy:

Fu, X.S.
Yao, S.Y.
Xu, J.T.
Lu, Y.
Zheng, Y.G.

Data publikacji:

2006

Słowa kluczowe:

silicon p-n junction photodetector
antireflection layer
adjustment technique of spectrum band
spectral responsivity
high signal-to-noise ratio (SNR)

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 87.

Tytuł:

Badanie właściwości cienkich warstw pasywujących z SiO₂ w strukturze ogniwa fotowoltaicznego

Autorzy:

Wróbel, E.
Waczyńska, N.
Filipowski, W.
Drabczyk, K.

Data publikacji:

2011

Słowa kluczowe:

fotowoltaika
krzemowe ogniwo słoneczne
warstwa pasywująca
photovoltaics
silicon solar cell
passivates layer

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 88.

Tytuł:

The role of fluorine-containing ultra-thin layer in controlling boron thermal diffusion into silicon

Współwytwórcy:

Kalisz, Małgorzata
Ćwil, Michał
Beck, Romuald B.
Barcz, Adam

Data publikacji:

2007

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 89.

Tytuł:

Photoluminescence Properties of Porous Silicon Prepared by Electrochemical Etching of Si Epitaxial Layer

Autorzy:

Nossarzewska-Orłowska, E.
Brzozowski, A.

Data publikacji:

1993-10

Wydawca:

Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN

Tematy:

78.55.Hx
81.60.-j

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 90.

Tytuł:

Influence of primary silicon precipitates on anodized aluminum alloys surface layer properties

Autorzy:

Labisz, K.
Konieczny, J.
Wierzbicki, Ł.
Ćwiek, J.
Butor, A.

Data publikacji:

2018

Wydawca:

Politechnika Śląska. Wydawnictwo Politechniki Śląskiej

Tematy:

anodization
aluminium alloys
microstructure
surface layer
wear resistance
anodowanie
stopy aluminium
mikrostruktura
warstwa wierzchnia
odporność na zużycie

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 91.

Tytuł:

Deposition of SnO2 as a functional layer on a porous silicon substrate for potential tandem solar cell application

Autorzy:

Kulesza-Matlak, Grażyna
Szindler, Marek
Szindler, Magdalena M.
Sypien, Anna
Major, Lukasz
Drabczyk, Kazimierz

Data publikacji:

2025

Wydawca:

Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich

Tematy:

tandem solar cell
ALD
SnO2
recombination layer
silicon nanowires
MAE etching

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 92.

Tytuł:

Manufacturing and Wear Properties of SiC Coating Layer on Zr alloy Fabricated by Vacuum Kinetic Spray Process

Autorzy:

Ham, Gi-Su
Kim, Kyu-Sik
Lee, Kee-Ahn

Data publikacji:

2019

Słowa kluczowe:

vacuum kinetic spray
silicon carbide
microstructure
wear

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 93.

Tytuł:

Efektywne wartości współczynnika dyfuzji dla modelu domieszkowania dyfuzyjnego warstwy emiterowej ogniwa słonecznego

Autorzy:

Filipowski, W.
Waczyński, K.
Wróbel, E.
Skwarek, A.
Drabczyk, K.

Data publikacji:

2011

Słowa kluczowe:

ogniwo słoneczne
struktura fotowoltaiczna
warstwa emiterowa
domieszkowanie krzemu
symulacja komputerowa
solar cell
photovoltaic structure
emitter layer
silicon doping
computer simulation

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 94.

Tytuł:

Struktura i własności warstw Al₂O₃ osadzonych metodą ALD na krzemowych ogniwach fotowoltaicznych

Autorzy:

Szindler, M.

Data publikacji:

2018

Słowa kluczowe:

osadzanie warstw atomowych
warstwy antyrefleksyjne
krzemowe ogniwo fotowoltaiczne
własności optyczne
charakterystyka prądowo-napięciowa
atomic layer deposition
antireflection coatings
silicon solar cells
optical properties
current-voltage characteristics

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 95.

Tytuł:

Bulk silicon detectors of ionizing radiation : the role of the depletion layer

Autorzy:

Marczewski, J.

Data publikacji:

2008

Słowa kluczowe:

detektory
promieniowanie jonizujące
detektory pozycyjne
warstwa zubożona
detectors
ionizing radiation
position detectors
depletion layer

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 96.

Tytuł:

High Temperature Oxidation Property of SiC Coating Layer Fabricated by Aerosol Deposition Process

Autorzy:

Ham, G.-S.
Kim, S.-H.
Park, J.-Y.
Lee, K.-A.

Data publikacji:

2017

Słowa kluczowe:

silicon carbide
aerosol deposition
coating
high temperature oxidation

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 97.

Tytuł:

Krzemowe warstwy homoepitaksjalne
Prace ONPMP 1978 z. 6
Krzemowe warstwy homoepitaksjalne = Homoepitaxial silicon layers
Proceedings of ONPMP 1978 z. 6

Autorzy:

Korec Jacek

Współwytwórcy:

Rupniewski Wojciech
Wójcik Marek

Data publikacji:

1978

Wydawca:

Wydaw. Przem. Masz. "WEMA"

Słowa kluczowe:

silicon epitaxy
Elektronika - czasopismo - materiały
Materiały elektroniczne
homoepitaxial layer
Electronic materials
warstwa homoepitaksjalna
epitaksja krzemu
Electronic - journal - material

Pokaż więcej

Dostawca treści:

RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

/5

Książka

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 98.

Tytuł:

Krzemowe warstwy epitaksjalne do zastosowań fotowoltaicznych osadzane na krzemie porowatym = Silicon epitaxial deposited porous silicon for photovoltaic applications
Krzemowe warstwy epitaksjalne do zastosowań fotowoltaicznych osadzane na krzemie porowatym
Materiały Elektroniczne 2012 T.40 nr 3

Autorzy:

Lipiński Dariusz

Współwytwórcy:

Brzozowski Andrzej
Sarnecki Jerzy
Mazur Krystyna

Data publikacji:

2012

Wydawca:

ITME

Słowa kluczowe:

solar cell
warstwa epitaksjalna
Elektronika - czasopismo - materiały
epitaxial layer
krzem porowaty
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
ogniwo słoneczne
CVD
porous silicon
Electronic - journal - material

Pokaż więcej

Dostawca treści:

RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

/5

Książka

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 99.

Tytuł:

Review and perspective of high-k dielectrics on silicon

Autorzy:

Hall, S.
Buiu, O.
Mitrovic, I. Z.
Lu, Y.
Davey, W. M.

Data publikacji:

2007

Słowa kluczowe:

high-k dielectrics
dielectric constant
hafnia
interfacial layer
aluminates
silicates

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 100.

Tytuł:

Influence of high pressure annealing on electrical properties of surface layer of neutron irradiated or germanium-doped Czochralski-grown silicon

Współwytwórcy:

Prujszczyk, Marek
Jung, Wojciech
Instytut Technologii Elektronowej
Misuk, Andrzej

Data publikacji:

2005

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły