Autor: Przewlocki M. - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Gene profiling the rewarding effect of morphine in striatum ans hippocampus
Autorzy:: Bilecki W.
Przewlocki M.
Dostawca treści:: AGRO

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Department of the MOS System Studies
Autorzy:: Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2004
Słowa kluczowe:: Instytut Technologii Elektronowej
działalność naukowo-badawcza
Institute of Electron Technology
scientific activity; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Department of the MOS System Studies
Autorzy:: Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2001
Słowa kluczowe:: Instytut Technologii Elektronowej
działalność naukowo-badawcza
Institute of Electron Technology
scientific activity; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Department of the MOS System Studies
Autorzy:: Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2005
Słowa kluczowe:: Instytut Technologii Elektronowej
działalność naukowo-badawcza
Institute of Electron Technology
scientific activity; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Department of Characterisation of Nanoelectronic Structures
Autorzy:: Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2009
Słowa kluczowe:: Instytut Technologii Elektronowej
działalność naukowo-badawcza
Institute of Electron Technology
scientific activity; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Department of Characterisation of Nanoelectronic Structures
Autorzy:: Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2013
Słowa kluczowe:: Instytut Technologii Elektronowej
działalność naukowo-badawcza
Institute of Electron Technology
scientific activity; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Department of the MOS System Studies
Autorzy:: Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2007
Słowa kluczowe:: Instytut Technologii Elektronowej
działalność naukowo-badawcza
Institute of Electron Technology
scientific activity; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Department of the MOS System Studies
Autorzy:: Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2001
Słowa kluczowe:: Institute of Electron Technology
scientific activity; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Department of the MOS System Studies
Autorzy:: Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2008
Słowa kluczowe:: Instytut Technologii Elektronowej
działalność naukowo-badawcza
Institute of Electron Technology
scientific activity; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Department of the MOS System Studies
Autorzy:: Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2003
Słowa kluczowe:: Instytut Technologii Elektronowej
działalność naukowo-badawcza
Institute of Electron Technology
scientific activity; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Department of Characterisation of Nanoelectronic Structures
Autorzy:: Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2010
Słowa kluczowe:: Instytut Technologii Elektronowej
działalność naukowo-badawcza
Institute of Electron Technology
scientific activity; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: Department of the MOS System Studies
Autorzy:: Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 1998
Słowa kluczowe:: Institute of Electron Technology
scientific activity
Instytut Technologii Elektronowej
działalność naukowo-badawcza; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Department of Characterisation of Nanoelectronic Structures
Autorzy:: Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2014
Słowa kluczowe:: Institute of Electron Technology
scientific activity
Instytut Technologii Elektronowej
działalność naukowo-badawcza; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Department of the MOS System Studies
Autorzy:: Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2006
Słowa kluczowe:: Instytut Technologii Elektronowej
działalność naukowo-badawcza
Institute of Electron Technology
scientific activity; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: Department of Characterisation of Nanoelectronic Structures
Autorzy:: Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2011
Słowa kluczowe:: Instytut Technologii Elektronowej
działalność naukowo-badawcza
Institute of Electron Technology
scientific activity; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: Department of Characterisation of Nanoelectronic Structures
Autorzy:: Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2012
Słowa kluczowe:: Instytut Technologii Elektronowej
działalność naukowo-badawcza
Institute of Electron Technology
scientific activity; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: Department of the MOS System Studies. Studies of Physical Properties of MOS Structures by Means of Photoelectric and Electrical Methods
Autorzy:: Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 1999
Słowa kluczowe:: Instytut Technologii Elektronowej
działalność naukowo-badawcza
Institute of Electron Technology
scientific activity; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: Department of the MOS System Studies
Autorzy:: Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2000
Słowa kluczowe:: Instytut Technologii Elektronowej
działalność naukowo-badawcza
Institute of Electron Technology
scientific activity; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: Modulation of the expression of opioid inducible genes using RNA interference
Autorzy:: Ligeza A.
Wawrzczak-Bargiela A.
Kaminska D.
Korostynski M.
Przewlocki M.
Dostawca treści:: AGRO

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: Distribution of potential barrier height local values at Al-SiO₂ and Si-SiO₂ interfaces of the metal-oxide-semiconductor (MOS) structures
Autorzy:: Piskorski, K.
Przewlocki, H. M.
Data publikacji:: 2004
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 21.

Tytuł:: Investigation of barrier height distributions over the gate area of Al-SiO2-Si structures
Autorzy:: Piskorski, K.
Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: barrier height
effective contact potential difference
MOS system; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 22.

Tytuł:: Zastosowanie metody MPAS do określania przekrojów czynnych pułapek powierzchniowych w węgliku krzemu
Autorzy:: Gutt, T.
Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2013
Słowa kluczowe:: węglik krzemu
SiC
pułapki powierzchniowe
przekrój czynny
silicon carbide
admittance spectroscopy
interface traps
capture cross-section; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 23.

Tytuł:: Badanie rozkładów przestrzennych napięcia wyprostowanych pasm w półprzewodniku U FB w strukturach MOS
Autorzy:: Piskorski, K.
Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2008
Słowa kluczowe:: napięcie wyprostowanych pasm
struktura MOS
flat-band voltage
MOS structure; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 24.

Tytuł:: Opracowanie modelu rozkładów parametrów elektrycznych struktury MOS w płaszczyźnie powierzchni okrągłej bramki tej struktury
Autorzy:: Piskorski, K.
Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2013
Słowa kluczowe:: struktura MOS
naprężenia mechaniczne
parametry elektryczne
MOS structure
photoelectric measurements
mechanical stress; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 25.

Tytuł:: Distribution of potential barrier height local values at Al-SiO₂ and Si-SiO₂ interfaces of the metal-oxide-semiconductor (MOS) structures
Autorzy:: Piskorski, K.
Przewlocki, H. M.
Data publikacji:: 2004
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 26.

Tytuł:: Monitoring of border trap effects in MOS capacitors by the voltage step technique
Autorzy:: Boużyk, A.
Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 1999
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 27.

Tytuł:: Investigation of flat-band voltage distributions over the gate area of Al.-SiO2-Si structures
Autorzy:: Piskorski, K.
Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2010
Słowa kluczowe:: napięcie wyprostowanych pasm w półprzewodniku
struktura MOS
flat-band voltage
MOS structure; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 28.

Tytuł:: LPT and SLPT Measurement Methods of Flat-Band Voltage (VFB) in MOS Devices
Autorzy:: Piskorski, K.
Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2009
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: flat-band voltage
light pulse technique
MOS system
photoelectric methods
scanned light pulse technique; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 29.

Tytuł:: LPT and SLPT Measurement Methods of Flat-Band Voltage (VFB) in MOS Devices
Autorzy:: Piskorski, K.
Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2009
Słowa kluczowe:: flat-band voltage
light pulse technique
MOS system
photoelectric methods
scanned light pulse technique; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 30.

Tytuł:: Investigation of barrier height distributions over the gate area of Al-SiO2-Si structures
Autorzy:: Piskorski, K.
Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2007
Słowa kluczowe:: barrier height
effective contact potential difference
MOS system; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 31.

Tytuł:: Opracowanie fotoelektrycznej metody LPT pomiaru napięcia wyprostowanych pasm U FB w przewodniku
Autorzy:: Piskorski, K.
Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2008
Słowa kluczowe:: napięcie wyprostowanych pasm w półprzewodniku
struktura MOS
flat-band voltage
MOS structure; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 32.

Tytuł:: Metody określania napięcia wyprostowanych pasm w półprzewodniku w strukturze MOS
Autorzy:: Piskorski, K.
Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2010
Słowa kluczowe:: napięcie wyprostowanych pasm w półprzewodniku
struktura MOS
flat-band voltage in semiconductor
MOS structure; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 33.

Tytuł:: Opracowanie fotoelektrycznej metody badania rozkładu napięcia wyprostowanych pasm w płaszczyźnie powierzchni bramki struktur MOS
Autorzy:: Piskorski, K.
Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2006
Słowa kluczowe:: napięcie wyprostowanych pasm w półprzewodniku
różnica potencjałów kontaktowych
struktura MOS
flat-band voltage
effective contact potential difference
MOS structure; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 34.

