Autor: Przewlocki M. - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Gene profiling the rewarding effect of morphine in striatum ans hippocampus
Autorzy:: Bilecki W.
Przewlocki M.
Dostawca treści:: AGRO

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Department of the MOS System Studies
Autorzy:: Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2004
Słowa kluczowe:: Instytut Technologii Elektronowej
działalność naukowo-badawcza
Institute of Electron Technology
scientific activity; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Department of the MOS System Studies
Autorzy:: Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2001
Słowa kluczowe:: Instytut Technologii Elektronowej
działalność naukowo-badawcza
Institute of Electron Technology
scientific activity; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Department of the MOS System Studies
Autorzy:: Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2005
Słowa kluczowe:: Instytut Technologii Elektronowej
działalność naukowo-badawcza
Institute of Electron Technology
scientific activity; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Department of Characterisation of Nanoelectronic Structures
Autorzy:: Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2009
Słowa kluczowe:: Instytut Technologii Elektronowej
działalność naukowo-badawcza
Institute of Electron Technology
scientific activity; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Department of Characterisation of Nanoelectronic Structures
Autorzy:: Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2013
Słowa kluczowe:: Instytut Technologii Elektronowej
działalność naukowo-badawcza
Institute of Electron Technology
scientific activity; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Department of the MOS System Studies
Autorzy:: Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2007
Słowa kluczowe:: Instytut Technologii Elektronowej
działalność naukowo-badawcza
Institute of Electron Technology
scientific activity; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Department of the MOS System Studies
Autorzy:: Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2001
Słowa kluczowe:: Institute of Electron Technology
scientific activity; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Department of the MOS System Studies
Autorzy:: Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2008
Słowa kluczowe:: Instytut Technologii Elektronowej
działalność naukowo-badawcza
Institute of Electron Technology
scientific activity; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Department of the MOS System Studies
Autorzy:: Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2003
Słowa kluczowe:: Instytut Technologii Elektronowej
działalność naukowo-badawcza
Institute of Electron Technology
scientific activity; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Department of Characterisation of Nanoelectronic Structures
Autorzy:: Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2010
Słowa kluczowe:: Instytut Technologii Elektronowej
działalność naukowo-badawcza
Institute of Electron Technology
scientific activity; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: Department of the MOS System Studies
Autorzy:: Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 1998
Słowa kluczowe:: Institute of Electron Technology
scientific activity
Instytut Technologii Elektronowej
działalność naukowo-badawcza; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Department of Characterisation of Nanoelectronic Structures
Autorzy:: Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2014
Słowa kluczowe:: Institute of Electron Technology
scientific activity
Instytut Technologii Elektronowej
działalność naukowo-badawcza; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Department of the MOS System Studies
Autorzy:: Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2006
Słowa kluczowe:: Instytut Technologii Elektronowej
działalność naukowo-badawcza
Institute of Electron Technology
scientific activity; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: Department of Characterisation of Nanoelectronic Structures
Autorzy:: Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2011
Słowa kluczowe:: Instytut Technologii Elektronowej
działalność naukowo-badawcza
Institute of Electron Technology
scientific activity; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: Department of Characterisation of Nanoelectronic Structures
Autorzy:: Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2012
Słowa kluczowe:: Instytut Technologii Elektronowej
działalność naukowo-badawcza
Institute of Electron Technology
scientific activity; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: Department of the MOS System Studies. Studies of Physical Properties of MOS Structures by Means of Photoelectric and Electrical Methods
Autorzy:: Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 1999
Słowa kluczowe:: Instytut Technologii Elektronowej
działalność naukowo-badawcza
Institute of Electron Technology
scientific activity; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: Department of the MOS System Studies
Autorzy:: Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2000
Słowa kluczowe:: Instytut Technologii Elektronowej
działalność naukowo-badawcza
Institute of Electron Technology
scientific activity; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: Modulation of the expression of opioid inducible genes using RNA interference
Autorzy:: Ligeza A.
Wawrzczak-Bargiela A.
Kaminska D.
Korostynski M.
Przewlocki M.
Dostawca treści:: AGRO

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: Distribution of potential barrier height local values at Al-SiO₂ and Si-SiO₂ interfaces of the metal-oxide-semiconductor (MOS) structures
Autorzy:: Piskorski, K.
Przewlocki, H. M.
Data publikacji:: 2004
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 21.

Tytuł:: Investigation of barrier height distributions over the gate area of Al-SiO2-Si structures
Autorzy:: Piskorski, K.
Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: barrier height
effective contact potential difference
MOS system; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 22.

Tytuł:: Zastosowanie metody MPAS do określania przekrojów czynnych pułapek powierzchniowych w węgliku krzemu
Autorzy:: Gutt, T.
Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2013
Słowa kluczowe:: węglik krzemu
SiC
pułapki powierzchniowe
przekrój czynny
silicon carbide
admittance spectroscopy
interface traps
capture cross-section; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 23.

