Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:

Crystallographic properties of the HgCdTe layers grown by MBE on CdZnTe(211)B substrates

Autorzy:

Rogalska, Iwona
Ruszała, Marta
Grendysa, Jakub
Juś, Anna
Wojnarowska-Nowak, Renata
Marchewka, Michał
Wojtowicz, Tomasz

Data publikacji:

2025

Wydawca:

Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich

Tematy:

HgCdTe
molecular beam epitaxy
infrared detectors

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:

Photoluminescence of HgCdTe nanostructures grown by molecular beam epitaxy on GaAs

Autorzy:

Izhnin, I. I.
Izhnin, A. I.
Mynbaev, K. D.
Bazhenov, N. L.
Shilyaev, A. V.
Mikhailov, N. N.
Varavin, V. S.
Dvoretsky, S. A.
Fitsych, O. I.
Voitsekhovsky, A. V.

Data publikacji:

2013

Słowa kluczowe:

nanostructures
molecular beam epitaxy
HgCdTe
photoluminescence

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:

Optimization of p-type contacts to InGaN-based laser diodes and light emitting diodes grown by plasma assisted molecular beam epitaxy

Autorzy:

Nowakowski-Szkudlarek, Krzesimir
Muziol, Grzegorz
Żak, Mikolaj
Hajdel, Mateusz
Siekacz, Marcin
Feduniewicz-Żmuda, Anna
Skierbiszewski, Czesław

Data publikacji:

2020

Wydawca:

Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej

Tematy:

gallium nitride
molecular beam epitaxy
contacts

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:

Crystallographic properties of the HgCdTe layers grown by MBE on CdZnTe(211)B substrates

Autorzy:

Rogalska, Iwona
Ruszała, Marta
Grendysa, Jakub
Juś, Anna
Wojnarowska-Nowak, Renata
Marchewka, Michał
Wojtowicz, Tomasz

Data publikacji:

2025

Słowa kluczowe:

HgCdTe
molecular beam epitaxy
infrared detectors

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:

Optimization of p-type contacts to InGaN-based laser diodes and light emitting diodes grown by plasma assisted molecular beam epitaxy

Autorzy:

Nowakowski-Szkudlarek, Krzesimir
Muziol, Grzegorz
Żak, Mikolaj
Hajdel, Mateusz
Siekacz, Marcin
Feduniewicz-Żmuda, Anna
Skierbiszewski, Czesław

Data publikacji:

2020

Słowa kluczowe:

gallium nitride
molecular beam epitaxy
contacts

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:

Data for publication: Effective Mg Incorporation in CdMgO Alloy on Quartz Substrate Grown by Plasma-assisted MBE

Autorzy:

Adhikari, Abinash

Współwytwórcy:

Adhikari, Abinash

Wydawca:

RepOD

Tematy:

Physics
oxides
molecular beam epitaxy
ternary alloys

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Repozytorium Otwartych Danych

/5

Inne

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:

Optimization of MBE-grown GaSb buffer on GaAs substrates for infrared detectors

Autorzy:

Jarosz, Dawid
Bobko, Ewa
Trzyna-Sowa, Małgorzata
Przeździecka, Ewa
Stachowicz, Marcin
Ruszała, Marta
Krzemiński, Piotr
Juś, Anna
Maś, Kinga
Wojnarowska-Nowak, Renata
Nowak, Oskar
Gudyka, Daria
Tabor, Brajan
Marchewka, Michał

Data publikacji:

2024

Wydawca:

Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich

Tematy:

gallium arsenide
gallium antimonide
molecular beam epitaxy
heteroepitaxy

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:

High power quantum cascade lasers grown by GasMBE

Autorzy:

Razeghi, M.
Slivken, S.

Data publikacji:

2003

Słowa kluczowe:

quantum cascade laser
high power
molecular beam epitaxy

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:

MBE-grown MCT hetero- and nanostructures for IR and THz detectors

Autorzy:

Dvoretsky, S. A.
Mikhailov, N. N.
Remesnik, V. G.
Sidorov, Y. G.
Shvets, V. A.
Ikusov, D. G.
Varavin, V. S.
Yakushev, M. V.
Gumenjuk-Sichevska, J. V.
Golenkov, A. G.
Lysiuk, I. O.
Tsybrii, Z. F.
Shevchik-Shekera, A. V.
Sizov, F. F.
Latyshev, A. V.
Aseev, A. L.

Data publikacji:

2019

Słowa kluczowe:

growth
HgCdTe
molecular-beam epitaxy
detector
infrared
terahertz

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:

Optimization of MBE-grown GaSb buffer on GaAs substrates for infrared detectors

Autorzy:

Jarosz, Dawid
Bobko, Ewa
Trzyna-Sowa, Małgorzata
Przeździecka, Ewa
Stachowicz, Marcin
Ruszała, Marta
Krzemiński, Piotr
Juś, Anna
Maś, Kinga
Wojnarowska-Nowak, Renata
Nowak, Oskar
Gudyka, Daria
Tabor, Brajan
Marchewka, Michał

Data publikacji:

2024

Słowa kluczowe:

gallium arsenide
gallium antimonide
molecular beam epitaxy
heteroepitaxy

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:

Structural Properties of TaAs Weyl Semimetal Thin Films Grown by Molecular Beam Epitaxy on GaAs(001) Substrates

Autorzy:

Sadowski, Janusz
Domagała, Jarosław Z.
Zajkowska, Wiktoria
Kret, Sławomir
Seredyński, Bartłomiej
Gryglas-Borysiewicz, Marta
Ogorzałek, Zuzanna
Bożek, Rafał
Pacuski, Wojciech

Współwytwórcy:

Pacuski, Wojciech

Wydawca:

RepOD

Tematy:

Physics
Molecular Beam Epitaxy
Weyl Semimetal
Tantalum Arsenide

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Repozytorium Otwartych Danych

/5

Inne

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:

Nanostructures with Ge–Si quantum dots for infrared photodetectors

Autorzy:

Izhnin, I. I.
Fitsych, O. I.
Voitsekhovskii, A. V.
Kokhanenko, A. P.
Lozovoy, K. A.
Dirko, V. V.

Data publikacji:

2018

Słowa kluczowe:

molecular beam epitaxy
heterostructures
dark current
noise
detectivity

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:

Optical techniques used for in-situ studies of MBE growth processes

Autorzy:

Herman, M. A.

Data publikacji:

1999

Słowa kluczowe:

optical characterization techniques
molecular beam epitaxy
surface structures

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:

Mechanizm spontanicznego zarodkowania i wzrostu techniką MBE oraz właściwości nanodrutów GaN

Autorzy:

Sobańska, M.
Wierzbicka, A.
Kłosek, K.
Tchutchulashvili, G.
Borysiuk, J.
Żytkiewicz, Z. R.

Data publikacji:

2016

Słowa kluczowe:

plasma-assisted molecular beam epitaxy
PAMBE
technika RHEED

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:

Competition between built-in polarization and p–n junction field in III-nitride heterostructures-data set

Autorzy:

Turski, Henryk
Chlipala, Mikolaj
Zdanowicz, Ewelina
Rogowicz, Ernest
Muziol, Grzegorz
Moneta, Joanna
Grzanka, Szymon
Krysko, Marcin
Syperek, Marcin
Kudrawiec, Robert
Skierbiszewski, Czeslaw

Współwytwórcy:

Turski, Henryk

Data publikacji:

2024-07-15

Wydawca:

RepOD

Tematy:

Engineering
Physics
Gallium nitride
Molecular beam epitaxy
quantum wells

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Repozytorium Otwartych Danych

/5

Inne

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:

Some problems of molecular beam epitaxy growth of epitaxial structures of semiconductor lasers for a 980 nm band

Autorzy:

Kosmala, M.
Regiński, K.
Kosiel, K.

Data publikacji:

2005

Słowa kluczowe:

InGaAs quantum-well lasers
molecular beam epitaxy
optical pyrometry

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:

Defects in HgCdTe grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrates

Autorzy:

Izhnin, I. I.
Izhnin, A. I.
Savytskyy, H. V.
Fitsych, O. I.
Mikhailov, N. N.
Varavin, V. S.
Dvoretsky, S. A.
Sidorov, Y. G.
Mynbaev, K. D.

Data publikacji:

2012

Słowa kluczowe:

molecular beam epitaxy
HgCdTe
ion milling
defects
GaAs substrate

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:

Reciprocal lattice mapping of InGaAs layers grown on InP (001) and GaAs (001) substrates

Autorzy:

Bąk-Misiuk, J.
Kaniewski, J.
Domagała, J.
Regiński, K.
Adamczewska, J.
Trela, J.

Data publikacji:

1999

Słowa kluczowe:

InGaAs
molecular beam epitaxy
X-ray diffraction
diffuse scattering

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:

Heterostructures with self-organized quantum dots of Ge on Si for optoelectronic devices

Autorzy:

Lozovoy, K. A.
Voytsekhovskiy, A. V.
Kokhanenko, A. P.
Satdarov, V. G.
Pchelyakov, O. P.
Nikiforov, A. I.

Data publikacji:

2014

Słowa kluczowe:

Hut-clusters
segregation
multilayer structures
photodetectors
molecular beam epitaxy

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:

Low-temperature growth of InAs/GaSb superlattices on miscut GaAs substrates for mid-wave infrared detectors

Autorzy:

Martyniuk, Piotr
Benyahia, Djalal

Data publikacji:

2023

Wydawca:

Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich

Tematy:

molecular beam epitaxy
superlattice
X-ray diffraction
III-V semiconductor

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 21.

Tytuł:

Role of Metallic Adlayer in Limiting Ge Incorporation into GaN - dataset

Autorzy:

Turski, Henryk
Wolny, Pawel
Chlipala, Mikolaj
Sawicka, Marta
Reszka, Anna
Kempisty, Pawel
Konczewicz, Leszek
Muziol, Grzegorz
Siekacz, Marcin
Skierbiszewski, Czeslaw

Współwytwórcy:

Kempisty, Paweł

Wydawca:

RepOD

Tematy:

Physics
Gallium nitride
Molecular beam epitaxy
Semiconductor doping
Germanium
Indium

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Repozytorium Otwartych Danych

/5

Inne

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 22.

Tytuł:

Single vanadium ion magnetic dopant in an individual CdTe/ZnTe quantum dot

Autorzy:

Połczyńska, Karolina

Współwytwórcy:

Połczyńska, Karolina

Data publikacji:

2025-03-26

Wydawca:

RepOD

Tematy:

Physics
magnetic dopants
solotronics
molecular beam epitaxy
vanadium
quantum dot

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Repozytorium Otwartych Danych

/5

Inne

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 23.

Tytuł:

Low-temperature growth of InAs/GaSb superlattices on miscut GaAs substrates for mid-wave infrared detectors

Autorzy:

Martyniuk, Piotr
Benyahia, Djalal

Data publikacji:

2023

Słowa kluczowe:

molecular beam epitaxy
superlattice
X-ray diffraction
III-V semiconductor

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 24.

Tytuł:

Narrow spectral band monolithic lead-chalcogenide-on-Si mid-IR photodetectors

Autorzy:

Zogg, H.
Arnold, M.

Data publikacji:

2006

Słowa kluczowe:

infrared sensors
resonant cavity
lead-chalcogenides
molecular beam epitaxy
silicon substrates

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 25.

Tytuł:

Control of ferromagnetism in Cd1-xMnxTe quantum wells

Autorzy:

Tatarenko, S.
Bertolini, M.
Maslana, W.
Boukari, H.
Gilles, B.
Cibert, J.
Ferrand, D.
Kossacki, P.
Gaj, J. A.

Data publikacji:

2003

Słowa kluczowe:

molecular beam epitaxy
quantum wells
magnetic materials
semiconducting II-VI materials

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 26.

Tytuł:

A novel approach to increase emission wavelength of InAs/GaAs quantum dots by using a quaternary capping layer

Autorzy:

Chowdhury, S.
Adhikary, S.
Halder, N.
Chakrabarti, S.

Data publikacji:

2010

Słowa kluczowe:

semiconductor quantum dots
molecular beam epitaxy
transmission electron microscopy
photoluminescence
dislocations

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 27.

Tytuł:

Multi-step interrupted-growth MBE technology for GaAs/AlGaAs (~9.4 µm) room temperature operating quantum-cascade lasers

Autorzy:

Kosiel, K.
Kubacka-Traczyk, J.
Sankowska, I.
Szerling, A.
Gutowski, P.
Bugajski, M.

Data publikacji:

2012

Słowa kluczowe:

intersubband
molecular beam epitaxy
semiconducting III-V materials
quantum cascade laser

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 28.

Tytuł:

Thermal instability of gold thin films

Autorzy:

Sobańska, Marta

Współwytwórcy:

Sobańska, Marta

Data publikacji:

2024-08-01

Wydawca:

RepOD

Tematy:

Physics
thin films
molecular beam epitaxy
dewetting
thermal disintegration
gold nanostructures

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Repozytorium Otwartych Danych

/5

Inne

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 29.

Tytuł:

Raman scattering of ZnO films prepared by the laser molecular beam epitaxy

Autorzy:

Wang, C.
Chen, Z.
He, Y.
Li, L.
Zhang, D.

Data publikacji:

2010

Słowa kluczowe:

Raman scattering
X-ray diffraction
ZnO films
laser molecular beam epitaxy

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 30.

Tytuł:

Harnessing III-Nitride Built-In Field in Multi-Quantum Well LEDs - dataset

Autorzy:

Chlipała, Mikołaj
Turski, Henryk

Współwytwórcy:

Chlipała, Mikołaj

Data publikacji:

2024-06-14

Wydawca:

RepOD

Tematy:

Physics
Gallium nitride
Molecular beam epitaxy
multiple QW
nitride semiconductors
InGaN quantum wells
epitaxy

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Repozytorium Otwartych Danych

/5

Inne

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 31.

Tytuł:

Influence of the Annealing Temperature on the Properties of {ZnO/CdO}30 Superlattices Deposited on c-Plane Al2O3 Substrate by MBE

Autorzy:

Lysak, Anastasiia
Aleksandra Wierzbicka
Piotr Dluzewski
Marcin Stachowicz
Jacek Sajkowski
Ewa Przezdziecka

Współwytwórcy:

Lysak, Anastasiia

Data publikacji:

2025-02-06

Wydawca:

RepOD

Tematy:

Physics
superlattices
oxides semiconductors
molecular beam epitaxy
annealing
X-ray analysis
photoluminescence

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Repozytorium Otwartych Danych

/5

Inne

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 32.

Tytuł:

Heteroepitaxial Growth of High Optical Quality, Wafer-Scale van der Waals Heterostrucutres

Autorzy:

Ludwiczak, Katarzyna
Da̧browska, Aleksandra
Binder, Johannes
Tokarczyk, Mateusz
Iwański, Jakub
Kurowska, Bogusława
Turczyński, Jakub
Kowalski, Grzegorz
Bożek, Rafał
Stępniewski, Roman
Pacuski, Wojciech
Wysmołek, Andrzej

Współwytwórcy:

Binder, Johannes

Wydawca:

RepOD

Tematy:

Physics
layered materials
transition metal dichalcogenides
epitaxy
metalorganic vapor phase epitaxy
molecular beam epitaxy
Raman spectroscopy

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Repozytorium Otwartych Danych

/5

Inne

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 33.

Tytuł:

Geometrical selection of GaN nanowires grown by plas-ma-assisted MBE on polycrystalline ZrN layers

Autorzy:

Sobańska, Marta

Współwytwórcy:

Sobańska, Marta

Data publikacji:

2024-08-01

Wydawca:

RepOD

Tematy:

Physics
GaN nanowires
ZrN buffer layers
molecular beam epitaxy
nanowire orientation
geometrical selection

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Repozytorium Otwartych Danych

/5

Inne

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 34.

Tytuł:

Coherent imaging and dynamics of excitons in MoSe2 monolayers epitaxially grown on hexagonal boron nitride

Autorzy:

Połczyńska, Karolina
Simon Le Denmat
Takashi Taniguchi
Kenji Watanabe
Marek Potemski
Piotr Kossacki
Wojciech Pacuski
Jacek Kasprzak

Współwytwórcy:

Połczyńska, Karolina

Data publikacji:

2024-03-15

Wydawca:

RepOD

Tematy:

Physics
molecular beam epitaxy
transition metal dichlcogenide
four wave mixing
atomic force microscopy

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Repozytorium Otwartych Danych

/5

Inne

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 35.

Tytuł:

Electrical and optical characteristics for the ultra-thin InGaN LED obtained before and after transfer

Autorzy:

Chlipała, Mikołaj
Akritidis, Konstantinos
Iryna Levchenko
Gibasiewicz, Krzysztof
Brstilo, Tara
Billet, Maximilien
Van Dorpe, Pol
Fiuczek, Natalia
Sawicka, Marta
Kuyken, Bart
Turski, Henryk

Współwytwórcy:

Chlipała, Mikołaj

Data publikacji:

2025-04-04

Wydawca:

RepOD

Tematy:

Engineering
Physics
Gallium nitride
Molecular beam epitaxy
multiple QW
nitride semiconductors
InGaN quantum wells
epitaxy
transfer printig

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Repozytorium Otwartych Danych

/5

Inne

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 36.

Tytuł:

PAMBE growth of GaN nanowires on metallic ZrN buffers - a critical impact of ZrN layer thickness on the growth temperature

Autorzy:

Sobańska, Marta

Współwytwórcy:

Sobańska, Marta

Data publikacji:

2025-03-07

Wydawca:

RepOD

Tematy:

Physics
molecular beam epitaxy
temperature calibration
optical pyrometry
GaN nanowires
metallic substrates
thin layer emissivity

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Repozytorium Otwartych Danych

/5

Inne

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 37.

Tytuł:

How to make GaMnAs with high ferromagnetic phase transition temperature?

Autorzy:

Sadowski, J.
Domagała, J. Z.
Kanski, J.
Rodriguez, C. H.
Terki, F.
Charar, S.
Maude, D.

Data publikacji:

2006

Słowa kluczowe:

epitaksja wiązka molekularną
defekt
wyżarzanie
półprzewodniki ferromagnetyczne
GaMnAs
ferromagnetic semiconductor
molecular beam epitaxy
defect
annealing

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 38.

Tytuł:

Molecular Beam Epitaxy growth of MoTe2 on Hexagonal Boron Nitride

Autorzy:

Seredyński Bartłomiej
Bożek, Rafał
Suffczyński, Jan
Piwowar, Justyna
Sadowski, Janusz
Pacuski, Wojciech

Współwytwórcy:

Pacuski, Wojciech

Data publikacji:

2023-08-23

Wydawca:

RepOD

Tematy:

Physics
transition metal dichlcogenide
atomic force microscopy
Raman Scettering
X-ray photoelectron spectroscopy
molecular beam epitaxy

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Repozytorium Otwartych Danych

/5

Inne

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 39.

Tytuł:

Interfaces-engineered M-structure for infrared detectors

Autorzy:

Marchewka, Michał
Jarosz, Dawid
Ruszała, Marta
Juś, Anna
Krzemiński, Piotr
Bobko, Ewa
Trzyna-Sowa, Małgorzata
Wojnarowska-Nowak, Renata
Śliż, Paweł
Rygała, Michał
Motyka, Marcin

Data publikacji:

2024

Wydawca:

Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich

Tematy:

molecular beam epitaxy
T2SL
InAs/GaSb/AlSb/GaSb
M-structures
dyspersion relation
numerical calculations

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 40.

Tytuł:

Mechanizm wzrostu warstw GaN techniką epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu

Autorzy:

Kłosek, K.
Sobańska, M.
Żytkiewicz, Z. R.

Data publikacji:

2011

Słowa kluczowe:

epitaksja z wiązek molekularnych
PAMBE
GaN
plazmowe źródło azotu
molecular beam epitaxy
RF plasma nitrogen source

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 41.

Tytuł:

Interfaces-engineered M-structure for infrared detectors

Autorzy:

Marchewka, Michał
Jarosz, Dawid
Ruszała, Marta
Juś, Anna
Krzemiński, Piotr
Bobko, Ewa
Trzyna-Sowa, Małgorzata
Wojnarowska-Nowak, Renata
Śliż, Paweł
Rygała, Michał
Motyka, Marcin

Data publikacji:

2024

Słowa kluczowe:

molecular beam epitaxy
T2SL
InAs/GaSb/AlSb/GaSb
M-structures
dyspersion relation
numerical calculations

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 42.

Tytuł:

Epitaksja struktur laserów kaskadowych

Autorzy:

Gutowski, P.
Sankowska, I.
Kubacka-Traczyk, J.
Gołaszewska-Malec, K.
Bugajski, M.
Grzonka, J.

Data publikacji:

2014

Słowa kluczowe:

epitaksja z wiązek molekularnych
MBE
kwantowe lasery kaskadowe
QCL
quantum cascade laser
molecular beam epitaxy
Device Fabrication

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 43.