Tytuł:: Distribution of potential barrier height local values at Al-SiO2 and Si-SiO2 inter-faces of the metal-oxide-semiconductor structures
Autorzy:: Piskorski, K.
Przewłocki, H.M.
Data publikacji:: 2006
Słowa kluczowe:: barrier height
effective contact potential difference
MOS system; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 35.

Tytuł:: Określanie schematów pasmowych struktur MOS na podłożu SiC(4H)
Autorzy:: Piskorski, K.
Przewłocki, H. M.
Bakowski, M.
Data publikacji:: 2014
Słowa kluczowe:: struktura MOS
schemat pasmowy
stan powierzchni
MOS structure
band diagram
interface states; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 36.

Tytuł:: Energy concepts involved in MOS characterization
Autorzy:: Engström, O.
Gutt, T.
Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: C-V technique
capture cross sections
interface states
Meyer-Neldel rule
MOS
thermally stimulated current; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 37.

Tytuł:: Energy concepts involved in MOS characterization
Autorzy:: Engström, O.
Gutt, T.
Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2007
Słowa kluczowe:: C-V technique
capture cross sections
interface states
Meyer-Neldel rule
MOS
thermally stimulated current; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 38.

Tytuł:: Kompleksowa charakteryzacja nowoczesnych struktur nanoelektronicznych przy użyciu Uniwersalnego Systemu Pomiarów Fotoelektrycznych
Autorzy:: Piskorski, K.
Niemiec, M.
Borowicz, L.
Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2016
Słowa kluczowe:: pomiary fotoelektryczne
struktura MOS
półprzewodniki
photoelectric measurements
MOS structure
semiconductors; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 39.

Tytuł:: Electrical and photoelectric characterization of the MOS structures on 3C-SiC substrate
Autorzy:: Piskorski, K.
Przewłocki, H. M.
Esteve, R.
Bakowski, M.
Data publikacji:: 2011
Słowa kluczowe:: silicon carbide
SiC
MOS structure
band diagram; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 40.

Tytuł:: Band diagram determination of MOS structures with different gate materials on 3C-SiC substrate
Autorzy:: Piskorski, K.
Przewlocki, H. M.
Esteve, R.
Bakowski, M.
Data publikacji:: 2012
Słowa kluczowe:: MOS structure
band diagram
photoelectric measurements; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 41.

Tytuł:: Określanie schematów pasmowych struktur MOS o różnej metalizacji bramki na podłożu 3C-SiC
Autorzy:: Piskorski, K.
Przewłocki, H. M.
Esteve, R.
Bakowski, M.
Data publikacji:: 2011
Słowa kluczowe:: węglik krzemu
napięcie wyprostowanych pasm w półprzewodniku
struktura MOS
silicon carbide
flat-band voltage in semiconductor
MOS structure; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 42.

Tytuł:: Zależność parametrów elektrycznych struktury MOS wykonanej na podłożu SiC od wielkości metalowej bramki
Autorzy:: Piskorski, K.
Przewłocki, H. M.
Esteve, R.
Bakowski, M.
Data publikacji:: 2012
Słowa kluczowe:: węglik krzemu
struktura MOS
bariera potencjału
silicon carbide
MOS structure
potential barrier height; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 43.

Tytuł:: Effects of stress annealing on the electrical and the optical properties of MOS devices
Autorzy:: Rzodkiewicz, W.
Kudła, A.
Rawicki, Z.
Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2005
Słowa kluczowe:: stress
MOS
Si-SiO2 system
electrical parameters
refractive index; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 44.

Tytuł:: Badania właściwości struktur MOS na SiC dla wybranych rozwiązań technologiczno-konstrukcyjnych
Autorzy:: Gutt, T.
Piskorski, K.
Przewłocki, H. M.
Borowicz, P.
Data publikacji:: 2012
Słowa kluczowe:: węglik krzemu
SiC
kontaktowa różnica potencjałów
bariery potencjału
napięcie wyprostowanych pasm
spektroskopia mikroramanowska
silicon carbide
contact potential difference
potential barriers
flat-band voltage
micro-Raman spectroscopy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 45.

Tytuł:: Effects of stress annealing on the electrical and the optical properties of MOS devices
Autorzy:: Rzodkiewicz, W.
Kudła, A.
Rawicki, Z.
Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2005
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: stress
MOS
Si-SiO2 system
electrical parameters
refractive index; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 46.

Tytuł:: Comparison of the barrier height measurements by the Powell method with the phi MS measurement results
Autorzy:: Piskorski, K.
Kudła, A.
Rzodkiewicz, W.
Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2005
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: barrier height
effective contact potential difference
MOS system; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 47.

Tytuł:: Comparison of the barrier height measurements by the Powell method with the phi MS measurement results
Autorzy:: Piskorski, K.
Kudła, A.
Rzodkiewicz, W.
Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2005
Słowa kluczowe:: barrier height
effective contact potential difference
MOS system; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 48.

Tytuł:: Variability of the local phi MS values over the gate area of MOS devices
Autorzy:: Przewłocki, H. M.
Kudła, A.
Brzezińska, D.
Massoud, H. Z.
Data publikacji:: 2005
Słowa kluczowe:: MOS structure
photoelectric measurements
electrical parameters
mechanical stress; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 49.

Tytuł:: Variability of the local phi MS values over the gate area of MOS devices
Autorzy:: Przewłocki, H. M.
Kudła, A.
Brzezińska, D.
Massoud, H. Z.
Data publikacji:: 2005
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: MOS structure
photoelectric measurements
electrical parameters
mechanical stress; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 50.

Tytuł:: Wpływ materiału bramki, metody wytwarzania SiO₂ i efektu krawędzi bramki na rozkłady gęstości pułapek powierzchniowych w kondensatorach MOS na 3C-SiC
Autorzy:: Gutt, T.
Małachowski, T.
Przewłocki, H. M.
Engstrom, O.
Esteve, R.
Bakowski, M.
Data publikacji:: 2011
Słowa kluczowe:: węglik krzemu
pułapki powierzchniowe
struktura MOS
naprężenia mechaniczne
silicon carbide
interface traps
MOS structure
mechanical stress; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 51.

Tytuł:: Photoelectronic measurement methods and the universal measurement system for precise parameter determination of semiconductor structures
Autorzy:: Machalica, P.
Porębski, S.
Zając, J.
Borowicz, L.
Kudła, A.
Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2002
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 52.

Tytuł:: Photoelectronic measurement methods and the universal measurement system for precise parameter determination of semiconductor structures
Autorzy:: Machalica, P.
Porębski, S.
Zając, J.
Borowicz, L.
Kudła, A.
Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2001/2002
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 53.

Tytuł:: The lateral distribution of the effective contact potential difference over the gate area of MOS structures
Autorzy:: Przewłocki, H. M.
Kudła, I.
Brzezińska, D.
Borowicz, L.
Sawicki, Z.
Massoud, H. Z.
Data publikacji:: 2003
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 54.

Tytuł:: The lateral distribution of the effective contact potential difference over the gate area of MOS structures
Autorzy:: Przewłocki, H. M.
Kudła, I.
Brzezińska, D.
Borowicz, L.
Sawicki, Z.
Massoud, H. Z.
Data publikacji:: 2003
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 55.

Tytuł:: Kompleksowa charakteryzacja struktur elektronicznych na podłożach SiC metodami fotoelektrycznymi, elektrycznymi i optycznymi
Autorzy:: Przewłocki, H. M.
Gutt, T.
Piskorski, K.
Rzodkiewicz, W.
Borowicz, P.
Esteve, R.
Bakowski, M.
Data publikacji:: 2011
Słowa kluczowe:: struktura MOS
węglik krzemu
schemat pasmowy
metody fotoelektryczne
metody elektryczne
metody optyczne
MOS structure
silicon carbide
band diagram
photoelecric methods
electric methods
optical methods; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 56.

Tytuł:: Nuclear interferometry for two-nucleon systems (experiment E286 at GANIL)
Autorzy:: Pluta, J.
Hanappe, F.
Angelique, J. C.
Assenard, M.
Benoit, B.
de Goes Brennand, E.
Bizard, G.
Colin, J.
Desesquelles, P.
Dlugosz, A.
Doroshkevich, E.
Dorvaux, O.
Duda, P.
Durand, D.
Erazmus, B.
Eudes, P.
Hqd-Dqd, F.
Kirchner, T.
Kuleshov, S.
Lebrun, C.
Lednicky, R.
Leszczynski, P.
Marqués, F. M.
Martin, L.
Mikhailov, K.
Miller, K.
Pawlak, T.
Przewlocki, M.
Stavinsky, A.
Stuttge, L.
Tamain, B.
Vlasov, A.
Vorobyev, L.
Wosinska, K.
Data publikacji:: 1998
Słowa kluczowe:: interferometria jądrowa
układy dwunukleonowe
emisja cząstek
zderzenia ciężkich jonów
efekt kolumbowski
nuclear interferometry
two-nucleon systems
particle emission
heavy-ion collisions
Coulomb effects; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 57.

Tytuł:: Badania dotyczace obrotu nieruchomosciami w strefach ochronnych kopaln wegla brunatnego
Autorzy:: Naglewski M.
Przewlocki S.
Tematy:: geodezja
kopalnie wegla brunatnego
rynek nieruchomosci
obrot towarowy
nieruchomosci
strefa ochronna; Pokaż więcej
Dostawca treści:: AGRO

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 58.

Tytuł:: Effect of LiCl on PENK mRNA and cAMP level in bovine chromaffin cells
Autorzy:: Dziedzicka M.
Przewlocki R.
Dostawca treści:: AGRO

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 59.

Tytuł:: Numeryczna a standardowa analiza pracy fundamentu obiektu zabytkowego
Autorzy:: Przewłócki, J.
Zielińska, M.
Data publikacji:: 2015
Słowa kluczowe:: building foundation
geotechnics
old buildings
fundamenty budynków
geotechnika
obiekty zabytkowe; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 60.

Tytuł:: Próby parametryzacji zrealizowania uwarunkowań ekologicznych, prawnych i ekonomicznych w procesie badania niektórych zachowań rynku nieruchomości w strefach ochronnych
Autorzy:: Naglewski, M.
Przewłocki, S.
Data publikacji:: 1998
Słowa kluczowe:: parametryzacja
rynek nieruchomości
strefa ochronna
uwarunkowania ekologiczne
uwarunkowania prawne
uwarunkowania ekonomiczne
parametrization
immovables market
protective zone
ecological conditions
lawful condition
economic; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 61.

Tytuł:: Badania niektórych zachowań rynku nieruchomości w otoczeniu stref ochronnych
Autorzy:: Przewłocki, S.
Naglewski, M.
Data publikacji:: 1999
Słowa kluczowe:: rynek nieruchomości
strefy ochronne
obrót nieruchomościami
real estate market
protectives zone
turnover of real estate; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 62.

Tytuł:: Elementy prawa miejscowego jako istotne czynniki ksztaltujace rynek lokalny nieruchomosci
Autorzy:: Przewlocki S
Naglewski M.
Tematy:: geodezja
prawo wlasnosci
nieruchomosci
rynek nieruchomosci
Konin
geodesy
law regulation
real estate
real estate market
Konin town; Pokaż więcej
Dostawca treści:: AGRO

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 63.

Tytuł:: Kilka uwag na temat ustalania i weryfikacji zasiegu stref taksacyjnych
Autorzy:: Naglewski M.
Przewlocki S.
Tematy:: strefy taksacyjne
geodezja
kataster fiskalny
ewidencja budynkow
ewidencja gruntow
kataster nieruchomosci
gospodarka rynkowa
nieruchomosci
taksacja; Pokaż więcej
Dostawca treści:: AGRO

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 64.

Tytuł:: Gospodarowanie przestrzenia i monitoring srodowiska w warunkach restrukturyzacji gospodarki polskiej
Autorzy:: Przewlocki S.
Naglewski M.
Tematy:: geodezja
restrukturyzacja
monitoring srodowiska
gospodarka regionalna
uwarunkowania spoleczne
uwarunkowania ekonomiczne
zagospodarowanie przestrzenne; Pokaż więcej
Dostawca treści:: AGRO

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 65.

Tytuł:: Badania niektorych zachowan rynku nieruchomosci w strefach ochronnych zwiazanych z wydobyciem wegla brunatnego [na przykladzie wojewodztwa koninskiego]
Autorzy:: Naglewski M.
Przewlocki S.
Tematy:: geodezja
obrot nieruchomosciami
ceny
wegiel brunatny
nieruchomosci
zagrozenia ekologiczne
woj.koninskie
rynek; Pokaż więcej
Dostawca treści:: AGRO

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 66.

Tytuł:: Badania dotyczące obrotu nieruchomościami w strefach ochronnych kopalń węgla brunatnego
Autorzy:: Naglewski, M.
Przewłocki, S.
Data publikacji:: 1998
Słowa kluczowe:: obrót nieruchomościami
strefy ochronne
kopalnie
trade real estates
protective zone
coal mines; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 67.

Tytuł:: Badanie niektórych zachowań rynku nieuchomości w strefach ochronnych zwiazanych z wydobyciem węgla brunatnego (na przykładzie województwa konińskiego)
Autorzy:: Naglewski, M.
Przewłocki, S.
Data publikacji:: 1998
Słowa kluczowe:: rynek nieruchomości
strefa ochronna
obrót nieruchomościami
real estate market
protective zone; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 68.

Tytuł:: Badanie wpływu temperatury na parametry elektryczne struktur MOS
Autorzy:: Leśko, M.
Przewłocki, H.
Data publikacji:: 2005
Słowa kluczowe:: struktura MOS
napięcie płaskich pasm
naprężenia mechaniczne
temperatura
napięcie przecięcia
MOS structure
flat-band voltage
mechanical stress
temperature
crossover voltage; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 69.

Tytuł:: Gene expression profiling of psychotropic drugs effects in the brain
Autorzy:: Korostynski M.
Piechota M.
Przewlocki R.
Dostawca treści:: AGRO

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 70.

Tytuł:: Analysis of regulatory elements in promoters of genes regulated by morphine in mouse brain
Autorzy:: Piechota M.
Korostynski M.
Przewlocki R.
Dostawca treści:: AGRO

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 71.

Tytuł:: LPT and SLPT measurement methods of flat-band voltage (VFB) in MOS devices
Autorzy:: Piskorski, Krzysztof
Współwytwórcy:: Przewłocki, Henryk M.
Data publikacji:: 2009
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 72.

Tytuł:: Opracowanie modelu rozkładów parametrów elektrycznych struktury MOS w płaszczyźnie powierzchni okrągłej bramki tej struktury
Autorzy:: Piskorski, Krzysztof
Współwytwórcy:: Przewłocki, Henryk M.
Data publikacji:: 2013
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 73.

Tytuł:: Metody określania napięcia wyprostowanych pasm w półprzewodniku w strukturze MOS
Autorzy:: Piskorski, Krzysztof
Współwytwórcy:: Przewłocki, Henryk M.
Data publikacji:: 2010
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 74.

Tytuł:: Opracowanie fotoelektrycznej metody LPT pomiaru napięcia wyprostowanych pasm U FB w półprzewodniku
Autorzy:: Piskorski, Krzysztof
Współwytwórcy:: Przewłocki, Henryk M.
Data publikacji:: 2008
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 75.

Tytuł:: Investigation of barrier height distributions over the gate area of Al-SiO2-Si structures
Autorzy:: Piskorski, Krzysztof
Współwytwórcy:: Przewłocki, Henryk M.
Data publikacji:: 2007
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 76.

Tytuł:: Annogene: Restful Web Service for Annotating Genomic Features
Autorzy:: Tomski, A.
Piechota, M.
Przewłocki, R.
Data publikacji:: 2014
Wydawca:: Społeczna Akademia Nauk w Łodzi
Tematy:: BED annotation
RESTful web service
ChIP-seq peaks; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 77.

Tytuł:: Fale ekstremalne na południowym Bałtyku
Autorzy:: Przewłócki, J.
Reda, A.
Paprota, M.
Data publikacji:: 2005
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 78.

Tytuł:: Badanie przemieszczeń i deformacji nabrzeży portowych i falochronów w czasie budowy i eksploatacji
Autorzy:: Przewłocki, S.
Żurowski, A.
Chmielecki, M.
Data publikacji:: 2006
Słowa kluczowe:: nabrzeże portowe
falochron
przemieszczenia
deformacje; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 79.

Tytuł:: Annogene: Restful Web Service for Annotating Genomic Features
Autorzy:: Tomski, A.
Piechota, M.
Przewłocki, R.
Data publikacji:: 2014
Słowa kluczowe:: BED annotation
RESTful web service
ChIP-seq peaks; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 80.

Tytuł:: Problematyka zakladania i modernizacji SIT na przykladzie doswiadczen lodzkich
Autorzy:: Czochanski M.
Kowalski G.
Przewlocki S.
Tematy:: woj.lodzkie
miasta
ewidencja budynkow
System Informacji Terenowej
modernizacja
nieruchomosci
infrastruktura techniczna
geodezja
informacja o terenie
ewidencja gruntow
Lodz
wdrozenia do praktyki
mapy numeryczne
systemy informacyjne; Pokaż więcej
Dostawca treści:: AGRO

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 81.

Tytuł:: Influence of the dorsal raphe nucleus stimulation on the electrical activity in the caudate nucleus and putamen in the rat brain
Autorzy:: Chlapowska M.
Przewlocki R.
Smialowski A.
Dostawca treści:: AGRO

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 82.

Tytuł:: Loss of mGluR5 receptors on dopamine D1-expressing neurons abolishes novelty-seeking behaviours
Autorzy:: Sikora M.
Rodriguez J.
Przewlocki R.
Dostawca treści:: AGRO

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 83.

Tytuł:: Propozycja zalozen modelu powszechnej taksacji nieruchomosci dla celow podatkowych
Autorzy:: Czochanski M
Kowalski G.
Przewlocki S.
Tematy:: geodezja
nieruchomosci
budynki
wycena
podatek od nieruchomosci
zagospodarowanie przestrzenne
geodesy
real estate
building
appraisal
property tax
spatial management; Pokaż więcej
Dostawca treści:: AGRO

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 84.

Tytuł:: 60 lat geodezji, kartograqfii i geometrii wykreślnej na Wydziale Budownictwa, Architektury i Inżynierii Środowiska Politechniki Łódzkiej
Autorzy:: Przewłocki, S.
Czochański, M.
Pawłowski, W.
Data publikacji:: 2011
Słowa kluczowe:: Politechnika Łódzka
Katedra Geodezji, Kartografii Środowiska i Geometrii Wykreślnej Politechniki Łódzkiej
szkolnictwo politechniczne
szkolnictwo techniczne
geodezja
kartografia środowiska
geometria wykreślna
Technical University of Lodz
Department of Geodesy, Cartography of Envitonment and Descriptive Geometry at the Technical University of Lodz
technical higher education
geodesy
cartography of environment
descriptive geometry; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 85.

Tytuł:: Global analysis of drug-regulated alternative expression of genes in mouse brain
Autorzy:: Korostynski M.
Piechota M.
Golda S.
Przewlocki R.
Dostawca treści:: AGRO

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 86.

Tytuł:: Long-term morphine self-administration schedule in intellicages as a preclinical model of opioid abuse in mice
Autorzy:: Skupio U.
Sikora M.
Turbasa M.
Przewlocki R.
Dostawca treści:: AGRO

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 87.

Tytuł:: Określanie schematów pasmowych struktur MOS na podłożu SiC(4H)
Autorzy:: Piskorski, Krzysztof
Współwytwórcy:: Przewłocki, Henryk M.
Bakowski, Mietek
Data publikacji:: 2014
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 88.

Tytuł:: Energy concepts involved in MOS characterization
Autorzy:: Engström, Olof
Współwytwórcy:: Przewłocki, Henryk M.
Gutt, Tomasz
Data publikacji:: 2007
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 89.

Tytuł:: Variability of the local phi MS values over the gate area of MOS devices
Współwytwórcy:: Przewłocki, Henryk M.
Brzezińska, Danuta
Kudła, Andrzej
Data publikacji:: 2005
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 90.

Tytuł:: Alcohol drinking under intermittent access in group-housed C57BL/6J mice
Autorzy:: Smutek M.
Rodriguez-Parkina J.
Turbasa M.
Przewlocki R.
Dostawca treści:: AGRO

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 91.

Tytuł:: Badanie wpływu temperatury na parametry elektryczne struktur MOS
Autorzy:: Leśko, Marek
Współwytwórcy:: Przewłocki, Henryk M.
Instytut Technologii Elektronowej
Data publikacji:: 2005
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 92.

Tytuł:: Distribution of potential barrier height local values at Al-SiO2 and Si-SiO2 inter-faces of the metal-oxide-semiconductor structures
Autorzy:: Piskorski, K.
Współwytwórcy:: Przewłocki, Henryk M.
Instytut Technologii Elektronowej
Data publikacji:: 2006
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 93.

Tytuł:: Badanie rozkładów przestrzennych napięcia wyprostowanych pasm w półprzewodniku U FB w strukturach MOS
Autorzy:: Piskorski, Krzysztof
Współwytwórcy:: Przewłocki, Henryk M.
Instytut Technologii Elektronowej
Data publikacji:: 2008
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 94.

Tytuł:: Zastosowanie metody MPAS do określania przekrojów czynnych pułapek powierzchniowych w węgliku krzemu
Autorzy:: Gutt, Tomasz
Współwytwórcy:: Przewłocki, Henryk M.
Instytut Technologii Elektronowej
Data publikacji:: 2013
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 95.

Tytuł:: Antisense oligonucleotides against inducible nitric oxide synthase reduce NO production in RAW 264.7 cells
Autorzy:: Bilecki W.
Okruszek A.
Kwinkowski M.
Sanak M.
Przewlocki R.
Tematy:: nitric oxide synthase
endothelial cell
enzyme
L-arginine
cytostatic agent
cytotoxic agent
neuron
cytokine 23
oligonucleotide
endotoxin; Pokaż więcej
Dostawca treści:: AGRO

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 96.

Tytuł:: Effects of morphine on gene expression in the striatum
Autorzy:: Korostynski M.
Piechota M.
Kaminska D.
Solecki W.
Przewlocki R.
Dostawca treści:: AGRO

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 97.

Tytuł:: Zależność parametrów elektrycznych struktury MOS wykonanej na podłożu SiC od wielkości metalowej bramki
Współwytwórcy:: Piskorski, Krzysztof
Przewłocki, Henryk M.
Instytut Technologii Elektronowej
Data publikacji:: 2012
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 98.

Tytuł:: Opracowanie fotoelektrycznej metody badania rozkładu napięcia wyprostowanych pasm w płaszczyźnie powierzchni bramki struktur MOS
Autorzy:: Piskorski, Krzysztof
Współwytwórcy:: Przewłocki, Henryk M.
Instytut Technologii Elektronowej
Data publikacji:: 2006
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 99.

Tytuł:: Określenie schematów pasmowych struktur MOS o różnej metalizacji bramki na podłozu 3C-SiC
Współwytwórcy:: Piskorski, Krzysztof
Przewłocki, Henryk M.
Instytut Technologii Elektronowej
Data publikacji:: 2011
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 100.

Tytuł:: Changes in the opioid systemsand CRF in the amygdala in various models of drug dependence
Autorzy:: Turchan J.
Maj M.
Przewlocki R.
Przewlocka B.
Dostawca treści:: AGRO

Artykuł

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę "Przewlocki M." wg kryterium: Autor