Tytuł:: Badanie rozkładów przestrzennych napięcia wyprostowanych pasm w półprzewodniku U FB w strukturach MOS
Autorzy:: Piskorski, K.
Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2008
Słowa kluczowe:: napięcie wyprostowanych pasm
struktura MOS
flat-band voltage
MOS structure; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 24.

Tytuł:: Opracowanie modelu rozkładów parametrów elektrycznych struktury MOS w płaszczyźnie powierzchni okrągłej bramki tej struktury
Autorzy:: Piskorski, K.
Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2013
Słowa kluczowe:: struktura MOS
naprężenia mechaniczne
parametry elektryczne
MOS structure
photoelectric measurements
mechanical stress; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 25.

Tytuł:: Distribution of potential barrier height local values at Al-SiO₂ and Si-SiO₂ interfaces of the metal-oxide-semiconductor (MOS) structures
Autorzy:: Piskorski, K.
Przewlocki, H. M.
Data publikacji:: 2004
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 26.

Tytuł:: Monitoring of border trap effects in MOS capacitors by the voltage step technique
Autorzy:: Boużyk, A.
Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 1999
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 27.

Tytuł:: Investigation of flat-band voltage distributions over the gate area of Al.-SiO2-Si structures
Autorzy:: Piskorski, K.
Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2010
Słowa kluczowe:: napięcie wyprostowanych pasm w półprzewodniku
struktura MOS
flat-band voltage
MOS structure; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 28.

Tytuł:: LPT and SLPT Measurement Methods of Flat-Band Voltage (VFB) in MOS Devices
Autorzy:: Piskorski, K.
Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2009
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: flat-band voltage
light pulse technique
MOS system
photoelectric methods
scanned light pulse technique; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 29.

Tytuł:: LPT and SLPT Measurement Methods of Flat-Band Voltage (VFB) in MOS Devices
Autorzy:: Piskorski, K.
Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2009
Słowa kluczowe:: flat-band voltage
light pulse technique
MOS system
photoelectric methods
scanned light pulse technique; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 30.

Tytuł:: Investigation of barrier height distributions over the gate area of Al-SiO2-Si structures
Autorzy:: Piskorski, K.
Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2007
Słowa kluczowe:: barrier height
effective contact potential difference
MOS system; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 31.

Tytuł:: Opracowanie fotoelektrycznej metody LPT pomiaru napięcia wyprostowanych pasm U FB w przewodniku
Autorzy:: Piskorski, K.
Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2008
Słowa kluczowe:: napięcie wyprostowanych pasm w półprzewodniku
struktura MOS
flat-band voltage
MOS structure; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 32.

Tytuł:: Metody określania napięcia wyprostowanych pasm w półprzewodniku w strukturze MOS
Autorzy:: Piskorski, K.
Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2010
Słowa kluczowe:: napięcie wyprostowanych pasm w półprzewodniku
struktura MOS
flat-band voltage in semiconductor
MOS structure; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 33.

Tytuł:: Opracowanie fotoelektrycznej metody badania rozkładu napięcia wyprostowanych pasm w płaszczyźnie powierzchni bramki struktur MOS
Autorzy:: Piskorski, K.
Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2006
Słowa kluczowe:: napięcie wyprostowanych pasm w półprzewodniku
różnica potencjałów kontaktowych
struktura MOS
flat-band voltage
effective contact potential difference
MOS structure; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 34.

Tytuł:: Distribution of potential barrier height local values at Al-SiO2 and Si-SiO2 inter-faces of the metal-oxide-semiconductor structures
Autorzy:: Piskorski, K.
Przewłocki, H.M.
Data publikacji:: 2006
Słowa kluczowe:: barrier height
effective contact potential difference
MOS system; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 35.

Tytuł:: Określanie schematów pasmowych struktur MOS na podłożu SiC(4H)
Autorzy:: Piskorski, K.
Przewłocki, H. M.
Bakowski, M.
Data publikacji:: 2014
Słowa kluczowe:: struktura MOS
schemat pasmowy
stan powierzchni
MOS structure
band diagram
interface states; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 36.

Tytuł:: Energy concepts involved in MOS characterization
Autorzy:: Engström, O.
Gutt, T.
Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: C-V technique
capture cross sections
interface states
Meyer-Neldel rule
MOS
thermally stimulated current; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 37.

Tytuł:: Energy concepts involved in MOS characterization
Autorzy:: Engström, O.
Gutt, T.
Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2007
Słowa kluczowe:: C-V technique
capture cross sections
interface states
Meyer-Neldel rule
MOS
thermally stimulated current; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 38.

Tytuł:: Kompleksowa charakteryzacja nowoczesnych struktur nanoelektronicznych przy użyciu Uniwersalnego Systemu Pomiarów Fotoelektrycznych
Autorzy:: Piskorski, K.
Niemiec, M.
Borowicz, L.
Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2016
Słowa kluczowe:: pomiary fotoelektryczne
struktura MOS
półprzewodniki
photoelectric measurements
MOS structure
semiconductors; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 39.

Tytuł:: Electrical and photoelectric characterization of the MOS structures on 3C-SiC substrate
Autorzy:: Piskorski, K.
Przewłocki, H. M.
Esteve, R.
Bakowski, M.
Data publikacji:: 2011
Słowa kluczowe:: silicon carbide
SiC
MOS structure
band diagram; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 40.

Tytuł:: Band diagram determination of MOS structures with different gate materials on 3C-SiC substrate
Autorzy:: Piskorski, K.
Przewlocki, H. M.
Esteve, R.
Bakowski, M.
Data publikacji:: 2012
Słowa kluczowe:: MOS structure
band diagram
photoelectric measurements; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 41.

Tytuł:: Określanie schematów pasmowych struktur MOS o różnej metalizacji bramki na podłożu 3C-SiC
Autorzy:: Piskorski, K.
Przewłocki, H. M.
Esteve, R.
Bakowski, M.
Data publikacji:: 2011
Słowa kluczowe:: węglik krzemu
napięcie wyprostowanych pasm w półprzewodniku
struktura MOS
silicon carbide
flat-band voltage in semiconductor
MOS structure; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 42.

Tytuł:: Zależność parametrów elektrycznych struktury MOS wykonanej na podłożu SiC od wielkości metalowej bramki
Autorzy:: Piskorski, K.
Przewłocki, H. M.
Esteve, R.
Bakowski, M.
Data publikacji:: 2012
Słowa kluczowe:: węglik krzemu
struktura MOS
bariera potencjału
silicon carbide
MOS structure
potential barrier height; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 43.

Tytuł:: Effects of stress annealing on the electrical and the optical properties of MOS devices
Autorzy:: Rzodkiewicz, W.
Kudła, A.
Rawicki, Z.
Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2005
Słowa kluczowe:: stress
MOS
Si-SiO2 system
electrical parameters
refractive index; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 44.

Tytuł:: Badania właściwości struktur MOS na SiC dla wybranych rozwiązań technologiczno-konstrukcyjnych
Autorzy:: Gutt, T.
Piskorski, K.
Przewłocki, H. M.
Borowicz, P.
Data publikacji:: 2012
Słowa kluczowe:: węglik krzemu
SiC
kontaktowa różnica potencjałów
bariery potencjału
napięcie wyprostowanych pasm
spektroskopia mikroramanowska
silicon carbide
contact potential difference
potential barriers
flat-band voltage
micro-Raman spectroscopy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 45.

Tytuł:: Effects of stress annealing on the electrical and the optical properties of MOS devices
Autorzy:: Rzodkiewicz, W.
Kudła, A.
Rawicki, Z.
Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2005
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: stress
MOS
Si-SiO2 system
electrical parameters
refractive index; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 46.

Tytuł:: Comparison of the barrier height measurements by the Powell method with the phi MS measurement results
Autorzy:: Piskorski, K.
Kudła, A.
Rzodkiewicz, W.
Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2005
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: barrier height
effective contact potential difference
MOS system; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 47.

Tytuł:: Comparison of the barrier height measurements by the Powell method with the phi MS measurement results
Autorzy:: Piskorski, K.
Kudła, A.
Rzodkiewicz, W.
Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2005
Słowa kluczowe:: barrier height
effective contact potential difference
MOS system; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 48.

Tytuł:: Variability of the local phi MS values over the gate area of MOS devices
Autorzy:: Przewłocki, H. M.
Kudła, A.
Brzezińska, D.
Massoud, H. Z.
Data publikacji:: 2005
Słowa kluczowe:: MOS structure
photoelectric measurements
electrical parameters
mechanical stress; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 49.

Tytuł:: Variability of the local phi MS values over the gate area of MOS devices
Autorzy:: Przewłocki, H. M.
Kudła, A.
Brzezińska, D.
Massoud, H. Z.
Data publikacji:: 2005
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: MOS structure
photoelectric measurements
electrical parameters
mechanical stress; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 50.

Tytuł:: Wpływ materiału bramki, metody wytwarzania SiO₂ i efektu krawędzi bramki na rozkłady gęstości pułapek powierzchniowych w kondensatorach MOS na 3C-SiC
Autorzy:: Gutt, T.
Małachowski, T.
Przewłocki, H. M.
Engstrom, O.
Esteve, R.
Bakowski, M.
Data publikacji:: 2011
Słowa kluczowe:: węglik krzemu
pułapki powierzchniowe
struktura MOS
naprężenia mechaniczne
silicon carbide
interface traps
MOS structure
mechanical stress; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę "Przewlocki M." wg kryterium: Autor