Tytuł:

The multiscale modelling of thin films growth

Autorzy:

Kopernik, M.
Kot, R.

Data publikacji:

2010

Słowa kluczowe:

automat komórkowy
model wzrostu
epitaksja z wiązek molekularnych
MBE
cellular automata (CA)
growth model
molecular beam epitaxy (MBE)

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 44.

Tytuł:

Properties and origin of oval defects in epitaxial structures grown by molecular beam epitaxy

Autorzy:

Szerling, A.
Kosiel, K.
Wójcik-Jedlińska, A.
Płuska, M.
Bugajski, M.

Data publikacji:

2005

Słowa kluczowe:

oval defects
A3B5
molecular beam epitaxy (MBE)
spectrally resolved photoluminescence
scanning electron microscopy (SEM)
cathodoluminescence

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 45.

Tytuł:

Structure and electronic properties of ionic nano-layers MBE-grown on III-V semiconductors

Autorzy:

Korecki, Paweł
Szymoński, Marek
Kołodziej, Jacek
Czuba, Paweł
Piątkowski, Piotr

Data publikacji:

2000

Słowa kluczowe:

electron holography
semiconductor-insulator interface
surface structure
molecular beam epitaxy
III-V semiconductor compounds
low energy electron diffraction

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Repozytorium Uniwersytetu Jagiellońskiego

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 46.

Tytuł:

Synthesis of anisotropic metallic nanostructures on crystal semiconductors surfaces
Synteza anizotropowych nanostruktur metalicznych na powierzchniach kryształów półprzewodnikowych

Autorzy:

Janas, Arkadiusz

Słowa kluczowe:

Ion beam, molecular beam epitaxy, reflection high energy electron diffraction.
Wiązka jonowa, epitaksja z wiązki molekularnej, odbiciowa dyfrakcja wysokoenergetycznych elektronów.

Pokaż więcej

Dostawca treści:

Repozytorium Uniwersytetu Jagiellońskiego

/5

Inne

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 47.

Tytuł:

Technologia epitaksji z wiązek molekularnych struktur laserów kaskadowych InAlAs/InGaAs/InP na pasmo średniej podczerwieni

Autorzy:

Gutowski, P.
Pierściński, K.
Karbownik, P.
Morawiec, M.
Bugajski, M.
Sankowska, I.
Pierścińska, D.
Serebrennikova, O.
Pruszyńska-Karbownik, E.

Data publikacji:

2016

Słowa kluczowe:

epitaksja z wiązek molekularnych
MBE
kwantowe lasery kaskadowe
QCL
InGaAs
InAIAs
molecular beam epitaxy
quantum cascade laser
InAlAs

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 48.

Tytuł:

Lasery kaskadowe z AlGaAs/GaAs na pasmo średniej podczerwieni (∼ 9 μm)

Autorzy:

Kosiel, K.
Szerling, A.
Muszalski, J.
Bugajski, M.

Data publikacji:

2009

Słowa kluczowe:

laser kaskadowy
epitaksja z wiązek molekularnych
przejścia wewnątrzpasmowe
średnia podczerwień
quantum cascade laser
molecular beam epitaxy
intraband transitions
mid-infrared

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 49.

Tytuł:

Magnetic field sensors based on undoped In0.53Ga0.47As/InP heterostructures fabricated by molecular beam epitaxy and metalorganic chemical vapor deposition

Autorzy:

Przesławski, T.
Wolkenberg, A.
Kaniewski, J.
Regiński, K.
Jasik, A.

Data publikacji:

2005

Słowa kluczowe:

Hall sensors
magnetoresistors
InGaAs/InP heterostructures
electronic transport
geometric correction factor
molecular beam epitaxy (MBE)
metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 50.

Tytuł:

Technologia MBE struktur fotorezystorów LWIR na bazie SL II rodzaju

Autorzy:

Jasik, Agata
Sankowska, Iwona
Czuba, Krzysztof
Smoczyński, Dariusz
Kotowski, Mateusz

Data publikacji:

2019

Słowa kluczowe:

epitaksja z wiązek molekularnych
fotorezystory
supersieci InAs/GaSb
długofalowa podczerwień
molecular beam epitaxy
photoconductors
InAs/GaSb superlattices
long-wavelenght infrared

Pokaż więcej

Dostawca treści:

BazTech

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły